公开(公告)号：US08379439B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12640723

申请日：2009-12-17

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： A memory element, a threshold switching element, or the series combination of a memory element and a threshold switching element may be used for coupling conductive lines in an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a breakdown layer in series with the phase-change material and/or threshold switching material between the conductive lines. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 可以使用存储元件，阈值开关元件或存储元件和阈值开关元件的串联组合来耦合电可编程矩阵阵列中的导线。 可以通过选择性地将导电线之间的相变材料和/或阈值开关材料串联的击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20090034325A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12286784

申请日：2008-10-02

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcogenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出硫族化物材料来编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20060097240A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US11209079

申请日：2005-08-22

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： A memory element, a threshold switching element, or the series combination of a memory element and a threshold switching element may be used for coupling conductive lines in an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a breakdown layer in series with the phase-change material and/or threshold switching material between the conductive lines. The matrix array may be used in a programmable logic device.

公开(公告)号：US07839674B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12286784

申请日：2008-10-02

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcogenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出硫族化物材料来编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US07499315B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11318789

申请日：2005-12-24

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcongenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出了一种chalcongenide材料用于编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20060171194A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11318789

申请日：2005-12-24

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcongenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

公开(公告)号：US20070247899A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11407573

申请日：2006-04-20

申请人： George Gordon ,  Ward Parkinson ,  John Peters ,  Tyler Lowrey ,  Stanford Ovshinsky ,  Guy Wicker ,  Ilya Karpov ,  Charles Kuo

发明人： George Gordon ,  Ward Parkinson ,  John Peters ,  Tyler Lowrey ,  Stanford Ovshinsky ,  Guy Wicker ,  Ilya Karpov ,  Charles Kuo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144

摘要： A memory may be implemented with a stable chalcogenide glass which is defined as a generally amorphous chalcogenide material that does not change to a generally crystalline phase when exposed to 200° C. for 30 minutes or less. Different states may be programmed by changing the threshold voltage of the material. The threshold voltage may be changed with pulses of different amplitude and/or different pulse fall times. Reading may be done using a reference level between the threshold voltages of the two different states. A separate access device is generally not needed.

摘要翻译： 可以用稳定的硫属化物玻璃来实现记忆，硫化物玻璃被定义为当暴露于200℃下30分钟或更短时不改变为通常结晶相的通常为非晶态的硫族化物材料。 可以通过改变材料的阈值电压来编程不同的状态。 可以用不同幅度和/或不同脉冲下降时间的脉冲来改变阈值电压。 可以使用两种不同状态的阈值电压之间的参考电平进行读取。 通常不需要单独的访问设备。

公开(公告)号：US20100091561A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12640723

申请日：2009-12-17

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00 ,  H03K19/177

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： A memory element, a threshold switching element, or the series combination of a memory element and a threshold switching element may be used for coupling conductive lines in an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a breakdown layer in series with the phase-change material and/or threshold switching material between the conductive lines. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 可以使用存储元件，阈值开关元件或存储元件和阈值开关元件的串联组合来耦合电可编程矩阵阵列中的导线。 可以通过选择性地将导电线之间的相变材料和/或阈值开关材料串联的击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US07646630B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11209079

申请日：2005-08-22

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

摘要： A memory element, a threshold switching element, or the series combination of a memory element and a threshold switching element may be used for coupling conductive lines in an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a breakdown layer in series with the phase-change material and/or threshold switching material between the conductive lines. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 可以使用存储元件，阈值开关元件或存储元件和阈值开关元件的串联组合来耦合电可编程矩阵阵列中的导线。 可以通过选择性地将导电线之间的相变材料和/或阈值开关材料串联的击穿层来降低泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20070096074A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11264129

申请日：2005-11-02

申请人： Isamu Asano ,  Natsuki Sato ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Stephen Hudgens

发明人： Isamu Asano ,  Natsuki Sato ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Stephen Hudgens

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

摘要： A non-volatile memory element includes a first interlayer insulation layer 11 having a first through-hole 11a, a second interlayer insulation layer 12 having a second through-hole 12a formed on the first interlayer insulation layer 11, a bottom electrode 13 provided in the first through-hole 11, recording layer 15 containing phase change material provided in the second through-hole 12, a top electrode 16 provided on the second interlayer insulation layer 12, and a thin-film insulation layer 14 formed between the bottom electrode 13 and the recording layer 15. In accordance with this invention, the diameter D1 of a bottom electrode 13 buried in a first through-hole 11a is smaller than the diameter D2 of a second through-hole 12a, thereby decreasing the thermal capacity of the bottom electrode 13. Therefore, when a pore 14a is formed by dielectric breakdown in a thin-film insulation layer 14 and the vicinity is used as a heating region, the amount of heat escaping to the bottom electrode 13 is decreased, resulting in higher heating efficiency.

摘要翻译： 非易失性存储元件包括具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11，具有形成在第一层间绝缘层11上的第二通孔12a的第二层间绝缘层12， 在第一通孔11中，设置在第二通孔12中的包含相变材料的记录层15，设置在第二层间绝缘层12上的顶部电极16和形成在第二通孔12的底部电极之间的薄膜绝缘层14 13和记录层15。 根据本发明，埋在第一通孔11a中的底部电极13的直径D 1小于第二通孔12a的直径D 2，从而降低底部电极13的热容量 。 因此，当通过薄膜绝缘层14中的电介质击穿形成孔14a并且将其附近用作加热区域时，逸出到底部电极13的热量减少，导致更高的加热效率。