公开(公告)号：US08981338B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13849139

申请日：2013-03-22

申请人： Sanken Electric Co., Ltd. ,  Hamamatsu Photonics K.K.

发明人： Shunro Fuke ,  Tetsuji Matsuo ,  Yoshihiro Ishigami ,  Tokuaki Nihashi

IPC分类号： H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J31/50 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01J9/025 ,  H01J9/12 ,  H01J31/26 ,  H01J31/507

摘要： A semiconductor photocathode includes an AlXGa1-XN layer (0≦X

摘要翻译： 半导体光电阴极包括通过SiO 2层和形成在AlXGa1-XN层上的含碱金属的层结合到玻璃基板上的Al x Ga 1-x N层（0＆lt; nlE; X <1）。 AlXGa1-XN层包括第一区域，第二区域，第一区域和第二区域之间的中间区域。 第二区域具有通过交替层叠阻挡层和阱层而形成的半导体超晶格结构，中间区域具有通过交替层压阻挡层和阱层而形成的半导体超晶格结构。 当一对相邻的阻挡层和阱层被定义为单位部分时，单位部分中Al的组成比X的平均值随着距离第二区域和SiO 2层之间的界面位置的距离而至少在 中间区域。

公开(公告)号：US09431570B2

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：US14529575

申请日：2014-10-31

申请人： HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

发明人： Tokuaki Nihashi ,  Masatomo Sumiya ,  Minoru Hagino ,  Shunro Fuke

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L31/18 ,  C30B29/40 ,  H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J40/06

CPC分类号： H01L31/1856 ,  C30B29/403 ,  H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  H01J40/06 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  Y10S117/902 ,  Y10S117/915

摘要： The object is to provide a photoelectric surface member which allows higher quantum efficiency. In order to achieve this object, a photoelectric surface member 1a is a crystalline layer formed by a nitride type semiconductor material, and comprises a nitride semiconductor crystal layer 10 where the direction from the first surface 101 to the second surface 102 is the negative c polar direction of the crystal, an adhesive layer 12 formed along the first surface 101 of the nitride semiconductor crystal layer 10, and a glass substrate 14 which is adhesively fixed to the adhesive layer 12 such that the adhesive layer 12 is located between the glass substrate 14 and the nitride semiconductor crystal layer 10.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种允许较高量子效率的光电表面部件。 为了实现该目的，光电表面部件1a是由氮化物型半导体材料形成的结晶层，并且包括氮化物半导体晶体层10，其中从第一表面101到第二表面102的方向为负极性 晶体方向，沿着氮化物半导体晶体层10的第一表面101形成的粘合剂层12和粘合剂层12粘合固定在玻璃基板14之间的玻璃基板14 和氮化物半导体晶体层10。