公开(公告)号：US08634227B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13184795

申请日：2011-07-18

申请人： Hak Soo Yu ,  In Gyu Baek ,  Hong Sun Hwang ,  Su A Kim ,  Mu Jin Seo

发明人： Hak Soo Yu ,  In Gyu Baek ,  Hong Sun Hwang ,  Su A Kim ,  Mu Jin Seo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/71

摘要： Provided is a semiconductor resistive memory device. The resistive memory device includes a plurality of unit cells. A source line and a data input/output line of the unit cells may be selectively connected to have a substantially same voltage level for equalization when the unit cells are in inactive or unselected state. The equalization may decrease current consumption and protect write error, and protect leakage current.

摘要翻译： 提供了半导体电阻式存储器件。 电阻式存储器件包括多个单元电池。 单位单元的源极线和数据输入/输出线可以被选择性地连接以具有基本上相同的电压电平以用于在单位电池处于非活动状态或未选择状态时进行均衡。 均衡可能会降低电流消耗并保护写入错误，并保护漏电流。

公开(公告)号：US20120020142A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13184795

申请日：2011-07-18

申请人： Hak Soo Yu ,  In Gyu Baek ,  Hong Sun Hwang ,  Su A. Kim ,  Mu Jin Seo

发明人： Hak Soo Yu ,  In Gyu Baek ,  Hong Sun Hwang ,  Su A. Kim ,  Mu Jin Seo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C8/14 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/71

摘要： Provided is a semiconductor resistive memory device. The resistive memory device includes a plurality of unit cells. A source line and a data input/output line of the unit cells may be selectively connected to have a substantially same voltage level for equalization when the unit cells are in inactive or unselected state. The equalization may decrease current consumption and protect write error, and protect leakage current.

摘要翻译： 提供了半导体电阻式存储器件。 电阻式存储器件包括多个单元电池。 单位单元的源极线和数据输入/输出线可以被选择性地连接以具有基本上相同的电压电平以用于在单位电池处于非活动状态或未选择状态时进行均衡。 均衡可能会降低电流消耗并保护写入错误，并保护漏电流。