公开(公告)号：US09230810B2

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：US12873147

申请日：2010-08-31

申请人： Hamilton Lu ,  The-Tu Chau ,  Kyle Terrill ,  Deva N. Pattanayak ,  Sharon Shi ,  Kuo-In Chen ,  Robert Xu

发明人： Hamilton Lu ,  The-Tu Chau ,  Kyle Terrill ,  Deva N. Pattanayak ,  Sharon Shi ,  Kuo-In Chen ,  Robert Xu

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/16 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7813

摘要： Systems and methods for substrate wafer back side and edge cross section seals. In accordance with a first method embodiment, a silicon wafer of a first conductivity type is accessed. An epitaxial layer of the first conductivity type is grown on a front surface of the silicon wafer. The epitaxial layer is implanted to form a region of an opposite conductivity type. The growing and implanting are repeated to form a vertical column of the opposite conductivity type. The wafer may also be implanted to form a region of the opposite conductivity type vertically aligned with the vertical column.

摘要翻译： 衬底晶圆背面和边缘截面密封的系统和方法。 根据第一方法实施例，访问第一导电类型的硅晶片。 第一导电类型的外延层生长在硅晶片的前表面上。 植入外延层以形成相反导电类型的区域。 重复生长和植入以形成相反导电类型的垂直柱。 也可以将晶片植入以形成与垂直柱垂直对准的相反导电类型的区域。

公开(公告)号：US20110049682A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12873147

申请日：2010-08-31

申请人： Hamilton Lu ,  The-Tu Chau ,  Kyle Terrill ,  Deva N. Pattanayak ,  Sharon Shi ,  Kuo-In Chen ,  Robert Xu

发明人： Hamilton Lu ,  The-Tu Chau ,  Kyle Terrill ,  Deva N. Pattanayak ,  Sharon Shi ,  Kuo-In Chen ,  Robert Xu

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/203 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/2205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/16 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7813

摘要： Systems and methods for substrate wafer back side and edge cross section seals. In accordance with a first method embodiment, a silicon wafer of a first conductivity type is accessed. An epitaxial layer of the first conductivity type is grown on a front surface of the silicon wafer. The epitaxial layer is implanted to form a region of an opposite conductivity type. The growing and implanting are repeated to form a vertical column of the opposite conductivity type. The wafer may also be implanted to form a region of the opposite conductivity type vertically aligned with the vertical column.

摘要翻译： 衬底晶圆背面和边缘截面密封的系统和方法。 根据第一方法实施例，访问第一导电类型的硅晶片。 第一导电类型的外延层生长在硅晶片的前表面上。 植入外延层以形成相反导电类型的区域。 重复生长和植入以形成相反导电类型的垂直柱。 也可以将晶片植入以形成与垂直柱垂直对准的相反导电类型的区域。

公开(公告)号：US08409954B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US11386927

申请日：2006-03-21

申请人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

发明人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7813

摘要： Ultra-low drain-source resistance power MOSFET. In accordance with an embodiment of the preset invention, a semiconductor device comprises a plurality of trench power MOSFETs. The plurality of trench power MOSFETs is formed in a second epitaxial layer. The second epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a first epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a substrate highly doped with red Phosphorous. The novel red Phosphorous doped substrate enables a desirable low drain-source resistance.

摘要翻译： 超低漏源电阻功率MOSFET。 根据本发明的实施例，半导体器件包括多个沟槽功率MOSFET。 多个沟槽功率MOSFET形成在第二外延层中。 第二外延层形成为与第一外延层相邻并邻接。 第一外延层与高度掺杂有红磷的衬底相邻并邻接地形成。 新型红磷掺杂衬底能够实现所需的低漏源电阻。

公开(公告)号：US20070221989A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11386927

申请日：2006-03-21

申请人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattarayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

发明人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattarayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7813

摘要： Ultra-low drain-source resistance power MOSFET. In accordance with an embodiment of the preset invention, a semiconductor device comprises a plurality of trench power MOSFETs. The plurality of trench power MOSFETs is formed in a second epitaxial layer. The second epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a first epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a substrate highly doped with red Phosphorous. The novel red Phosphorous doped substrate enables a desirable low drain-source resistance.

摘要翻译： 超低漏源电阻功率MOSFET。 根据本发明的实施例，半导体器件包括多个沟槽功率MOSFET。 多个沟槽功率MOSFET形成在第二外延层中。 第二外延层形成为与第一外延层相邻并邻接。 第一外延层与高度掺杂有红磷的衬底相邻并邻接地形成。 新型红磷掺杂衬底能够实现所需的低漏源电阻。

公开(公告)号：US09443974B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US12549190

申请日：2009-08-27

申请人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

发明人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： Methods of fabricating a super junction trench power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) device are described. A column of p-type dopant in the super junction is separated from a first column of n-type dopant by a first column of oxide and from a second column of n-type dopant by a second column of oxide. In an n-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of p-type dopant; and in a p-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of n-type dopant.

摘要翻译： 描述了制造超结沟槽功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件的方法。 超级结中的p型掺杂剂的列通过第一列氧化物与第一列n型掺杂剂与第二列氧化物与第二列n型掺杂剂分离。 在n沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于p型掺杂剂的列上; 并且在p沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于n型掺杂剂的列之上。

公开(公告)号：US09425306B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US12548841

申请日：2009-08-27

申请人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

发明人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In a super junction trench power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) device, a column of p-type dopant in the super junction is separated from a first column of n-type dopant by a first column of oxide and from a second column of n-type dopant by a second column of oxide. In an n-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of p-type dopant; and in a p-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of n-type dopant.

摘要翻译： 在超结沟槽功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件中，超结中的p型掺杂剂列由第一列氧化物和第二列与第一列n型掺杂剂分离， 的n型掺杂剂通过第二列氧化物。 在n沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于p型掺杂剂的列上; 并且在p沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于n型掺杂剂的列之上。

公开(公告)号：US20110049614A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12548841

申请日：2009-08-27

申请人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

发明人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In a super junction trench power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) device, a column of p-type dopant in the super junction is separated from a first column of n-type dopant by a first column of oxide and from a second column of n-type dopant by a second column of oxide. In an n-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of p-type dopant; and in a p-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of n-type dopant.

摘要翻译： 在超结沟槽功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件中，超结中的p型掺杂剂列由第一列氧化物和第二列与第一列n型掺杂剂分离， 的n型掺杂剂通过第二列氧化物。 在n沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于p型掺杂剂的列上; 并且在p沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于n型掺杂剂的列之上。

公开(公告)号：US20080157281A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US12069712

申请日：2008-02-11

申请人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

发明人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

IPC分类号： H01L29/36

CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7813

摘要： Ultra-low drain-source resistance power MOSFET. In accordance with an embodiment of the preset invention, a semiconductor device comprises a plurality of trench power MOSFETs. The plurality of trench power MOSFETs is formed in a second epitaxial layer. The second epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a first epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a substrate highly doped with red Phosphorus. The novel red Phosphorus doped substrate enables a desirable low drain-source resistance.

摘要翻译： 超低漏源电阻功率MOSFET。 根据本发明的实施例，半导体器件包括多个沟槽功率MOSFET。 多个沟槽功率MOSFET形成在第二外延层中。 第二外延层形成为与第一外延层相邻并邻接。 第一外延层与高度掺杂有红磷的衬底相邻并邻接地形成。 新颖的红色磷掺杂衬底能够实现所需的低漏源电阻。

公开(公告)号：US09887266B2

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：US12069712

申请日：2008-02-11

申请人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

发明人： The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen ,  Martin Hernandez ,  Deva Pattanayak ,  Kyle Terrill ,  Kuo-In Chen

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7813

摘要： Ultra-low drain-source resistance power MOSFET. In accordance with an embodiment of the preset invention, a semiconductor device comprises a plurality of trench power MOSFETs. The plurality of trench power MOSFETs is formed in a second epitaxial layer. The second epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a first epitaxial layer. The first epitaxial layer is formed adjacent and contiguous to a substrate highly doped with red Phosphorus. The novel red Phosphorus doped substrate enables a desirable low drain-source resistance.

公开(公告)号：US20110053326A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12549190

申请日：2009-08-27

申请人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

发明人： Yang Gao ,  Kyle Terrill ,  Deva Pattanayak ,  Kuo-In Chen ,  The-Tu Chau ,  Sharon Shi ,  Qufei Chen

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： Methods of fabricating a super junction trench power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) device are described. A column of p-type dopant in the super junction is separated from a first column of n-type dopant by a first column of oxide and from a second column of n-type dopant by a second column of oxide. In an n-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of p-type dopant; and in a p-channel device, a gate element for the FET is advantageously situated over the column of n-type dopant.

摘要翻译： 描述了制造超结沟槽功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件的方法。 超级结中的p型掺杂剂的列通过第一列氧化物与第一列n型掺杂剂与第二列氧化物与第二列n型掺杂剂分离。 在n沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于p型掺杂剂的列上; 并且在p沟道器件中，用于FET的栅极元件有利地位于n型掺杂剂的列之上。