公开(公告)号：US20100002895A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12539892

申请日：2009-08-12

申请人： Hidenori NOTAKE ,  Tohru YAMAOKA

发明人： Hidenori NOTAKE ,  Tohru YAMAOKA

IPC分类号： H04R11/04 ,  H01L29/84

CPC分类号： H01G7/02 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0257 ,  H04R19/016

摘要： An air gap is formed between a first film having a first electrode film and a second film having a second electrode film. The first film has a stopper protruding toward the second film, and a recess communicating with the air gap is provided in the center of the stopper.

摘要翻译： 在具有第一电极膜的第一膜和具有第二电极膜的第二膜之间形成气隙。 第一膜具有朝向第二膜突出的止动件，并且在止动件的中心设置有与气隙连通的凹部。

公开(公告)号：US20110042763A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12938007

申请日：2010-11-02

申请人： Tohru YAMAOKA ,  Yuichi Miyoshi

发明人： Tohru YAMAOKA ,  Yuichi Miyoshi

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0257 ,  H04R19/016 ,  H04R19/04 ,  H04R2410/03

摘要： A MEMS device includes a first insulating film formed on a semiconductor substrate, a vibrating film formed on the first insulating film, and a fixed film above the vibrating film with an air gap being interposed therebetween. The semiconductor substrate has a region containing N-type majority carriers. A concentration of N-type majority carriers in a portion of the semiconductor substrate where the semiconductor substrate contacts the first insulating film, is higher than a concentration of N-type majority carriers in the other portion of the semiconductor substrate.

摘要翻译： MEMS器件包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的振动膜和位于振动膜上方的固定膜，其间夹有气隙。 半导体衬底具有包含N型多数载流子的区域。 在半导体衬底与第一绝缘膜接触的半导体衬底的一部分中的N型多数载流子的浓度高于半导体衬底的另一部分中的N型多数载流子的浓度。