公开(公告)号：US20110045985A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12934931

申请日：2009-02-20

申请人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Yoichi Kamihara ,  Takatoshi Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Yoichi Kamihara ,  Takatoshi Nomura

IPC分类号： C22C30/00 ,  H01L39/00 ,  H01L39/24 ,  C22C30/02

CPC分类号： C01G55/002 ,  C01B25/088 ,  C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/22 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  H01L39/125

摘要： A superconductor which comprises a new compound composition substituting for perovskite copper oxides. The superconductor is characterized by comprising a compound which is represented by the chemical formula A(TM)2Pn2 [wherein A is at least one member selected from the elements in Group 1, the elements in Group 2, or the elements in Group 3 (Sc, Y, and the rare-earth metal elements); TM is at least one member selected from the transition metal elements Fe, Ru, Os, Ni, Pd, or Pt; and Pn is at least one member selected from the elements in Group 15 (pnicogen elements)] and which has an infinite-layer crystal structure comprising (TM)Pn layers alternating with metal layers of the element (A).

摘要翻译： 一种超导体，其包含取代钙钛矿铜氧化物的新化合物组合物。 超导体的特征在于包含由化学式A（TM）2Pn2表示的化合物[其中A是选自组1中的元素，组2中的元素或组3中的元素（Sc ，Y和稀土金属元素）; TM是选自过渡金属元素Fe，Ru，Os，Ni，Pd或Pt中的至少一种; 并且Pn是选自第15族元素（pnicogen元素）中的至少一种元素]，并且其具有包含与元素（A）的金属层交替的（TM）Pn层的无限层晶体结构。

公开(公告)号：US08435473B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12865940

申请日：2009-02-17

申请人： Hideo Hosono ,  Yoichi Kamihara ,  Masahiro Hirano ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi

发明人： Hideo Hosono ,  Yoichi Kamihara ,  Masahiro Hirano ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi

IPC分类号： C01F17/00 ,  C01B25/10 ,  C01B15/16 ,  C01B25/26 ,  C01B21/20 ,  C01B13/00 ,  C01C1/00 ,  C01D1/02 ,  C01G49/00 ,  C01G53/04 ,  C01G29/00 ,  C01G30/00 ,  C01G28/02 ,  C01G28/00

CPC分类号： C01G53/006 ,  C01G49/009 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/78 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/447 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  H01L39/125

摘要： Disclosed is a superconducting compound which has a structure obtained by partially substituting oxygen ions of a compound, which is represented by the following chemical formula; LnTMOPh [wherein Ln represents at least one element selected from Y and rare earth metal elements (La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu), TM represents at least one element selected from transition metal elements (Fe, Ru, Os, Ni, Pd and Pt), and Pn represents at least one element selected from pnictide elements (N, P, As and Sb)] and has a ZrCuSiAs-type crystal structure (space group P4/nmm), with at least one kind of monovalent anion (F−, Cl− or Br−). The superconducting compound alternatively has a structure obtained by partially substituting Ln ions of the compound with at least one kind of tetravalent metal ion (Ti4+, Zr4+, Hf4+, C4+, Si4+, Ge4+, Sn4+ or Pb4+) or a structure obtained by partially substituting Ln ions of the compound with at least one kind of divalent metal ion (Mg2+, Ca2+, Sr2+ or Ba2+). The Tc of the superconducting compound is controlled in accordance with the ion substitution amount.

摘要翻译： 公开了一种超导化合物，其具有通过部分取代由以下化学式表示的化合物的氧离子而获得的结构; LnTMOPh [其中Ln表示选自Y和稀土金属元素（La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu）中的至少一种元素，TM表示 选自过渡金属元素（Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt）中的至少一种元素，Pn表示选自铌元素（N，P，As和Sb）中的至少一种元素]，并且具有ZrCuSiAs型晶体 结构（空间群P4 / nmm），具有至少一种一价阴离子（F-，Cl-或Br-）。 超导化合物或者具有通过用至少一种四价金属离子（Ti 4+，Zr 4+，Hf 4+，C 4+，Si 4+，Ge 4+，Sn 4+或Pb 4+）部分取代化合物的Ln离子或通过部分取代Ln而获得的结构 化合物与至少一种二价金属离子（Mg2 +，Ca2 +，Sr2 +或Ba2 +）的离子。 超导化合物的Tc根据离子取代量进行控制。

公开(公告)号：US08288321B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13003149

申请日：2009-07-09

申请人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Takatoshi Nomura ,  Yoichi Kamihara

发明人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Takatoshi Nomura ,  Yoichi Kamihara

IPC分类号： C04B35/45

CPC分类号： C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/515 ,  C04B35/5154 ,  C04B35/553 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L39/125

摘要： Provides a new non-oxide system compound material superconductor as an alternative of the perovskite type copper oxides superconductor.Layered compounds which are represented by chemical formula AF(TM)Pn (wherein, A is at least one selected from a group consisting of the second family elements in the long form periodic table, F is a fluorine ion, TM is at least one selected from a group of transition metal elements consisting of Fe, Ru, Os, Ni, Pd, and Pt, and Pn is at least one selected from a group consisting of the fifteenth family elements in the long form periodic table), having a crystal structure of ZrCuSiAs type (space group P4/nmm) and which become superconductors by doping trivalent cations or divalent anions.

摘要翻译： 提供新的非氧化物系复合材料超导体作为钙钛矿型铜氧化物超导体的替代品。 由化学式AF（TM）Pn表示的分层化合物（其中，A是选自长型周期表中的第二族元素的F中的至少一种，F是氟离子，TM是至少一种选择的 由一组由Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt组成的过渡金属元素，Pn是选自由长型周期表中的第十五族系元素组成的组中的至少一种），具有晶体结构 的ZrCuSiAs型（空间群P4 / nmm），通过掺杂三价阳离子或二价阴离子成为超导体。

公开(公告)号：US20110111965A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US13003149

申请日：2009-07-09

申请人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Takatoshi Nomura ,  Yoichi Kamihara

发明人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Takatoshi Nomura ,  Yoichi Kamihara

IPC分类号： H01L39/24 ,  H01L39/00 ,  B22F3/10 ,  C01B33/10 ,  C09K3/00

CPC分类号： C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/515 ,  C04B35/5154 ,  C04B35/553 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L39/125

摘要： Provides a new non-oxide system compound material superconductor as an alternative of the perovskite type copper oxides superconductor.Layered compounds which are represented by chemical formula AF(TM)Pn (wherein, A is at least one selected from a group consisting of the second family elements in the long form periodic table, F is a fluorine ion, TM is at least one selected from a group of transition metal elements consisting of Fe, Ru, Os, Ni, Pd, and Pt, and Pn is at least one selected from a group consisting of the fifteenth family elements in the long form periodic table), having a crystal structure of ZrCuSiAs type (space group P4/nmm) and which become superconductors by doping trivalent cations or divalent anions.

摘要翻译： 提供新的非氧化物系复合材料超导体作为钙钛矿型铜氧化物超导体的替代品。 由化学式AF（TM）Pn表示的分层化合物（其中，A是选自长型周期表中的第二族元素的F中的至少一种，F是氟离子，TM是至少一种选择的 由一组由Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt组成的过渡金属元素，Pn是选自由长型周期表中的第十五族系元素组成的组中的至少一种），具有晶体结构 的ZrCuSiAs型（空间群P4 / nmm），通过掺杂三价阳离子或二价阴离子成为超导体。

公开(公告)号：US20110002832A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12865940

申请日：2009-02-17

申请人： Hideo Hosono ,  Yoichi Kamihara ,  Masahiro Hirano ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi

发明人： Hideo Hosono ,  Yoichi Kamihara ,  Masahiro Hirano ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi

IPC分类号： C01F17/00

CPC分类号： C01G53/006 ,  C01G49/009 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/78 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/447 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  H01L39/125

摘要： Disclosed is a superconducting compound which has a structure obtained by partially substituting oxygen ions of a compound, which is represented by the following chemical formula; LnTMOPh [wherein Ln represents at least one element selected from Y and rare earth metal elements (La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu), TM represents at least one element selected from transition metal elements (Fe, Ru, Os, Ni, Pd and Pt), and Pn represents at least one element selected from pnictide elements (N, P, As and Sb)] and has a ZrCuSiAs-type crystal structure (space group P4/nmm), with at least one kind of monovalent anion (F−, Cl− or Br−). The superconducting compound alternatively has a structure obtained by partially substituting Ln ions of the compound with at least one kind of tetravalent metal ion (Ti4+, Zr4+, Hf4+, C4+, Si4+, Ge4+, Sn4+ or Pb4+) or a structure obtained by partially substituting Ln ions of the compound with at least one kind of divalent metal ion (Mg2+, Ca2+, Sr2+ or Ba2+). The Tc of the superconducting compound is controlled in accordance with the ion substitution amount.

摘要翻译： 公开了一种超导化合物，其具有通过部分取代由以下化学式表示的化合物的氧离子而获得的结构; LnTMOPh [其中Ln表示选自Y和稀土金属元素（La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu）中的至少一种元素，TM表示 选自过渡金属元素（Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt）中的至少一种元素，Pn表示选自铌元素（N，P，As和Sb）中的至少一种元素]，并且具有ZrCuSiAs型晶体 结构（空间群P4 / nmm），具有至少一种一价阴离子（F-，Cl-或Br-）。 超导化合物或者具有通过用至少一种四价金属离子（Ti 4+，Zr 4+，Hf 4+，C 4+，Si 4+，Ge 4+，Sn 4+或Pb 4+）部分取代化合物的Ln离子或通过部分取代Ln而获得的结构而获得的结构 化合物与至少一种二价金属离子（Mg2 +，Ca2 +，Sr2 +或Ba2 +）的离子。 超导化合物的Tc根据离子取代量进行控制。

公开(公告)号：US08420236B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11909020

申请日：2006-08-01

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

摘要： A magnetic semiconductor material contains at least one type of transition metals (Mn2+, Fe3+, Ru3+, Re2+, and Os3+) having five electrons in the d atomic orbital as a magnetic ion, in which the magnetic semiconductor material exhibits n-type electrical conduction by injection of an electron carrier and p-type electric conduction by injection of a hole carrier. A specific example is a layered oxy-pnictide compound represented by LnMnOPn (wherein Ln is at least one type selected from Y and rare earth elements of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu, and Pn is at least one selected from pnicogen elements of N, P, As, Bi, and Sb). A high-sensitivity magnetic sensor, current sensor, or memory device can be made by using a magnetic pn homojunction structure made of thin films composed of the magnetic semiconductor material.

摘要翻译： 磁性半导体材料在d原子轨道中含有至少一种在d原子轨道中具有五个电子的过渡金属（Mn2 +，Fe3 +，Ru3 +，Re2 +和Os3 +）作为磁性离子，其中磁性半导体材料表现出n型导电 注入电子载体和p型导电注入孔载体。 具体实例是由LnMnOPn（其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er的稀土元素中的至少一种类型的层状氧基化合物） ，Tm，Yb和Lu，Pn为选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种元素）。 可以通过使用由磁性半导体材料构成的薄膜制成的磁性pn均质结构来制造高灵敏度的磁传感器，电流传感器或存储器件。

公开(公告)号：US20090042058A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11909020

申请日：2006-08-01

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

IPC分类号： H01F1/04

CPC分类号： H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

摘要： A magnetic semiconductor material contains at least one type of transition metals (Mn2+, Fe3+, Ru3+, Re2+, and Os3+) having five electrons in the d atomic orbital as a magnetic ion, in which the magnetic semiconductor material exhibits n-type electrical conduction by injection of an electron carrier and p-type electric conduction by injection of a hole carrier. A specific example is a layered oxy-pnictide compound represented by LnMnOPn (wherein Ln is at least one type selected from Y and rare earth elements of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu, and Pn is at least one selected from pnicogen elements of N, P, As, Bi, and Sb). A high-sensitivity magnetic sensor, current sensor, or memory device can be made by using a magnetic pn homojunction structure made of thin films composed of the magnetic semiconductor material.

摘要翻译： 磁性半导体材料在d原子轨道中含有至少一种在d原子轨道中具有五个电子的过渡金属（Mn2 +，Fe3 +，Ru3 +，Re2 +和Os3 +）作为磁性离子，其中磁性半导体材料表现出n型导电 注入电子载体和p型导电注入孔载体。 具体实例是由LnMnOPn（其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er的稀土元素中的至少一种类型的层状氧基化合物） ，Tm，Yb和Lu，Pn为选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种元素）。 可以通过使用由磁性半导体材料构成的薄膜制成的磁性pn均质结构来制造高灵敏度的磁传感器，电流传感器或存储器件。

公开(公告)号：US06294274B1

公开(公告)日：2001-09-25

申请号：US09350914

申请日：1999-07-12

申请人： Hiroshi Kawazoe ,  Hideo Hosono ,  Atsushi Kudo ,  Hiroshi Yanagi

发明人： Hiroshi Kawazoe ,  Hideo Hosono ,  Atsushi Kudo ,  Hiroshi Yanagi

IPC分类号： C01G302

CPC分类号： H01L33/26 ,  C03C17/23 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/23 ,  C23C14/087 ,  H01L51/5012 ,  Y10T428/26

摘要： An object of the invention is to provide an oxide thin film which exhibits a widegap or transparency and p-type conductivity although it has heretofore been very difficult to form. The oxide thin film formed on a substrate contains copper oxide and strontium oxide as a main component and exhibits p-type conductivity at a bandgap of at least 2 eV.

摘要翻译： 本发明的目的是提供尽管迄今为止非常难以形成的具有宽带或透明性和p型导电性的氧化物薄膜。 形成在基板上的氧化物薄膜含有氧化铜和氧化锶作为主要成分，并且在至少2eV的带隙处表现出p型导电性。