公开(公告)号：US08420236B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11909020

申请日：2006-08-01

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

摘要： A magnetic semiconductor material contains at least one type of transition metals (Mn2+, Fe3+, Ru3+, Re2+, and Os3+) having five electrons in the d atomic orbital as a magnetic ion, in which the magnetic semiconductor material exhibits n-type electrical conduction by injection of an electron carrier and p-type electric conduction by injection of a hole carrier. A specific example is a layered oxy-pnictide compound represented by LnMnOPn (wherein Ln is at least one type selected from Y and rare earth elements of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu, and Pn is at least one selected from pnicogen elements of N, P, As, Bi, and Sb). A high-sensitivity magnetic sensor, current sensor, or memory device can be made by using a magnetic pn homojunction structure made of thin films composed of the magnetic semiconductor material.

摘要翻译： 磁性半导体材料在d原子轨道中含有至少一种在d原子轨道中具有五个电子的过渡金属（Mn2 +，Fe3 +，Ru3 +，Re2 +和Os3 +）作为磁性离子，其中磁性半导体材料表现出n型导电 注入电子载体和p型导电注入孔载体。 具体实例是由LnMnOPn（其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er的稀土元素中的至少一种类型的层状氧基化合物） ，Tm，Yb和Lu，Pn为选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种元素）。 可以通过使用由磁性半导体材料构成的薄膜制成的磁性pn均质结构来制造高灵敏度的磁传感器，电流传感器或存储器件。

公开(公告)号：US08203146B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12882404

申请日：2010-09-15

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

公开(公告)号：US08186627B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12300449

申请日：2007-05-02

申请人： Toshio Kamiya ,  Ken Maeda ,  Tatsuaki Hashimoto ,  Shinichiro Sakai

发明人： Toshio Kamiya ,  Ken Maeda ,  Tatsuaki Hashimoto ,  Shinichiro Sakai

IPC分类号： B64G1/36

CPC分类号： B64G1/24 ,  B64G1/283 ,  B64G1/286 ,  B64G1/36 ,  B64G1/38 ,  G05D1/0883

摘要： In order to control an attitude of a movable object having a flexible member (50) through an attitude maneuver, first, based on vibration of the flexible member at the time of the attitude maneuver, for example, a sampling function including no frequency components equal to or higher than a particular frequency is obtained. With the use of the sampling function, a control target value is created as a previously-frequency-shaping-type feedforward control law. Based on the control target value, attitude control data is created. The attitude control data can be used for the attitude maneuver with respect to the movable object.

摘要翻译： 为了通过姿态机动来控制具有柔性构件（50）的可移动物体的姿态，首先，基于姿态机动时的柔性构件的振动，例如，不包括频率成分相等的取样函数 达到或高于特定频率。 利用采样功能，创建控制目标值作为先前频率整形型的前馈控制定律。 基于控制目标值，创建姿态控制数据。 姿态控制数据可以用于相对于可移动物体的姿态操纵。

公开(公告)号：US20120012838A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13243244

申请日：2011-09-23

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A switching element of LCDs or organic EL displays which uses a thin film transistor device, includes: a drain electrode, a source electrode, a channel layer contacting the drain electrode and the source electrode, wherein the channel layer comprises indium-gallium-zinc oxide having a transparent, amorphous state of a composition equivalent to InGaO3(ZnO)m (wherein m is a natural number less than 6) in a crystallized state, and the channel layer has a semi-insulating property represented by an electron mobility of more than 1 cm2/(V·sec) and an electron carrier concentration is less than 1018/cm3, a gate electrode, and a gate insulating film positioned between the gate electrode and the channel layer.

摘要翻译： 使用薄膜晶体管器件的LCD或有机EL显示器的开关元件包括：漏电极，源电极，与漏电极和源电极接触的沟道层，其中沟道层包括铟镓锌氧化物 具有在结晶化状态下等价于InGaO 3（ZnO）m（其中m为小于6的自然数）的组成的透明非晶状态，并且沟道层具有以电子迁移率表示的半绝缘性 1cm 2 /（V·sec），电子载流子浓度小于1018 / cm3，栅电极和栅极绝缘膜位于栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：US07892458B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12094936

申请日：2006-11-17

申请人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

发明人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： H01B1/08 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

摘要： In an electride C12A7 provided by replacing free oxygen in 12CaO.7Al2O3 with electrons, a material having metallic electroconductivity and an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature could not have been produced without difficulties. An electride 12CaO.7Al2O3, which has metallic electroconductivity and has an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature, can be produced by heat-treating titanium metal vapor and 12CaO.7Al2O3 single crystal, sinter, or thin film at a temperature above 600° C. and below 1,450° C. for less than 240 hours. Further, thermoelectric field electron release can also be realized using an electron release chip fabricated from the electride.

摘要翻译： 在12Ca0.7Al2O3中用电子代替游离氧提供的电化学C12A7中，在室温下具有金属导电性和电导率大于5×102S / cm的材料不能没有困难地产生。 通过热处理钛金属蒸气和12CaO.7Al2O3单晶，烧结体或薄膜，可以制备具有金属导电性并且室温下电导率大于5×102S / cm的电化学12CaO.7Al2O3 温度高于600℃，低于1450℃，时间不超过240小时。 此外，还可以使用由电极制造的电子释放芯片来实现热电场电子释放。

公开(公告)号：US20110012107A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12882647

申请日：2010-09-15

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US07872259B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US11269768

申请日：2005-11-09

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An object of the present invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

公开(公告)号：US07868326B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US20090280600A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12504158

申请日：2009-07-16

申请人： Hideo HOSONO ,  Masahiro HIRANO ,  Hiromichi OTA ,  Toshio KAMIYA ,  Kenji NOMURA

发明人： Hideo HOSONO ,  Masahiro HIRANO ,  Hiromichi OTA ,  Toshio KAMIYA ,  Kenji NOMURA

IPC分类号： H01L21/36 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide. In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used in the channel layer 2.

摘要翻译： 本发明涉及使用该无定形氧化物的无定形氧化物和薄膜晶体管。 特别地，本发明提供了电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶氧化物，以及使用这种无定形氧化物的薄膜晶体管。 在具有源电极6，漏电极5，栅电极4，栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管中，使用电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶氧化物 通道层2。

公开(公告)号：US20090224214A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12094936

申请日：2006-11-17

申请人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

发明人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01B1/08 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

摘要： In an electride C12A7 provided by replacing free oxygen in 12CaO.7Al2O3 with electrons, a material having metallic electroconductivity and an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature could not have been produced without difficulties.An electride 12CaO.7Al2O3, which has metallic electroconductivity and has an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature, can be produced by heat-treating titanium metal vapor and 12CaO.7Al2O3 single crystal, sinter, or thin film at a temperature above 600° C. and below 1,450° C. for less than 240 hours. Further, thermoelectric field electron release can also be realized using an electron release chip fabricated from the electride.

摘要翻译： 在通过用电子代替12CaO.7Al2O3中的游离氧提供的电化学C12A7中，不能没有困难地产生在室温下具有金属导电性和大于5×102S / cm的电导率的材料。 具有金属导电性并且室温下电导率大于5×102S / cm的电化学12CaO.7Al2O3可以通过将钛金属蒸气和12CaO.7Al2O3单晶，烧结体或薄膜热处理在 温度高于600℃，低于1450℃，时间不超过240小时。 此外，还可以使用由电极制造的电子释放芯片来实现热电场电子释放。