公开(公告)号：US5536850A

公开(公告)日：1996-07-16

申请号：US392886

申请日：1995-03-01

申请人： Hirofumi Nakano ,  Noboru Fujii ,  Tamio Mizukami ,  Youichi Uosaki ,  Katsunori Kita ,  Eiji Kobayashi

发明人： Hirofumi Nakano ,  Noboru Fujii ,  Tamio Mizukami ,  Youichi Uosaki ,  Katsunori Kita ,  Eiji Kobayashi

IPC分类号： A61K31/35 ,  A61P31/04 ,  A61P35/00 ,  C07D493/04 ,  C12P17/18 ,  C07D311/78 ,  C07D311/94

CPC分类号： C07D493/04 ,  C12P17/181

摘要： The present invention relates to a novel substance DC114-A1 represented by the following formula (I): ##STR1##

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 00956 Sec。 371 1995年3月1日 102（e）1995年3月1日PCT 1994年6月14日PCT公布。 第WO95 / 01981号公报 1995年1月19日。本发明涉及由下式（I）表示的新型物质DC114-A1：（I）

公开(公告)号：US5510501A

公开(公告)日：1996-04-23

申请号：US256711

申请日：1994-07-21

申请人： Hirofumi Nakano ,  Noboru Fujii ,  Yoshinori Yamashita ,  Yutaka Saitoh ,  Tsutomu Agatsuma ,  Katsuhiko Ando ,  Yasushi Nishiie ,  Katsunori Kita ,  Naoki Morishima ,  Katsushige Gomi

发明人： Hirofumi Nakano ,  Noboru Fujii ,  Yoshinori Yamashita ,  Yutaka Saitoh ,  Tsutomu Agatsuma ,  Katsuhiko Ando ,  Yasushi Nishiie ,  Katsunori Kita ,  Naoki Morishima ,  Katsushige Gomi

IPC分类号： C07C50/38 ,  C07C305/22 ,  C07C305/26 ,  C12P29/00 ,  C07C49/423

CPC分类号： C07C305/26 ,  C07C305/22 ,  C07C50/38 ,  C12P29/00

摘要： The present invention relates to Saintopin derivatives represented by the following formula (I): ##STR1## wherein R.sup.1 is hydrogen and R.sup.2 is SO.sub.2 OH (UCE 1022), or R.sup.1 is acetyl and R.sup.2 is H (Saintopin E), which are useful as antibacterial and anti-tumor agents.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP93 / 01680 Sec。 371日期：1994年7月21日 102（e）日期1994年7月21日PCT 1993年11月17日PCT公布。 公开号WO94 / 12458 日本6月9日，1994年。本发明涉及由下式（I）表示的Saintopin衍生物：其中R1是氢，R2是SO2OH（UCE1022），或R1是乙酰基，R2是H （Saintopin E），其可用作抗细菌剂和抗肿瘤剂。

公开(公告)号：US5972997A

公开(公告)日：1999-10-26

申请号：US930852

申请日：1997-10-03

申请人： Tamio Mizukami ,  Akira Asai ,  Katsuhiko Ando ,  Shingo Kakita ,  Akira Mihara ,  Katsunori Kita ,  Yasuhiro Suzuki ,  Tadashi Ashizawa

发明人： Tamio Mizukami ,  Akira Asai ,  Katsuhiko Ando ,  Shingo Kakita ,  Akira Mihara ,  Katsunori Kita ,  Yasuhiro Suzuki ,  Tadashi Ashizawa

IPC分类号： C07D307/77 ,  C07D493/04 ,  C12P17/04 ,  A01N43/08

CPC分类号： C07D307/77 ,  C07D493/04 ,  C12P17/04

摘要： The present invention relates to UCT1072 compounds represented by formula (I): wherein R.sup.1 and R.sup.2 together represent --CH(OH)CH.sub.2 O-- or --CH.sub.2 CH.sub.2 CH(OH)CH.sub.2 --.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP97 / 00282 Sec。 371日期1997年10月3日第 102（e）日期1997年10月3日PCT 1997年2月6日提交PCT公布。 第WO97 / 29099号公报 日期：1997年8月14日本发明涉及由式（I）表示的UCT1072化合物：其中R 1和R 2一起表示-CH（OH）CH 2 O-或-CH 2 CH 2 CH（OH）CH 2 - 。

公开(公告)号：US20060163073A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US10562712

申请日：2004-06-25

申请人： Nobuhiro Higashihara ,  Hideto Sakoda ,  Atsuyuki Nakagawa ,  Yoshiharu Dan ,  Katsunori Kita ,  Kouichirou Ikeuchi

发明人： Nobuhiro Higashihara ,  Hideto Sakoda ,  Atsuyuki Nakagawa ,  Yoshiharu Dan ,  Katsunori Kita ,  Kouichirou Ikeuchi

IPC分类号： C25D1/10 ,  C25D17/00

CPC分类号： H01G13/00 ,  C25D1/04 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4629

摘要： A process for producing a metal plating film, comprising providing a base element with convex curved surface, depositing a metal plating film on the base element surface and detaching the metal plating film from the base element. The base element surface on which the metal plating film is deposited is convex curved, so that the metal plating film of convex sectional configuration is formed on the base element surface. Internal stress (tensile stress) occurs within the thus formed metal plating film, so that when the metal plating film is detached from the base element and transferred on a dielectric sheet, the metal plating film is transfigured toward planarization. Therefore, on transfer recipient materials, such as the dielectric sheet, having a metal plating film transferred thereonto, deformation and damaging of such a metal plating film can be effectively prevented to thereby contribute to an improvement of production efficiency.

摘要翻译： 一种金属电镀膜的制造方法，其特征在于，具有凸部的基体元件，在所述基体材料表面上形成金属电镀膜，从所述基体元件剥离所述金属电镀膜。 沉积有金属镀膜的基底表面是凸曲的，从而在基体表面上形成凸形截面形状的金属镀膜。 内部应力（拉伸应力）发生在这样形成的金属镀膜中，使得当金属镀膜从基体元件分离并转印到电介质片上时，金属镀膜变为平坦化。 因此，可以有效地防止在其上转印有金属镀膜的转印容器材料，例如电介质片材，从而有助于提高生产效率。