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    Method for fabricating microstructure and microstructure
    1.
    发明授权
    Method for fabricating microstructure and microstructure 有权
    微结构和微结构的制作方法

    公开(公告)号：US07833430B2

    公开(公告)日：2010-11-16

    申请号：US11256959

    申请日：2005-10-25

    申请人： Xiaoyu Mi ,  Norinao Kouma ,  Osamu Tsuboi ,  Masafumi Iwaki ,  Hisao Okuda ,  Hiromitsu Soneda ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki

    发明人： Xiaoyu Mi ,  Norinao Kouma ,  Osamu Tsuboi ,  Masafumi Iwaki ,  Hisao Okuda ,  Hiromitsu Soneda ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： B81C1/00547 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G02B26/0841

    摘要： A method of making a microstructure with thin wall portions (T1-T3) includes a step of performing a first etching process to a material substrate having a laminate structure including a first conductive layer (11) and a second conductive layer (12) having a thickness of the thin wall portions (T1-T3), where the etching is performed from the side of the first conductive layer (11) thereby forming in the second conductive layer (12) pre thin wall portions (T1′-T3′) which has a pair of side surfaces apart from each other in an in-plane direction of the second conductive layer (12) and contact the first conductive layer (11). The method also includes a step of performing a second etching process from the side of the first conductive layer (11) for removing part of the first conductive layer (11) contacting the pre thin wall portions (T1′-T3′) to form the thin wall portions.

    摘要翻译： 一种制造具有薄壁部分（T1-T3）的微结构的方法包括对具有包括第一导电层（11）和第二导电层（12）的层压结构的材料基板进行第一蚀刻工艺的步骤，所述第一导电层（11）和第二导电层（12） 从第一导电层（11）侧进行蚀刻从而在第二导电层（12）中形成预薄壁部分（T1'-T3'）的薄壁部分（T1-T3）的厚度， 具有在第二导电层（12）的面内方向上彼此分开的一对侧表面，并与第一导电层（11）接触。 该方法还包括从第一导电层（11）侧进行第二蚀刻处理以去除与预薄壁部分（T1'-T3'）接触的第一导电层（11）的一部分的步骤，以形成 薄壁部分。

    Micro movable element and optical switching device
    3.
    发明授权
    Micro movable element and optical switching device 失效
    微动元件和光开关元件

    公开(公告)号：US07536068B2

    公开(公告)日：2009-05-19

    申请号：US11385657

    申请日：2006-03-22

    申请人： Hiromitsu Soneda ,  Xiaoyu Mi ,  Hisao Okuda ,  Osamu Tsuboi ,  Norinao Kouma ,  Satoshi Ueda

    发明人： Hiromitsu Soneda ,  Xiaoyu Mi ,  Hisao Okuda ,  Osamu Tsuboi ,  Norinao Kouma ,  Satoshi Ueda

    IPC分类号： G02B6/26

    CPC分类号： G02B6/357 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3556 ,  G02B6/3584 ,  Y10S359/90

    摘要： A micro movable element includes a micro movable substrate, a package base and an electroconductive connector. The micro movable substrate is provided with a micro movable unit that includes a frame, a pivotally movable portion, a torsion connector connecting the frame and the movable portion, and an actuator to generate driving force for the pivotal motion of the movable portion. The package base includes an internal interconnect structure. The electroconductive connector is provided between the micro movable substrate and the package base for electrically connecting the actuator and the internal interconnect structure to each other.

    摘要翻译： 微型可移动元件包括微型可移动基板，封装基座和导电连接器。 微型可移动基板设置有微型可动单元，其包括框架，可枢转运动部分，连接框架和可移动部分的扭转连接器以及用于产生用于可动部分的枢转运动的驱动力的致动器。 封装基座包括内部互连结构。 导电连接器设置在微移动基板和封装基座之间，用于将致动器和内部互连结构彼此电连接。

    Method for fabricating microstructure and microstructure
    4.
    发明申请
    Method for fabricating microstructure and microstructure 有权
    微结构和微结构的制作方法

    公开(公告)号：US20060057761A1

    公开(公告)日：2006-03-16

    申请号：US11256959

    申请日：2005-10-25

    申请人： Xiaoyu Mi ,  Norinao Kouma ,  Osamu Tsuboi ,  Masafumi Iwaki ,  Hisao Okuda ,  Hiromitsu Soneda ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki

    发明人： Xiaoyu Mi ,  Norinao Kouma ,  Osamu Tsuboi ,  Masafumi Iwaki ,  Hisao Okuda ,  Hiromitsu Soneda ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B81C1/00547 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G02B26/0841

    摘要： A method of making a microstructure with thin wall portions (T1-T3) includes a step of performing a first etching process to a material substrate having a laminate structure including a first conductive layer (11) and a second conductive layer (12) having a thickness of the thin wall portions (T1-T3), where the etching is performed from the side of the first conductive layer (11) thereby forming in the second conductive layer (12) pre thin wall portions (T1′-T3′) which has a pair of side surfaces apart from each other in an in-plane direction of the second conductive layer (12) and contact the first conductive layer (11). The method also includes a step of performing a second etching process from the side of the first conductive layer (11) for removing part of the first conductive layer (11) contacting the pre thin wall portions (T1′-T3′) to form the thin wall portions.

    摘要翻译： 制造具有薄壁部分（T 1 -T 3）的微结构的方法包括对具有包括第一导电层（11）和第二导电层（12）的层压结构的材料基板进行第一蚀刻工艺的步骤， 具有薄壁部分（T 1 -T 3）的厚度，其中从第一导电层（11）的侧面进行蚀刻，从而在第二导电层（12）中形成预薄壁部分（T 1' -T 3'），其在第二导电层（12）的面内方向上具有彼此分离的一对侧表面，并与第一导电层（11）接触。 该方法还包括从第一导电层（11）侧进行第二蚀刻处理以去除与预薄壁部分（T 1'-T 3'）接触的第一导电层（11）的一部分的步骤 形成薄壁部分。

    Micro-oscillation element having two rotational axes that are non-orthogonal to each other
    6.
    发明授权
    Micro-oscillation element having two rotational axes that are non-orthogonal to each other 失效
    微振动元件具有彼此不正交的两个旋转轴

    公开(公告)号：US07161274B2

    公开(公告)日：2007-01-09

    申请号：US10790762

    申请日：2004-03-03

    申请人： Osamu Tsuboi ,  Norinao Kouma ,  Hisao Okuda ,  Hiromitsu Soneda ,  Mi Xiaoyu ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki ,  Yoshitaka Nakamura

    发明人： Osamu Tsuboi ,  Norinao Kouma ,  Hisao Okuda ,  Hiromitsu Soneda ,  Mi Xiaoyu ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki ,  Yoshitaka Nakamura

    IPC分类号： H02N1/00 ,  G02B26/08

    CPC分类号： H02N1/008

    摘要： A micro-oscillation element includes a movable main section, a first frame and a second frame, and a first connecting section that connects the movable main section and the first frame and defines a first axis of rotation for a first rotational operation of the movable main section with respect to the first frame. The element further includes a second connecting section that connects the first frame and the second frame and defines a second axis of rotation for a second rotational operation of the first frame and the movable main section with respect to the second frame. A first drive mechanism is provided for generating a driving force for the first rotational operation. A second drive mechanism is provided for generating a driving force for the second rotational operation. The first axis of rotation and the second axis of rotation are not orthogonal.

    摘要翻译： 微振荡元件包括可移动主体部分，第一框架和第二框架，以及第一连接部分，其连接可移动主体部分和第一框架，并且限定第一旋转轴线用于可移动主体的第一旋转操作 相对于第一帧的截面。 元件还包括第二连接部分，其连接第一框架和第二框架并且限定第二旋转轴线用于第一框架和可移动主体部分相对于第二框架的第二旋转操作。 第一驱动机构被提供用于产生用于第一旋转操作的驱动力。 提供第二驱动机构用于产生用于第二旋转操作的驱动力。 第一旋转轴线和第二旋转轴线不正交。

    Micro-actuation element provided with torsion bars
    9.
    发明申请
    Micro-actuation element provided with torsion bars 有权
    配有扭杆的微动元件

    公开(公告)号：US20050200986A1

    公开(公告)日：2005-09-15

    申请号：US11101519

    申请日：2005-04-08

    申请人： Osamu Tsuboi ,  Yoshihiro Mizuno ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki ,  Hisao Okuda ,  Fumio Yamagishi ,  Hiromitsu Soneda ,  Norinao Kouma

    发明人： Osamu Tsuboi ,  Yoshihiro Mizuno ,  Satoshi Ueda ,  Ippei Sawaki ,  Hisao Okuda ,  Fumio Yamagishi ,  Hiromitsu Soneda ,  Norinao Kouma

    IPC分类号： G02B26/08 ,  H02N1/00

    CPC分类号： G02B26/0841 ,  G02B26/085 ,  H02N1/008

    摘要： The micro-actuation element (X1) includes a movable unit (111), a frame (112) and a coupler (113) for connecting these, where the unit, the frame and the coupler are integrally formed in a material substrate having a multi-layer structure that consists of electroconductive layers (110a-110c), such as a core conduction layer (110b), and insulation layers (110d, 110e) intervening between the electroconductive layers (110a-110c). The movable unit (111) includes a first structure originating in the core conduction layer (110b). The frame (112) includes a second structure originating in the core conduction layer (110b). The coupler (113) includes a plurality of electrically separated torsion bars (113a, 113b) that originate in the core conduction layer (110b) and are connected continuously to the first structure and the second structure.

    摘要翻译： 微致动元件（X 1）包括可移动单元（111），框架（112）和用于连接它们的耦合器（113），其中单元，框架和耦合器一体形成在具有 由导电层（110a-110c），例如芯导电层（110b）和介于导电层（110a-110c）之间的绝缘层（110d，110e））组成的多层结构， 。 可移动单元（111）包括源于芯导电层（110b）的第一结构。 框架（112）包括源于芯导电层（110b）的第二结构。 耦合器（113）包括多个电分离的扭力杆（113a，113b），其产生在芯导电层（110b）中并连续地连接到第一结构和第二结构。