公开(公告)号：US6124210A

公开(公告)日：2000-09-26

申请号：US317163

申请日：1999-05-24

申请人： Hiroshi Chino ,  Setsu Suzuki ,  Hideya Matsumoto ,  Shoji Ohgawara

发明人： Hiroshi Chino ,  Setsu Suzuki ,  Hideya Matsumoto ,  Shoji Ohgawara

IPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/322 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02046 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31612 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： The present invention relates to a method of cleaning a surface of a substrate employed prior to film formation by using the CVD method which uses a reaction gas containing an ozone containing gas which contains ozone (O.sub.3) in oxygen (O.sub.2) and tetraethylorthosilicate (TEOS). The substrate surface cleaning method comprises the steps of oxidizing particles 13 by contacting a pre-process gas containing ozone 15 to a surface 12 of a substrate 11 on which the particles 13 are present, and removing the particles 13 by heating the substrate 11 to exceed a decomposition point of oxide 13a of the particles 13.

摘要翻译： 本发明涉及一种清洗在成膜前使用的基板的表面的方法，该方法是使用含有含氧气（O 2）中的臭氧（O 3）和原硅酸四乙酯（TEOS）的含臭氧气体的反应气体的CVD法， 。 基板表面清洁方法包括以下步骤：通过将含臭氧15的预处理气体与其上存在颗粒13的基板11的表面12接触来氧化颗粒13，并通过加热基板11去除颗粒13以超过 颗粒13的氧化物13a的分解点。