公开(公告)号：US20100227457A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12659262

申请日：2010-03-02

申请人： Hyeonggeun An ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im ,  Jinil Lee

发明人： Hyeonggeun An ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im ,  Jinil Lee

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a phase change material layer and a method of fabricating a phase change memory device, the method of forming a phase change material layer including forming an amorphous germanium layer by supplying a germanium containing first source into a reaction chamber; cutting off supplying the first source after forming the amorphous germanium layer; and forming amorphous Ge1-xTex (0

摘要翻译： 形成相变材料层的方法和制造相变存储器件的方法，通过将含锗的第一源供应到反应室中形成包括形成非晶锗层的相变材料层的方法; 在形成无定形锗层之后切断供应第一源; 以及形成非晶Ge1-xTex（0

公开(公告)号：US20100129995A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12625816

申请日：2009-11-25

申请人： Dong-Hyun Im ,  Hyeonggeun An ,  Sunglae Cho ,  Ik Soo Kim

发明人： Dong-Hyun Im ,  Hyeonggeun An ,  Sunglae Cho ,  Ik Soo Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a variable resistance memory device includes forming an opening in an insulating layer, and forming a variable resistance layer by filling the opening with an antimony rich antimony-tellurium compound.

摘要翻译： 一种形成可变电阻存储器件的方法包括在绝缘层中形成开口，并通过用富锑锑 - 碲化合物填充开口形成可变电阻层。

公开(公告)号：US08785237B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US12625816

申请日：2009-11-25

申请人： Dong-Hyun Im ,  Hyeonggeun An ,  Sunglae Choi ,  Ik Soo Kim

发明人： Dong-Hyun Im ,  Hyeonggeun An ,  Sunglae Choi ,  Ik Soo Kim

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming a variable resistance memory device includes forming an opening in an insulating layer, and forming a variable resistance layer by filling the opening with an antimony rich antimony-tellurium compound.

摘要翻译： 一种形成可变电阻存储器件的方法包括在绝缘层中形成开口，并通过用富锑锑 - 碲化合物填充开口形成可变电阻层。