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    Methods of forming phase-changeable memory devices using growth-enhancing and growth-inhibiting layers for phase-changeable materials
    4.
    发明授权
    Methods of forming phase-changeable memory devices using growth-enhancing and growth-inhibiting layers for phase-changeable materials 失效
    使用用于相变材料的生长增强和生长抑制层形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07772067B2

    公开(公告)日：2010-08-10

    申请号：US12039370

    申请日：2008-02-28

    申请人： Jinil Lee ,  Suk Ho Joo ,  Dohyung Kim ,  Hyunjun Sim ,  Hyeyoung Park ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Jinil Lee ,  Suk Ho Joo ,  Dohyung Kim ,  Hyunjun Sim ,  Hyeyoung Park ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Methods of forming phase-changeable memory devices include techniques to inhibit void formation in phase-changeable materials in order to increase device reliability. These techniques to inhibit void formation use an electrically insulating growth-inhibiting layer to guide the formation of a phase-changeable material region within a memory cell (e.g., PRAM cell). In particular, methods of forming an integrated circuit memory device include forming an interlayer insulating layer having an opening therein, on a substrate, and then lining sidewalls of the opening with a seed layer (i.e., growth-enhancing layer) that supports growth of a phase-changeable material thereon. An electrically insulating growth-inhibiting layer is then selectively formed on a portion of the interlayer insulating layer surrounding the opening. The formation of the growth-inhibiting layer is followed by a step to selectively grow a phase-changeable material region in the opening, but not on the growth-inhibiting layer.

    摘要翻译： 形成相变存储器件的方法包括抑制相变材料中的空隙形成的技术，以增加器件的可靠性。 抑制空隙形成的这些技术使用电绝缘的生长抑制层来引导存储单元（例如，PRAM单元）内的相变材料区域的形成。 特别地，形成集成电路存储器件的方法包括在衬底上形成其中具有开口的层间绝缘层，然后用支撑生长的种子层（即生长增强层）来衬套开口的侧壁 相变材料。 然后在围绕开口的层间绝缘层的一部分上选择性地形成电绝缘的生长抑制层。 生长抑制层的形成之后是选择性地生长开口中的相变材料区域，而不是在生长抑制层上生长的步骤。

    METHODS OF FORMING PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES USING GROWTH-ENHANCING AND GROWTH-INHIBITING LAYERS FOR PHASE-CHANGEABLE MATERIALS
    5.
    发明申请
    METHODS OF FORMING PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES USING GROWTH-ENHANCING AND GROWTH-INHIBITING LAYERS FOR PHASE-CHANGEABLE MATERIALS 失效
    使用生长增强和生长抑制层形成可更换材料的相变可变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20090130797A1

    公开(公告)日：2009-05-21

    申请号：US12039370

    申请日：2008-02-28

    申请人： Jinil Lee ,  Suk Ho Joo ,  Dohyung Kim ,  Hyunjun Sim ,  Hyeyoung Park ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Jinil Lee ,  Suk Ho Joo ,  Dohyung Kim ,  Hyunjun Sim ,  Hyeyoung Park ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Methods of forming phase-changeable memory devices include techniques to inhibit void formation in phase-changeable materials in order to increase device reliability. These techniques to inhibit void formation use an electrically insulating growth-inhibiting layer to guide the formation of a phase-changeable material region within a memory cell (e.g., PRAM cell). In particular, methods of forming an integrated circuit memory device include forming an interlayer insulating layer having an opening therein, on a substrate, and then lining sidewalls of the opening with a seed layer (i.e., growth-enhancing layer) that supports growth of a phase-changeable material thereon. An electrically insulating growth-inhibiting layer is then selectively formed on a portion of the interlayer insulating layer surrounding the opening. The formation of the growth-inhibiting layer is followed by a step to selectively grow a phase-changeable material region in the opening, but not on the growth-inhibiting layer.

    摘要翻译： 形成相变存储器件的方法包括抑制相变材料中的空隙形成的技术，以增加器件的可靠性。 抑制空隙形成的这些技术使用电绝缘的生长抑制层来引导存储单元（例如，PRAM单元）内的相变材料区域的形成。 特别地，形成集成电路存储器件的方法包括在衬底上形成其中具有开口的层间绝缘层，然后用支撑生长的种子层（即生长增强层）来衬套开口的侧壁 相变材料。 然后在围绕开口的层间绝缘层的一部分上选择性地形成电绝缘的生长抑制层。 生长抑制层的形成之后是选择性地生长开口中的相变材料区域，而不是在生长抑制层上生长的步骤。

    Semiconductor device and method of manufacturing the same
    8.
    发明授权
    Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08703573B2

    公开(公告)日：2014-04-22

    申请号：US13422487

    申请日：2012-03-16

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of manufacturing the semiconductor device includes sequentially forming first to third mold layer patterns on a substrate and spaced apart from each other, forming a first semiconductor pattern between the first mold layer pattern and the second mold layer pattern, and a second semiconductor pattern between the second mold layer pattern and the third mold layer pattern, forming a first trench between the first mold layer pattern and the third mold layer pattern by removing a portion of the second mold layer pattern and portions of the first and second semiconductor patterns, depositing a material for a lower electrode conformally along side and bottom surfaces of the first trench, and forming first and second lower electrodes separated from each other on the first and second semiconductor patterns, respectively, by removing a portion of the material for a lower electrode positioned on the second mold layer pattern.

    摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在基片上依次形成第一至第三模层图案并彼此分开，在第一模层图案和第二模层图案之间形成第一半导体图案，以及第二半导体图案， 第二模层图案和第三模层图案，通过去除第二模层图案的一部分和第一和第二半导体图案的部分，在第一模层图案和第三模层图案之间形成第一沟槽， 用于下电极的材料沿着第一沟槽的侧表面和底表面共形地形成，并且通过移除位于第一和第二半导体图案上的下电极的材料的一部分，分别形成在第一和第二半导体图案上彼此分离的第一和第二下电极 第二模层图案。