公开(公告)号：US20160293618A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：US15015116

申请日：2016-02-03

申请人： Hyun NAMKOONG ,  Dong-Kyum KIM ,  Jung-Hwan KIM ,  Jung Geun JEE ,  Han-Vit YANG ,  Ji-Man YOO

发明人： Hyun NAMKOONG ,  Dong-Kyum KIM ,  Jung-Hwan KIM ,  Jung Geun JEE ,  Han-Vit YANG ,  Ji-Man YOO

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/42328 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7926

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a tunnel insulation pattern on the substrate, a charge storage pattern on the tunnel insulation pattern, a dielectric pattern having a width smaller than a width of the charge storage pattern on the charge storage pattern, a control gate having a width greater than the width of the dielectric pattern on the dielectric pattern, and a metal-containing gate on the control gate.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，衬底上的隧道绝缘图案，隧道绝缘图案上的电荷存储图案，具有小于电荷存储图案上的电荷存储图案的宽度的电介质图案，具有 大于电介质图案上的电介质图案的宽度的宽度，以及控制栅上的含金属栅极。

公开(公告)号：US20170278936A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：US15604646

申请日：2017-05-24

申请人： Hyun NAMKOONG ,  Dong-Kyum KIM ,  Jung-Hwan KIM ,  Jung Geun JEE ,  Han-Vit YANG ,  Ji-Man YOO

发明人： Hyun NAMKOONG ,  Dong-Kyum KIM ,  Jung-Hwan KIM ,  Jung Geun JEE ,  Han-Vit YANG ,  Ji-Man YOO

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L27/11519 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/28 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42328 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7926

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a tunnel insulation pattern on the substrate, a charge storage pattern on the tunnel insulation pattern, a dielectric pattern having a width smaller than a width of the charge storage pattern on the charge storage pattern, a control gate having a width greater than the width of the dielectric pattern on the dielectric pattern, and a metal-containing gate on the control gate.