公开(公告)号：US20100091600A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12635785

申请日：2009-12-11

申请人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Jeong-Don Lim ,  Kwang-Il Park ,  Ho-Young Song ,  Woo-Jin Lee

发明人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Jeong-Don Lim ,  Kwang-Il Park ,  Ho-Young Song ,  Woo-Jin Lee

IPC分类号： G11C8/00 ,  G11C8/18

CPC分类号： G06F12/02 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/109

摘要： Provided are a circuit and method for sampling a valid command using a valid address window extended for a high-speed operation in a double pumped address scheme memory device. A method for extending the valid address window includes: inputting a valid command signal and a first address signal at the first cycle of a clock signal; inputting a second address signal at the second cycle of the clock signal; generating a decoded command signal and extended first and second internal address signals respectively in response to the command signal and the address signals; and latching and decoding the extended first and second internal address signals in response to the decoded command signal.

摘要翻译： 提供了一种用于在双抽取地址方案存储器件中使用扩展用于高速操作的有效地址窗口来对有效命令进行采样的电路和方法。 扩展有效地址窗口的方法包括：在时钟信号的第一周期输入有效的命令信号和第一地址信号; 在时钟信号的第二周期输入第二地址信号; 响应于命令信号和地址信号分别产生解码的命令信号和扩展的第一和第二内部地址信号; 以及响应于解码的命令信号来锁存和解码扩展的第一和第二内部地址信号。

公开(公告)号：US07656742B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US12128464

申请日：2008-05-28

申请人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Jeong-Don Lim ,  Kwang-Il Park ,  Ho-Young Song ,  Woo-Jin Lee

发明人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Jeong-Don Lim ,  Kwang-Il Park ,  Ho-Young Song ,  Woo-Jin Lee

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G06F12/02 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/109

摘要： Provided are a circuit and method for sampling a valid command using a valid address window extended for a high-speed operation in a double pumped address scheme memory device. A method for extending the valid address window includes: inputting a valid command signal and a first address signal at the first cycle of a clock signal; inputting a second address signal at the second cycle of the clock signal; generating a decoded command signal and extended first and second internal address signals respectively in response to the command signal and the address signals; and latching and decoding the extended first and second internal address signals in response to the decoded command signal.

摘要翻译： 提供了一种用于在双抽取地址方案存储器件中使用扩展用于高速操作的有效地址窗口来对有效命令进行采样的电路和方法。 扩展有效地址窗口的方法包括：在时钟信号的第一周期输入有效的命令信号和第一地址信号; 在时钟信号的第二周期输入第二地址信号; 响应于命令信号和地址信号分别产生解码的命令信号和扩展的第一和第二内部地址信号; 以及响应于解码的命令信号来锁存和解码扩展的第一和第二内部地址信号。

公开(公告)号：US07394720B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11560746

申请日：2006-11-16

申请人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Jeong-Don Lim ,  Kwang-Il Park ,  Ho-Young Song ,  Woo-Jin Lee

发明人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Jeong-Don Lim ,  Kwang-Il Park ,  Ho-Young Song ,  Woo-Jin Lee

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G06F12/02 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/109

摘要： Provided are a circuit and method for sampling a valid command using a valid address window extended for a high-speed operation in a double pumped address scheme memory device. A method for extending the valid address window includes: inputting a valid command signal and a first address signal at the first cycle of a clock signal; inputting a second address signal at the second cycle of the clock signal; generating a decoded command signal and extended first and second internal address signals respectively in response to the command signal and the address signals; and latching and decoding the extended first and second internal address signals in response to the decoded command signal.

摘要翻译： 提供了一种用于在双抽取地址方案存储器件中使用扩展用于高速操作的有效地址窗口来对有效命令进行采样的电路和方法。 扩展有效地址窗口的方法包括：在时钟信号的第一周期输入有效的命令信号和第一地址信号; 在时钟信号的第二周期输入第二地址信号; 响应于命令信号和地址信号分别产生解码的命令信号和扩展的第一和第二内部地址信号; 以及响应于解码的命令信号来锁存和解码扩展的第一和第二内部地址信号。

公开(公告)号：US20060066364A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US11225915

申请日：2005-09-13

申请人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Kwang-Il Park ,  Sang-Joon Hwang ,  Ho-Young Song ,  Ho-Kyong Lee ,  Woo-Jin Lee

发明人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Kwang-Il Park ,  Sang-Joon Hwang ,  Ho-Young Song ,  Ho-Kyong Lee ,  Woo-Jin Lee

IPC分类号： H03B1/00

CPC分类号： H03F3/45

摘要： We describe an input buffer having a stabilized operating point and an associated method. An input buffer may include a first differential amplifying unit to generate a first output signal having a first operating point and a second differential amplifying unit to generate a second output signal having a second operating point. An output control circuit varies respective weights of the first and second output signals responsive to an output control signal. The first differential amplifying unit may operate responsive to a reference voltage and an input voltage signal. The second differential amplifying unit may operate responsive to the reference voltage and the input voltage signal. The first operating point may be relatively higher than the second operating point.

摘要翻译： 我们描述具有稳定的工作点和相关方法的输入缓冲器。 输入缓冲器可以包括：第一差分放大单元，用于产生具有第一工作点的第一输出信号和第二差分放大单元，以产生具有第二工作点的第二输出信号。 响应于输出控制信号，输出控制电路改变第一和第二输出信号的各个权重。 第一差分放大单元可以响应于参考电压和输入电压信号而进行操作。 第二差分放大单元可以响应于参考电压和输入电压信号而工作。 第一工作点可以相对高于第二工作点。

公开(公告)号：US07463072B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11566651

申请日：2006-12-04

申请人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Kwang-Il Park ,  Woo-Jin Lee

发明人： Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang ,  Kwang-Il Park ,  Woo-Jin Lee

IPC分类号： H03B1/00

CPC分类号： H03K19/0013 ,  H03K19/018521

摘要： A circuit including a voltage boost circuit coupled to a first node and a second node, and configured to apply a boosted first node voltage to the second node; and an inverter circuit coupled to the first node, the second node, and a third node, and configured to generate a signal on the third node in response to the signals on the first node and the second node.

摘要翻译： 一种电路，包括耦合到第一节点和第二节点的升压电路，并且被配置为将升压的第一节点电压施加到所述第二节点; 以及反相器电路，其耦合到所述第一节点，所述第二节点和第三节点，并且被配置为响应于所述第一节点和所述第二节点上的信号而在所述第三节点上生成信号。

公开(公告)号：US07420387B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US11402123

申请日：2006-04-11

申请人： Woo-Jin Lee ,  Kwang-Il Park ,  Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang

发明人： Woo-Jin Lee ,  Kwang-Il Park ,  Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang

IPC分类号： H03K17/16

CPC分类号： H03K19/0005

摘要： Provided is a semiconductor device capable of controlling an on-die-termination (ODT) circuit and an off-chip-driver (OCD) circuit and a control method used by the semiconductor device. The semiconductor device includes a control code generation unit generating a control code in response to a control signal, an addition unit adding an adjustment code to the control code to produce an adjusted control code, and an ODT circuit, wherein an impedance of the ODT circuit is adjusted in response to the adjusted control code. The semiconductor device can adjust the control code more precisely by adding or subtracting the adjustment code to or from the control code. Accordingly, the impedance of an OCD circuit or ODT circuit can be adjusted more precisely.

摘要翻译： 提供了能够控制芯片上终端（ODT）电路和芯片外驱动器（OCD）电路的半导体器件以及由半导体器件使用的控制方法。 半导体器件包括响应于控制信号产生控制代码的控制代码生成单元，向控制代码添加调整代码以产生调整后的控制代码的加法单元和ODT电路，其中ODT电路的阻抗 根据调整后的控制代码进行调整。 半导体器件可以通过向或从控制代码添加或减去调整代码来更精确地调整控制代码。 因此，可以更精确地调整OCD电路或ODT电路的阻抗。

公开(公告)号：US20060226868A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11402123

申请日：2006-04-11

申请人： Woo-Jin Lee ,  Kwang-Il Park ,  Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang

发明人： Woo-Jin Lee ,  Kwang-Il Park ,  Hyun-Jin Kim ,  Seong-Jin Jang

IPC分类号： H03K19/003

CPC分类号： H03K19/0005

摘要： Provided is a semiconductor device capable of controlling an on-die-termination (ODT) circuit and an off-chip-driver (OCD) circuit and a control method used by the semiconductor device. The semiconductor device includes a control code generation unit generating a control code in response to a control signal, an addition unit adding an adjustment code to the control code to produce an adjusted control code, and an ODT circuit, wherein an impedance of the ODT circuit is adjusted in response to the adjusted control code. The semiconductor device can adjust the control code more precisely by adding or subtracting the adjustment code to or from the control code. Accordingly, the impedance of an OCD circuit or ODT circuit can be adjusted more precisely.

摘要翻译： 提供了能够控制芯片上终端（ODT）电路和芯片外驱动器（OCD）电路的半导体器件以及由半导体器件使用的控制方法。 半导体器件包括响应于控制信号产生控制代码的控制代码生成单元，向控制代码添加调整代码以产生调整后的控制代码的加法单元和ODT电路，其中ODT电路的阻抗 根据调整后的控制代码进行调整。 半导体器件可以通过向或从控制代码添加或减去调整代码来更精确地调整控制代码。 因此，可以更精确地调整OCD电路或ODT电路的阻抗。

公开(公告)号：US07814359B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11612800

申请日：2006-12-19

申请人： Seung-Jun Bae ,  Seong-Jin Jang ,  Kwang-Il Park ,  Sang-Woong Shin ,  Ho-Young Song

发明人： Seung-Jun Bae ,  Seong-Jin Jang ,  Kwang-Il Park ,  Sang-Woong Shin ,  Ho-Young Song

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1093 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4096

摘要： A high-speed double or quadrature data rate interface semiconductor device and a method thereof are provided. A transmitter (e.g., a data transmitting semiconductor device) for high-speed data transmission transmits a first strobe signal and a second strobe signal, which have a phase difference of 90 degrees there-between, a first group (byte of) data, and a second group (byte of) data. The transmitter adjusts the phase of at least one of the first and second strobe signals based on phase-error information fed back from a receiver and then transmits the phase-adjusted strobe signal to the receiver. The receiver receives the first and second strobe signals from the transmitter and receives the first group (byte of) data and the second group (byte of) data using the first and second strobe signals. The receiver does not require a phase-locked loop (PLL) or a delay-locked loop (DLL), thereby decreasing the circuit area and power consumption of the receiver. In addition, since source synchronization is realized using a strobe signal, phase noise can be efficiently removed.

摘要翻译： 提供了一种高速双倍或正交数据速率接口半导体器件及其方法。 用于高速数据传输的发射机（例如，数据传输半导体器件）发射第一选通信号和第二选通信号，第一选通信号和第二选通信号之间具有90度的相位差，第一组（字节）数据和 第二组（字节）数据。 发射机基于从接收机反馈的相位误差信息来调节第一和第二选通信号中的至少一个的相位，然后将相位调整的选通信号发送到接收机。 接收机从发送器接收第一和第二选通信号，并使用第一和第二选通信号接收数据的第一组（字节）和第二组（字节）数据。 接收机不需要锁相环（PLL）或延迟锁定环（DLL），从而减少接收机的电路面积和功耗。 此外，由于使用选通信号实现源同步，因此可以有效地去除相位噪声。

公开(公告)号：US20060062286A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11128795

申请日：2005-05-13

申请人： Kwang-Il Park ,  Seong-Jin Jang ,  Ho-Young Song

发明人： Kwang-Il Park ,  Seong-Jin Jang ,  Ho-Young Song

IPC分类号： H04B1/38

CPC分类号： G11C7/1072 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50012 ,  G11C2207/2254

摘要： For data training in a memory device, a selecting unit selects a subset of data bit patterns received from a controlling device. In addition, a storing unit comprised of memory cells of the memory device stores the selected subset of data bit patterns. Such stored data bit patterns are then sent back to the controlling device that determines the level of data skew. Such data training more accurately reflects the actual paths and environments of the transmitted data bits.

摘要翻译： 对于存储器件中的数据训练，选择单元选择从控制装置接收的数据位模式的子集。 此外，由存储器件的存储器单元组成的存储单元存储所选择的数据位模式子集。 然后将这种存储的数据位模式发送回确定数据偏移水平的控制设备。 这种数据训练更准确地反映了传输数据位的实际路径和环境。

公开(公告)号：US08004911B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12662720

申请日：2010-04-29

申请人： Kwang-Il Park ,  Seong-Jin Jang ,  Ho-Young Song

发明人： Kwang-Il Park ,  Seong-Jin Jang ,  Ho-Young Song

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C7/1051 ,  G11C7/1066 ,  G11C2207/2254

摘要： An output data strobe signal generating method and a memory system that includes a plurality of semiconductor memory devices, and a memory controller for controlling the semiconductor memory devices, wherein the memory controller provides a command signal and a chip selecting signal to the semiconductor memory devices. One or more of the semiconductor memory devices may detect a read command and a dummy read command in response to the command signal and the chip selecting signal and generate one or more preamble signals based on a calculated preamble cycle number.

摘要翻译： 输出数据选通信号产生方法和包括多个半导体存储器件的存储器系统以及用于控制半导体存储器件的存储器控​​制器，其中存储器控制器向半导体存储器件提供命令信号和片选信号。 一个或多个半导体存储器件可以响应于命令信号和芯片选择信号来检测读取命令和伪读取命令，并且基于所计算的前导码周期数生成一个或多个前导信号。