公开(公告)号：US20120007045A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12911560

申请日：2010-10-25

申请人： JIN-DONG SONG ,  Sang Hoon Shin ,  Hyung-jun Kim ,  Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joonyeon Chang

发明人： JIN-DONG SONG ,  Sang Hoon Shin ,  Hyung-jun Kim ,  Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joonyeon Chang

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7783 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/122

摘要： Disclosed herein are a method of generating a two-dimensional hole gas (2DHG) using a type-2 quantum well formed using semiconductors with different electron affinities or band gap, and a high-speed p-type semiconductor device using the 2DHG. To this end, the method includes providing a semiconductor substrate; growing a first semiconductor layer on the semiconductor substrate, growing a second semiconductor layer with a different electron affinity or band gap from the first semiconductor layer on the first semiconductor layer, and growing a third semiconductor layer with a different electron affinity or band gap from the second semiconductor layer, thereby forming a type-2 quantum well; and forming a p-type doping layer in the vicinity of the type-2 quantum well, thereby generating the 2DHG.

摘要翻译： 本文公开了使用具有不同电子亲和性或带隙的半导体形成的2型量子阱和使用该2DHG的高速p型半导体器件来生成二维空穴气体（2DHG）的方法。 为此，该方法包括提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上生长第一半导体层，在所述第一半导体层上生长具有与所述第一半导体层不同的电子亲和性或带隙的第二半导体层，以及生长具有与所述第一半导体层不同的电子亲和性或带隙的第三半导体层 第二半导体层，从而形成2型量子阱; 并在2型量子阱附近形成p型掺杂层，从而生成2DHG。

公开(公告)号：US08586964B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12911560

申请日：2010-10-25

申请人： Jin-Dong Song ,  Sang Hoon Shin ,  Hyung-jun Kim ,  Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joonyeon Chang

发明人： Jin-Dong Song ,  Sang Hoon Shin ,  Hyung-jun Kim ,  Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joonyeon Chang

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/7783 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/122

摘要： Disclosed herein are a method of generating a two-dimensional hole gas (2DHG) using a type-2 quantum well formed using semiconductors with different electron affinities or band gap, and a high-speed p-type semiconductor device using the 2DHG. To this end, the method includes providing a semiconductor substrate; growing a first semiconductor layer on the semiconductor substrate, growing a second semiconductor layer with a different electron affinity or band gap from the first semiconductor layer on the first semiconductor layer, and growing a third semiconductor layer with a different electron affinity or band gap from the second semiconductor layer, thereby forming a type-2 quantum well; and forming a p-type doping layer in the vicinity of the type-2 quantum well, thereby generating the 2DHG.

摘要翻译： 本文公开了使用具有不同电子亲和性或带隙的半导体形成的2型量子阱和使用该2DHG的高速p型半导体器件来生成二维空穴气体（2DHG）的方法。 为此，该方法包括提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上生长第一半导体层，在所述第一半导体层上生长具有与所述第一半导体层不同的电子亲和性或带隙的第二半导体层，以及生长具有与所述第一半导体层不同的电子亲和性或带隙的第三半导体层 第二半导体层，从而形成2型量子阱; 并在2型量子阱附近形成p型掺杂层，从而生成2DHG。

公开(公告)号：US07687379B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11966580

申请日：2007-12-28

申请人： Jin-Dong Song ,  Ju-Young Lim ,  Joonyeon Chang ,  Won Jun Choi

发明人： Jin-Dong Song ,  Ju-Young Lim ,  Joonyeon Chang ,  Won Jun Choi

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/00 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/205

摘要： Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device whereby InAs(1-x)Sbx semiconductor layer is formed on an easily available and economical semiconductor substrate such as a GaAs substrate or a Si substrate. According to the method, a quantum dot layer is formed between a semiconductor substrate and a semiconductor layer to reduce defects caused by lattice mismatch between the semiconductor layer and the semiconductor layer. The method may improve the growth speed of the semiconductor layer. In addition, because the InSb layer provided by the present invention has an electron mobility greater at room temperature, it may improve the quality and productivity of the semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，其中InAs（1-x）Sbx半导体层形成在易于获得且经济的半导体衬底例如GaAs衬底或Si衬底上。 根据该方法，在半导体衬底和半导体层之间形成量子点层，以减少由半导体层和半导体层之间的晶格失配引起的缺陷。 该方法可以提高半导体层的生长速度。 此外，由于本发明提供的InSb层在室温下的电子迁移率更大，所以可以提高半导体器件的质量和生产率。

公开(公告)号：US20090101888A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11966580

申请日：2007-12-28

申请人： Jin-Dong Song ,  Ju-Young Lim ,  Joonyeon Chang ,  Won Jun Choi

发明人： Jin-Dong Song ,  Ju-Young Lim ,  Joonyeon Chang ,  Won Jun Choi

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/205

摘要： Disclosed is a method of manufacturing a semiconductor device whereby InAs(1-x)Sbx semiconductor layer is formed on an easily available and economical semiconductor substrate such as a GaAs substrate or a Si substrate. According to the method, a quantum dot layer is formed between a semiconductor substrate and a semiconductor layer to reduce defects caused by lattice mismatch between the semiconductor layer and the semiconductor layer. The method may improve the growth speed of the semiconductor layer. In addition, because the InSb layer provided by the present invention has an electron mobility greater at room temperature, it may improve the quality and productivity of the semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，其中InAs（1-x）Sbx半导体层形成在易于获得且经济的半导体衬底例如GaAs衬底或Si衬底上。 根据该方法，在半导体衬底和半导体层之间形成量子点层，以减少由半导体层和半导体层之间的晶格失配引起的缺陷。 该方法可以提高半导体层的生长速度。 此外，由于本发明提供的InSb层在室温下的电子迁移率更大，所以可以提高半导体器件的质量和生产率。