公开(公告)号：US20140145314A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US13816164

申请日：2012-12-18

申请人： JING Wang ,  Renrong Liang ,  Lei Guo ,  Jun Xu

发明人： JING Wang ,  Renrong Liang ,  Lei Guo ,  Jun Xu

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor structure with beryllium oxide is provided. The semiconductor structure comprises: a semiconductor substrate (100); and a plurality of insulation oxide layers (201, 202 . . . 20x) and a plurality of single crystal semiconductor layers (301, 302 . . . 30x) alternately stacked on the semiconductor substrate (100). A material of the insulation oxide layer (201) contacted with the semiconductor substrate (100) is any one of beryllium oxide, SiO2, SiOxNy and a combination thereof, a material of other insulation oxide layers (202 . . . 20x) is single crystal beryllium oxide.

摘要翻译： 提供了具有氧化铍的半导体结构。 半导体结构包括：半导体衬底（100）; 以及交替层叠在半导体基板（100）上的多个绝缘氧化物层（201,202,20.0x）和多个单晶半导体层（301,302,30 ...）。 与半导体衬底（100）接触的绝缘氧化物层（201）的材料是氧化铍，SiO 2，SiO x N y及其组合中的任一种，其它绝缘氧化物层（202.20x）的材料是单晶 氧化铍。