公开(公告)号：US20080159013A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11978578

申请日：2007-10-30

申请人： Jae-woong HYUN ,  Kyoung-lae CHO ,  Kyu-charn PARK ,  Yoon-dong PARK ,  Choong-ho LEE ,  Sung-jae BYUN

发明人： Jae-woong HYUN ,  Kyoung-lae CHO ,  Kyu-charn PARK ,  Yoon-dong PARK ,  Choong-ho LEE ,  Sung-jae BYUN

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/5642

摘要： Provided in one example embodiment, a method of programming n bits of data to a semiconductor memory device may include outputting a first bit of data written in a memory cell from a first latch, storing the first bit of the data to a third latch, storing a second bit of the data to the first latch, outputting the second bit of the data from the first latch, storing the second bit of the data to the second latch, and writing the second bit of the data stored in the second latch to the memory cell with reference to a data storage state of the first bit of the data stored in the third latch.

摘要翻译： 在一个示例性实施例中提供了一种将半位数据数据编程到半导体存储器件的方法可以包括从第一锁存器输出写入存储器单元中的第一位数据，将第一位数据存储到第三锁存器，存储 将数据的第二位输出到第一锁存器，从第一锁存器输出数据的第二位，将数据的第二位存储到第二锁存器，以及将存储在第二锁存器中的数据的第二位写入到 参考存储在第三锁存器中的数据的第一位的数据存储状态的存储器单元。

公开(公告)号：US20080061371A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11930265

申请日：2007-10-31

申请人： Hee-soo KANG ,  Dong-gun PARK ,  Choong-ho LEE ,  Hye-Jin CHO ,  Young-Joon AHN

发明人： Hee-soo KANG ,  Dong-gun PARK ,  Choong-ho LEE ,  Hye-Jin CHO ,  Young-Joon AHN

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66795 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one aspect, a semiconductor substrate is provided having a cell area and a peripheral circuit area, and a mask layer is formed over the cell area and the peripheral circuit area of the semiconductor substrate. A FinFET gate is fabricated by forming a first opening in the mask layer to expose a first gate region in the cell area of the semiconductor substrate, and then forming a FinFET gate electrode in the first opening using a damascene process. A MOSFET gate fabricated by forming a second opening in the mask layer to expose a second gate region in the peripheral circuit area of the semiconductor substrate, and then forming a MOSFET gate electrode in the second opening using a damascene process.

摘要翻译： 一方面，提供具有单元区域和外围电路区域的半导体基板，并且在半导体基板的单元区域和外围电路区域上形成掩模层。 通过在掩模层中形成第一开口以暴露半导体衬底的单元区域中的第一栅极区域，然后使用镶嵌工艺在第一开口中形成FinFET栅电极来制造FinFET栅极。 通过在掩模层中形成第二开口以暴露半导体衬底的外围电路区域中的第二栅极区域，然后使用镶嵌工艺在第二开口中形成MOSFET栅电极来制造MOSFET栅极。