公开(公告)号：US07829150B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11155453

申请日：2005-06-17

申请人： James R. Engstrom ,  Aravind S. Killampalli ,  Paul F. Ma

发明人： James R. Engstrom ,  Aravind S. Killampalli ,  Paul F. Ma

IPC分类号： B05D1/36 ,  B05D7/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02172 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/31604 ,  H01L51/56

摘要： Systems and methods for preparing inorganic-organic interfaces using organo-transition metal complexes and self-assembled monolayers as organic surfaces. In one embodiment, a silicon wafer is cleaned and reacted with stabilized pirhana etch to provide an oxide surface. The surface is reacted with the trichlorosilyl end of alkyltrichlorosilanes to prepare self assembling monomers (SAMs). The alkyltrichlorosilanes have the general formula R1-R—SiCl3, where R1 is —OH, —NH2, —COOH, —SH, COOCH3, —CN, and R is a conjugated hydrocarbon, such as (CH2)n where n is in the range of 3 to 18. The functionalized end of the SAM can optionally modified chemically as appropriate, and is then reacted with metal-bearing species such as tetrakis(dimethylamido)titanium, Ti[N(CH3)2]4, (TDMAT) to provide a titanium nitride layer.

摘要翻译： 使用有机过渡金属络合物和自组装单层作为有机表面制备无机 - 有机界面的系统和方法。 在一个实施例中，清洁硅晶片并与稳定的pirhana蚀刻反应以提供氧化物表面。 表面与烷基三氯硅烷的三氯甲硅烷基末端反应以制备自组装单体（SAM）。 烷基三氯硅烷具有通式R 1 -R R 1 SiCl 3，其中R 1是-OH，-NH 2，-COOH，-SH，COOCH 3，-CN，R是共轭烃，如（CH 2）n，其中n是 SAM的官能化端可以任选地适当地化学修饰，然后与含金属的物质如四（二甲基氨基）钛，Ti [N（CH 3）2] 4，（TDMAT）与 提供氮化钛层。

公开(公告)号：US09224602B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13976088

申请日：2011-12-29

申请人： Aravind S. Killampalli ,  Charles H. Wallace ,  Bernhard Sell

发明人： Aravind S. Killampalli ,  Charles H. Wallace ,  Bernhard Sell

IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/263 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/2636 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

摘要： Techniques are disclosed for sub-second annealing a lithographic feature to, for example, tailor or otherwise selectively alter its profile in one, two, or three dimensions. Alternatively, or in addition to, the techniques can be used, for example, to smooth or otherwise reduce photoresist line width/edge roughness and/or to reduce defect density. In some cases, the sub-second annealing process has a time-temperature profile that can effectively change the magnitude of resist shrinkage in one or more dimensions or otherwise modify the resist in a desired way (e.g., smooth the resist). The techniques may be implemented, for example, with any type of photoresist (e.g., organic, inorganic, hybrid, molecular photoresist materials) and can be used in forming, for instance, processor microarchitectures, memory circuitry, logic arrays, and numerous other digital/analog/hybrid integrated semiconductor devices.

摘要翻译： 公开了用于将光刻特征的亚秒级退火的技术，例如，以一维，二维或三维的方式选择性地改变其轮廓。 或者，或者除了这些技术之外，可以使用技术来平滑或以其它方式减少光致抗蚀剂线宽/边缘粗糙度和/或降低缺陷密度。 在一些情况下，亚秒级退火工艺具有时间 - 温度分布，其可以有效地改变一个或多个维度中的抗蚀剂收缩的大小，或以所需的方式（例如使光刻胶光滑）修饰抗蚀剂。 这些技术可以例如使用任何类型的光致抗蚀剂（例如有机，无机，杂化，分子光刻胶材料）来实现，并且可以用于形成例如处理器微架构，存储器电路，逻辑阵列和许多其它数字 /模拟/混合集成半导体器件。

公开(公告)号：US20140117489A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13976088

申请日：2011-12-29

申请人： Aravind S. Killampalli ,  Charles H. Wallace ,  Bernhard Sell

发明人： Aravind S. Killampalli ,  Charles H. Wallace ,  Bernhard Sell

IPC分类号： H01L21/263

CPC分类号： H01L21/2636 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

摘要： Techniques are disclosed for sub-second annealing a lithographic feature to, for example, tailor or otherwise selectively alter its profile in one, two, or three dimensions. Alternatively, or in addition to, the techniques can be used, for example, to smooth or otherwise reduce photoresist line width/edge roughness and/or to reduce defect density. In some cases, the sub-second annealing process has a time-temperature profile that can effectively change the magnitude of resist shrinkage in one or more dimensions or otherwise modify the resist in a desired way (e.g., smooth the resist). The techniques may be implemented, for example, with any type of photoresist (e.g., organic, inorganic, hybrid, molecular photoresist materials) and can be used in forming, for instance, processor microarchitectures, memory circuitry, logic arrays, and numerous other digital/analog/hybrid integrated semiconductor devices.

摘要翻译： 公开了用于将光刻特征的亚秒级退火的技术，例如，在一个，两个或三个维度上定制或以其它方式选择性地改变其轮廓。 或者，或者除了这些技术之外，可以使用技术来平滑或以其它方式减少光致抗蚀剂线宽/边缘粗糙度和/或降低缺陷密度。 在一些情况下，亚秒级退火工艺具有时间 - 温度分布，其可以有效地改变一个或多个维度中的抗蚀剂收缩的大小，或以所需的方式（例如使光刻胶光滑）改性抗蚀剂。 这些技术可以例如使用任何类型的光致抗蚀剂（例如有机，无机，杂化，分子光刻胶材料）来实现，并且可以用于形成例如处理器微架构，存储器电路，逻辑阵列和许多其它数字 /模拟/混合集成半导体器件。