公开(公告)号：US20090191698A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12417151

申请日：2009-04-02

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-ob Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-bo Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-ob Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-bo Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0021

摘要： Disclosed is display part such as a TFT array panel comprising an aluminum layer, and a molybdenum layer formed on the aluminum layer. The thickness of the molybdenum layer may be about 10% to about 40% the thickness of the aluminum layer. As a result, a top surface of the aluminum layer may have a width about equal to a bottom surface of the molybdenum layer.Accordingly, it is an aspect of the present invention to provide a TFT array panel comprising an aluminum wiring on which aluminum protrusion is reduced or eliminated.

摘要翻译： 公开了诸如包括铝层的TFT阵列面板和形成在铝层上的钼层的显示部分。 钼层的厚度可以为铝层的厚度的约10％至约40％。 结果，铝层的顶表面可以具有大约等于钼层的底表面的宽度。 因此，本发明的一个方面是提供一种TFT阵列面板，其包括在其上减少或消除铝突起的铝布线。

公开(公告)号：US07928441B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12417151

申请日：2009-04-02

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-ob Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-bo Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-ob Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-bo Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0021

摘要： Disclosed is display part such as a TFT array panel comprising an aluminum layer, and a molybdenum layer formed on the aluminum layer. The thickness of the molybdenum layer may be about 10% to about 40% the thickness of the aluminum layer. As a result, a top surface of the aluminum layer may have a width about equal to a bottom surface of the molybdenum layer.Accordingly, it is an aspect of the present invention to provide a TFT array panel comprising an aluminum wiring on which aluminum protrusion is reduced or eliminated.

摘要翻译： 公开了诸如包括铝层的TFT阵列面板和形成在铝层上的钼层的显示部分。 钼层的厚度可以为铝层的厚度的约10％至约40％。 结果，铝层的顶表面可以具有大约等于钼层的底表面的宽度。 因此，本发明的一个方面是提供一种TFT阵列面板，其包括在其上减少或消除铝突起的铝布线。

公开(公告)号：US20060175706A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11316242

申请日：2005-12-21

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-ho Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-ho Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0021

摘要： Disclosed is display part such as a TFT array panel comprising an aluminum layer, and a molybdenum layer formed on the aluminum layer. The thickness of the molybdenum layer may be about 10% to about 40% the thickness of the aluminum layer. As a result, a top surface of the aluminum layer may have a width about equal to a bottom surface of the molybdenum layer. Accordingly, it is an aspect of the present invention to provide a TFT array panel comprising an aluminum wiring on which aluminum protrusion is reduced or eliminated.

摘要翻译： 公开了诸如包括铝层的TFT阵列面板和形成在铝层上的钼层的显示部分。 钼层的厚度可以为铝层的厚度的约10％至约40％。 结果，铝层的顶表面可以具有大约等于钼层的底表面的宽度。 因此，本发明的一个方面是提供一种TFT阵列面板，其包括在其上减少或消除铝突起的铝布线。

公开(公告)号：US08173492B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12509290

申请日：2009-07-24

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method of forming a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer disposed on a lower structure, a copper conductive layer comprising copper or copper alloy disposed on the barrier layer, an intermediate layer comprising copper nitride disposed on the copper conductive layer, and a capping layer disposed on the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，形成线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括设置在下部结构上的阻挡层，设置在阻挡层上的包含铜或铜合金的铜导电层，设置在铜导电层上的包含氮化铜的中间层和设置在中间层上的覆盖层 。

公开(公告)号：US07851920B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11486720

申请日：2006-07-15

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method for fabricating a TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer formed on a substrate and including copper nitride and a copper conductive layer formed on the barrier layer and including copper or a copper alloy.

摘要翻译： 提供一种线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括在基板上形成的阻挡层，其包括形成在阻挡层上并包括铜或铜合金的氮化铜和铜导电层。

公开(公告)号：US07808108B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US11502918

申请日：2006-08-11

申请人： Beom-seok Cho ,  Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae

发明人： Beom-seok Cho ,  Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L29/43

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/124

摘要： A thin film conductor having improved adhesion and superior conductivity, a method for fabricating the same, a thin film transistor (TFT) plate including the thin film conductor, and a method for fabricating the TFT plate are provided. The thin film conductor includes an adhesive layer containing an oxidation-reactive metal or silicidation-reactive metal and silver, a silver conductive layer formed on the adhesive layer, and a protection layer formed on the silver conductive layer and containing an oxidation-reactive metal and silver.

摘要翻译： 提供了具有改善的粘附性和优异导电性的薄膜导体，其制造方法，包括薄膜导体的薄膜晶体管（TFT）板以及制造TFT板的方法。 薄膜导体包括含有氧化反应性金属或硅化反应性金属和银的粘合剂层，形成在粘合剂层上的银导电层，以及形成在银导电层上并含有氧化反应性金属的保护层， 银。

公开(公告)号：US08158499B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12942910

申请日：2010-11-09

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method for fabricating a TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer formed on a substrate and including copper nitride and a copper conductive layer formed on the barrier layer and including copper or a copper alloy

摘要翻译： 提供一种线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括形成在基板上的阻挡层，其包含形成在阻挡层上的包含铜或铜合金的二氧化铜和铜导电层

公开(公告)号：US20070013077A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11474918

申请日：2006-06-24

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method of forming a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer disposed on a lower structure, a copper conductive layer comprising copper or copper alloy disposed on the barrier layer, an intermediate layer comprising copper nitride disposed on the copper conductive layer, and a capping layer disposed on the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，形成线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括设置在下部结构上的阻挡层，设置在阻挡层上的包含铜或铜合金的铜导电层，设置在铜导电层上的包含氮化铜的中间层和设置在中间层上的覆盖层 。

公开(公告)号：US07586197B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11474918

申请日：2006-06-24

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method of forming a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer disposed on a lower structure, a copper conductive layer comprising copper or copper alloy disposed on the barrier layer, an intermediate layer comprising copper nitride disposed on the copper conductive layer, and a capping layer disposed on the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，形成线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括设置在下部结构上的阻挡层，设置在阻挡层上的包含铜或铜合金的铜导电层，设置在铜导电层上的包含氮化铜的中间层和设置在中间层上的覆盖层 。

公开(公告)号：US20070040954A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11440767

申请日：2006-05-25

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method for fabricating the TFT substrate. The wire structure includes an underlying layer including a silver oxide formed on a lower structure, and a silver conductive layer including silver or a silver alloy formed on the underlying layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括在下部结构上形成的氧化银的底层和形成在下层上的银或银合金的银导电层。