公开(公告)号：US06471831B2

公开(公告)日：2002-10-29

申请号：US09757552

申请日：2001-01-09

申请人： Jean Qing Lu ,  Tom Yu ,  Linda Stenzel ,  Jeffrey Tobin

发明人： Jean Qing Lu ,  Tom Yu ,  Linda Stenzel ,  Jeffrey Tobin

IPC分类号： C23C1435

CPC分类号： H01J37/342 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3405

摘要： A PVD system comprises a hollow cathode magnetron with a downstream plasma control mechanism. The magnetron has a hollow cathode with a non-planar target and at least one electromagnetic coil to generate and maintain a plasma within the cathode. The magnetron also has an anode located between the cathode and a downstream plasma control mechanism. The control mechanism comprises a first, second and third electromagnetic coil beneath a mouth of the target, vertically spaced so as to form a tapered magnetic convergent lens between the target mouth and a pedestal of the magnetron.

摘要翻译： PVD系统包括具有下游等离子体控制机构的空心阴极磁控管。 磁控管具有具有非平面靶的中空阴极和至少一个电磁线圈，以在阴极内产生和维持等离子体。 磁控管还具有位于阴极和下游等离子体控制机构之间的阳极。 控制机构包括位于目标的嘴部下方的第一，第二和第三电磁线圈，其垂直间隔开，以便在目标嘴与磁控管的基座之间形成锥形磁会聚透镜。

公开(公告)号：US06468404B2

公开(公告)日：2002-10-22

申请号：US09768863

申请日：2001-01-23

申请人： Jean Qing Lu ,  Tom Yu ,  Jeffrey Tobin

发明人： Jean Qing Lu ,  Tom Yu ,  Jeffrey Tobin

IPC分类号： C23C1435

CPC分类号： H01J37/342 ,  C23C14/35 ,  C23C14/564 ,  H01J37/3402

摘要： A PVD system comprises a hollow cathode magnetron with a capability of producing a high magnetic field for PVD and a low magnetic field for pasting. The high magnetic field is used for PVD and causes an optimal uniform film to form on a substrate but redeposits some metals onto a top portion of a target within the magnetron. The low magnetic field erodes redeposited materials from a top portion of a target within the magnetron.

摘要翻译： PVD系统包括具有产生用于PVD的高磁场和用于粘贴的低磁场的能力的空心阴极磁控管。 高磁场用于PVD，并且在衬底上形成最佳的均匀膜，但将一些金属重新沉积到磁控管内的靶的顶部上。 低磁场从磁控管内的靶的顶部侵蚀重新沉积的材料。

公开(公告)号：US06362794B1

公开(公告)日：2002-03-26

申请号：US09910923

申请日：2001-07-24

申请人： Tom Yu

发明人： Tom Yu

IPC分类号： H01Q124

CPC分类号： H01Q1/22 ,  H01Q1/084 ,  H01Q1/2275

摘要： An antenna of the wireless LAN card includes a body with an antenna on one side, a connecting base is on one side of the external wireless LAN card, a pivot pin is on top of the connecting base; a cross pivot wraps the pivot pin. The cross pivot composes of a tube with a pintle on both sides. A ball tip is on the bottom of the antenna, a hole is inside the ball tip, a joint hole each is on both sides of the hole. The two pintles of the cross pivot are inserted into the joint hole of the ball tip of the antenna. The structure makes the direction of the antenna of the wireless LAN card adjustable for best signal transmission and receiving result.

摘要翻译： 无线LAN卡的天线包括在一侧具有天线的主体，连接基座位于外部无线LAN卡的一侧，枢轴销在连接基座的顶部; 十字架枢轴包绕枢轴销。 十字架枢轴由两侧的针筒构成。 球头位于天线的底部，球头内部有一个孔，孔的两侧各有一个接头孔。 十字轴的两个枢轴插入天线的球头的接头孔中。 该结构使得无线LAN卡的天线方向可调，以获得最佳的信号传输和接收结果。

公开(公告)号：US07645696B1

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11473618

申请日：2006-06-22

申请人： Alexander Dulkin ,  Anil Vijayendran ,  Tom Yu ,  Daniel R. Juliano

发明人： Alexander Dulkin ,  Anil Vijayendran ,  Tom Yu ,  Daniel R. Juliano

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

摘要： Methods of depositing thin seed layers that improve continuity of the seed layer as well as adhesion to the barrier layer are provided. According to various embodiments, the methods involve performing an etchback operation in the seed deposition chamber prior to depositing the seed layer. The etch step removes barrier layer overhang and/or oxide that has formed on the barrier layer. It some embodiments, a small deposition flux of seed atoms accompanies the sputter etch flux of argon ions, embedding metal atoms into the barrier layer. The embedded metal atoms create nucleation sites for subsequent seed layer deposition, thereby promoting continuous seed layer film growth, film stability and improved seed layer-barrier layer adhesion.

摘要翻译： 提供了提高种子层的连续性的薄种子层的沉积方法以及与阻挡层的粘附性。 根据各种实施例，所述方法包括在沉积种子层之前在种子沉积室中执行回蚀作业。 蚀刻步骤去除在阻挡层上形成的阻挡层突出端和/或氧化物。 在一些实施例中，种子原子的小沉积通量伴随着氩离子的溅射蚀刻通量，将金属原子嵌入阻挡层中。 嵌入的金属原子产生用于随后的种子层沉积的成核位点，从而促进连续的种子层膜生长，膜稳定性和改进的种子层 - 阻挡层粘附。