公开(公告)号：US08110787B1

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US11509480

申请日：2006-08-23

申请人： Jeong Soo Byun ,  Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

发明人： Jeong Soo Byun ,  Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14687

摘要： An image sensor having shield structures and methods of forming the same are provided. Generally, the image sensor includes: (i) substrate having at least one photosensitive element formed therein; (ii) a dielectric layer overlying the substrate and the photosensitive element; and (iii) an annular reflective waveguide disposed in the dielectric layer above the photosensitive element to reduce cross-talk between adjacent elements of the sensor while increasing sensitivity of the sensor. In certain embodiments, the sensor further includes a photoshield disposed in the dielectric above the photosensitive element and about the waveguide to further reduce the possibility of cross-talk. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 提供具有屏蔽结构的图像传感器及其形成方法。 通常，图像传感器包括：（i）具有形成在其中的至少一个感光元件的基板; （ii）覆盖所述基底和所述感光元件的电介质层; 和（iii）设置在光敏元件上方的电介质层中的环形反射波导，以减小传感器的相邻元件之间的串扰，同时增加传感器的灵敏度。 在某些实施例中，传感器还包括设置在感光元件上方的电介质中以及围绕波导的光电二极管，以进一步降低串扰的可能性。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US08168933B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US13227376

申请日：2011-09-07

申请人： Jeong Soo Byun ,  Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

发明人： Jeong Soo Byun ,  Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14687

摘要： An image sensor having shield structures and methods of forming the same are provided. Generally, the image sensor includes: (i) substrate having at least one photosensitive element formed therein; (ii) a dielectric layer overlying the substrate and the photosensitive element; and (iii) an annular reflective waveguide disposed in the dielectric layer above the photosensitive element to reduce cross-talk between adjacent elements of the sensor while increasing sensitivity of the sensor. In certain embodiments, the sensor further includes a photoshield disposed in the dielectric above the photosensitive element and about the waveguide to further reduce the possibility of cross-talk. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 提供具有屏蔽结构的图像传感器及其形成方法。 通常，图像传感器包括：（i）具有形成在其中的至少一个感光元件的基板; （ii）覆盖所述基底和所述感光元件的电介质层; 和（iii）设置在光敏元件上方的电介质层中的环形反射波导，以减小传感器的相邻元件之间的串扰，同时增加传感器的灵敏度。 在某些实施例中，传感器还包括设置在感光元件上方的电介质中以及围绕波导的光电二极管，以进一步降低串扰的可能性。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US20120003782A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13227376

申请日：2011-09-07

申请人： Jeong Soo Byun ,  Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

发明人： Jeong Soo Byun ,  Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14687

摘要： An image sensor having shield structures and methods of forming the same are provided. Generally, the image sensor includes: (i) substrate having at least one photosensitive element formed therein; (ii) a dielectric layer overlying the substrate and the photosensitive element; and (iii) an annular reflective waveguide disposed in the dielectric layer above the photosensitive element to reduce cross-talk between adjacent elements of the sensor while increasing sensitivity of the sensor. In certain embodiments, the sensor further includes a photoshield disposed in the dielectric above the photosensitive element and about the waveguide to further reduce the possibility of cross-talk. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 提供具有屏蔽结构的图像传感器及其形成方法。 通常，图像传感器包括：（i）具有形成在其中的至少一个感光元件的基板; （ii）覆盖所述基底和所述感光元件的电介质层; 和（iii）设置在光敏元件上方的电介质层中的环形反射波导，以减小传感器的相邻元件之间的串扰，同时增加传感器的灵敏度。 在某些实施例中，传感器还包括设置在感光元件上方的电介质中以及围绕波导的光电二极管，以进一步降低串扰的可能性。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US07944020B1

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11644535

申请日：2006-12-22

申请人： Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

发明人： Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636

摘要： A method and apparatus for a reverse metal-insulator-metal (MIM) capacitor. The apparatus includes a lower metal layer, a bottom electrode, and an upper metal layer. The lower metal layer is disposed above a substrate layer. The bottom electrode is disposed above the lower metal layer and coupled to the lower metal layer. The upper metal layer is disposed above the bottom electrode. The upper metal layer comprises a top electrode of a metal-insulator-metal (MIM) capacitor.

摘要翻译： 一种用于反向金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的方法和装置。 该装置包括下金属层，底电极和上金属层。 下部金属层设置在基板层的上方。 底部电极设置在下部金属层的上方并耦合到下部金属层。 上部金属层设置在底部电极的上方。 上金属层包括金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的顶部电极。

公开(公告)号：US08607424B1

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13046640

申请日：2011-03-11

申请人： Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

发明人： Vladimir Korobov ,  Oliver Pohland

IPC分类号： H01G7/00

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636

摘要： A method and apparatus for a reverse metal-insulator-metal (MIM) capacitor. The apparatus includes a lower metal layer, a bottom electrode, and an upper metal layer. The lower metal layer is disposed above a substrate layer. The bottom electrode is disposed above the lower metal layer and coupled to the lower metal layer. The upper metal layer is disposed above the bottom electrode. The upper metal layer comprises a top electrode of a metal-insulator-metal (MIM) capacitor.

摘要翻译： 一种用于反向金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的方法和装置。 该装置包括下金属层，底电极和上金属层。 下部金属层设置在基板层的上方。 底部电极设置在下部金属层的上方并耦合到下部金属层。 上部金属层设置在底部电极的上方。 上金属层包括金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的顶部电极。

公开(公告)号：US20130229119A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13664068

申请日：2012-10-30

申请人： Vladimir Korobov ,  Leonard Simon Livschitz ,  Nkolai Orlov ,  Anton Nikitin ,  Anatoly Shteynberg

发明人： Vladimir Korobov ,  Leonard Simon Livschitz ,  Nkolai Orlov ,  Anton Nikitin ,  Anatoly Shteynberg

IPC分类号： H05B37/02

CPC分类号： H05B33/0851 ,  H05B33/0818 ,  H05B33/0854 ,  Y02B20/347

摘要： Exemplary systems, methods and apparatuses for a distributed solid-state lighting system are disclosed. An exemplary system comprises a central power source, and one or more terminal lighting apparatuses. An exemplary central power source comprises: an AC/DC rectifier coupled to a DC/DC converter to convert an AC input power to a first DC voltage level; a central user interface to receive user input for a selected brightness level; and a central controller to provide a first control signal to the DC/DC converter to provide a second DC voltage level corresponding to the selected brightness level. A terminal lighting apparatus may comprise: a plurality of LEDs; a current (or power) source or regulator; and a terminal controller which, in response to the second DC voltage level, provides a second control signal to the current source or regulator to provide a selected current level of the LEDs corresponding to the selected brightness level.

摘要翻译： 公开了用于分布式固态照明系统的示例性系统，方法和装置。 示例性系统包括中央电源和一个或多个终端照明设备。 示例性的中央电源包括：耦合到DC / DC转换器以将AC输入功率转换为第一DC电压电平的AC / DC整流器; 用于接收所选亮度级别的用户输入的中央用户界面; 以及中央控制器，用于向DC / DC转换器提供第一控制信号以提供对应于所选亮度级的第二DC电压电平。 终端照明装置可以包括：多个LED; 当前（或电源）源或调节器; 以及端子控制器，其响应于所述第二DC电压电平向所述电流源或调节器提供第二控制信号，以提供对应于所选亮度级的所述LED的选定电流电平。

公开(公告)号：US07749874B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11691457

申请日：2007-03-26

申请人： Clifford I. Drowley ,  David Cohen ,  Assaf Lahav ,  Shai Kfir ,  Naor Inbar ,  Anatoly Sergienko ,  Vladimir Korobov

发明人： Clifford I. Drowley ,  David Cohen ,  Assaf Lahav ,  Shai Kfir ,  Naor Inbar ,  Anatoly Sergienko ,  Vladimir Korobov

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609

摘要： A CMOS image sensor includes a pinned photodiode and a transfer gate that are formed using a thick mask that is self-aligned to at least one edge of the polysilicon gate structure to facilitate both the formation of a deep implant and to provide proper alignment between the photodiode implant and the gate. In one embodiment a drain side implant is formed concurrently with the deep n-type implant of the photodiode. After the deep implant, the mask is removed and a shallow p+ implant is formed to complete the photodiode. In another embodiment, the polysilicon is etched to define only a drain side edge, a shallow drain side implant is performed, and then a thick mask is provided and used to complete the gate structure, and is retained during the subsequent high energy implant. Alternatively, the high energy implant is performed prior to the shallow drain side implant.

摘要翻译： CMOS图像传感器包括钉扎光电二极管和传输栅极，其使用与多晶硅栅极结构的至少一个边缘自对准的厚掩模形成，以便于形成深度注入并且在两者之间提供适当的对准 光电二极管植入和栅极。 在一个实施例中，漏极侧注入与光电二极管的深n型注入同时形成。 深入植入后，去除掩模，形成浅的p +注入以完成光电二极管。 在另一个实施例中，多晶硅被蚀刻以仅限定漏极侧边缘，执行浅漏极侧注入，然后提供厚掩模并用于完成栅极结构，并且在随后的高能量注入期间被保留。 或者，在浅排水侧植入之前执行高能量注入。

公开(公告)号：US06340620B1

公开(公告)日：2002-01-22

申请号：US09386349

申请日：1999-08-31

申请人： Vladimir Korobov ,  Miriam Grossman ,  Sylvie Rockman

发明人： Vladimir Korobov ,  Miriam Grossman ,  Sylvie Rockman

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L28/75

摘要： A process for fabricating a capacitor in a microcircuit, and the capacitor so fabricated. A first layer of a polycrystalline semiconductor, preferably polysilicon, is deposited. A layer of a binary metallic conductor, preferably tungsten silicide, is deposited on the first layer of polycrystalline semiconductor, and is annealed in an oxidizing atmosphere to produce an oxide layer that serves as the dielectric of the capacitor. A second layer of a polycrystalline semiconductor, also preferably polysilicon, is deposited on the oxide layer. The physical properties (index of refraction, charge to breakdown, breakdown voltage) of the dielectric so created are superior to those of the prior art dielectrics.

摘要翻译： 用于制造微电路中的电容器的方法，以及如此制造的电容器。 沉积多晶半导体的第一层，优选多晶硅。 一层二元金属导体，优选硅化钨，沉积在多晶半导体的第一层上，并在氧化气氛中进行退火，以产生用作电容器电介质的氧化物层。 多晶半导体（也优选多晶硅）的第二层沉积在氧化物层上。 如此制造的电介质的物理性质（折射率，击穿电荷，击穿电压）优于现有技术的电介质。

公开(公告)号：US20080237653A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11691457

申请日：2007-03-26

申请人： Clifford Ian Drowley ,  David Cohen ,  Assaf Lahav ,  Shai Kfir ,  Naor Inbar ,  Anatoly Sergienko ,  Vladimir Korobov

发明人： Clifford Ian Drowley ,  David Cohen ,  Assaf Lahav ,  Shai Kfir ,  Naor Inbar ,  Anatoly Sergienko ,  Vladimir Korobov

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/339

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14609

摘要： A CMOS image sensor includes a pinned photodiode and a transfer gate that are formed using a thick mask that is self-aligned to at least one edge of the polysilicon gate structure to facilitate both the formation of a deep implant and to provide proper alignment between the photodiode implant and the gate. In one embodiment a drain side implant is formed concurrently with the deep n-type implant of the photodiode. After the deep implant, the mask is removed and a shallow p+ implant is formed to complete the photodiode. In another embodiment, the polysilicon is etched to define only a drain side edge, a shallow drain side implant is performed, and then a thick mask is provided and used to complete the gate structure, and is retained during the subsequent high energy implant. Alternatively, the high energy implant is performed prior to the shallow drain side implant.

摘要翻译： CMOS图像传感器包括钉扎光电二极管和传输栅极，其使用与多晶硅栅极结构的至少一个边缘自对准的厚掩模形成，以便于形成深度注入并且在两者之间提供适当的对准 光电二极管植入和栅极。 在一个实施例中，漏极侧注入与光电二极管的深n型注入同时形成。 深入植入后，去除掩模，形成浅的p +注入以完成光电二极管。 在另一个实施例中，多晶硅被蚀刻以仅限定漏极侧边缘，执行浅漏极侧注入，然后提供厚掩模并用于完成栅极结构，并且在随后的高能量注入期间被保留。 或者，在浅排水侧植入之前执行高能量注入。