公开(公告)号：US20120126305A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13363936

申请日：2012-02-01

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/7843

摘要： In a method of making a semiconductor device, a gate dielectric is formed over the semiconductor body. A floating gate is formed over the gate dielectric, an insulating region over the floating gate, and a control gate over the insulating region. The gate dielectric, floating gate, insulating region, and control gate constitute a gate stack. A stress is caused in the gate stack, whereby the band gap of the gate dielectric is changed by the stress.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在半导体本体上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成浮栅，浮置栅极上的绝缘区域以及绝缘区域上的控制栅极。 栅极电介质，浮动栅极，绝缘区域和控制栅极构成栅极堆叠。 在栅极堆叠中产生应力，由此栅极电介质的带隙由于应力而变化。

公开(公告)号：US08158478B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12642472

申请日：2009-12-18

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/7843

摘要： In a method of making a semiconductor device, a gate dielectric is formed over the semiconductor body. A floating gate is formed over the gate dielectric, an insulating region over the floating gate, and a control gate over the insulating region. The gate dielectric, floating gate, insulating region, and control gate constitute a gate stack. A stress is caused in the gate stack, whereby the band gap of the gate dielectric is changed by the stress.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在半导体本体上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成浮栅，浮置栅极上的绝缘区域以及绝缘区域上的控制栅极。 栅极电介质，浮动栅极，绝缘区域和控制栅极构成栅极堆叠。 在栅极堆叠中产生应力，由此栅极电介质的带隙由于应力而变化。

公开(公告)号：US07786547B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11657825

申请日：2007-01-25

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639

摘要： A semiconductor device can be formed without use of an STI process. An insulating layer is formed over a semiconductor body. Portions of the insulating layer are removed to expose the semiconductor body, e.g., to expose bare silicon. A semiconductor material, e.g., silicon, is grown over the exposed semiconductor body. A device, such as a transistor, can then be formed in the grown semiconductor material.

摘要翻译： 可以不使用STI工艺来形成半导体器件。 在半导体本体上形成绝缘层。 绝缘层的一部分被去除以暴露半导体本体，例如露出裸硅。 半导体材料，例如硅，生长在暴露的半导体本体上。 然后可以在生长的半导体材料中形成诸如晶体管的器件。

公开(公告)号：US07678622B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11868001

申请日：2007-10-05

申请人： Jiang Yan ,  Chun-Yung Sung ,  Danny Pak-Chum Shum ,  Alois Gutmann

发明人： Jiang Yan ,  Chun-Yung Sung ,  Danny Pak-Chum Shum ,  Alois Gutmann

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

摘要： In a method of forming a semiconductor device, a wafer includes a first semiconductor region of a first crystal orientation and a second semiconductor region of a second crystal orientation. Insulating material is formed over the wafer. A first portion of the insulating material is removed to expose the first semiconductor region and a second portion of the insulating material is removed to expose the second semiconductor region. Semiconductor material of the first crystal orientation is epitaxially grown over the exposed first semiconductor region and semiconductor material of the second crystal orientation is epitaxially grown over the exposed second semiconductor region.

摘要翻译： 在形成半导体器件的方法中，晶片包括第一晶体取向的第一半导体区域和第二晶体取向的第二半导体区域。 在晶片上形成绝缘材料。 除去绝缘材料的第一部分以暴露第一半导体区域，并且去除绝缘材料的第二部分以暴露第二半导体区域。 在暴露的第一半导体区域上外延生长第一晶体取向的半导体材料，并且在暴露的第二半导体区域上外延生长第二晶体取向的半导体材料。

公开(公告)号：US08530355B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US11317737

申请日：2005-12-23

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

摘要： A method of making a semiconductor device begins with a semiconductor wafer that includes a first semiconductor layer overlying a second semiconductor layer. A first trench is etched in the semiconductor wafer. The first trench is filled with insulating material. A second trench is etched within the first trench and through the insulating material, such that insulating material remains along sidewalls of the first trench. The second trench exposes a portion of the second insulating layer. A semiconductor layer can then be grown within the second trench using the second semiconductor layer as a seed layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法从半导体晶片开始，半导体晶片包括覆盖第二半导体层的第一半导体层。 在半导体晶片中蚀刻第一沟槽。 第一个沟槽填充绝缘材料。 在第一沟槽内蚀刻第二沟槽并穿过绝缘材料，使得绝缘材料沿着第一沟槽的侧壁保留。 第二沟槽露出第二绝缘层的一部分。 然后可以使用第二半导体层作为种子层在第二沟槽内生长半导体层。

公开(公告)号：US07651915B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11546662

申请日：2006-10-12

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/7843

摘要： In a method of making a semiconductor device, a gate dielectric is formed over the semiconductor body. A floating gate is formed over the gate dielectric, an insulating region over the floating gate, and a control gate over the insulating region. The gate dielectric, floating gate, insulating region, and control gate constitute a gate stack. A stress is caused in the gate stack, whereby the band gap of the gate dielectric is changed by the stress.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在半导体本体上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成浮栅，浮置栅极上的绝缘区域以及绝缘区域上的控制栅极。 栅极电介质，浮动栅极，绝缘区域和控制栅极构成栅极堆叠。 在栅极堆叠中产生应力，由此栅极电介质的带隙由于应力而变化。

公开(公告)号：US08502299B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13363936

申请日：2012-02-01

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/7843

摘要： In a method of making a semiconductor device, a gate dielectric is formed over the semiconductor body. A floating gate is formed over the gate dielectric, an insulating region over the floating gate, and a control gate over the insulating region. The gate dielectric, floating gate, insulating region, and control gate constitute a gate stack. A stress is caused in the gate stack, whereby the band gap of the gate dielectric is changed by the stress.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在半导体本体上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成浮栅，浮置栅极上的绝缘区域以及绝缘区域上的控制栅极。 栅极电介质，浮动栅极，绝缘区域和控制栅极构成栅极堆叠。 在栅极堆叠中产生应力，由此栅极电介质的带隙由于应力而变化。

公开(公告)号：US20100096685A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12642472

申请日：2009-12-18

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/7843

摘要： In a method of making a semiconductor device, a gate dielectric is formed over the semiconductor body. A floating gate is formed over the gate dielectric, an insulating region over the floating gate, and a control gate over the insulating region. The gate dielectric, floating gate, insulating region, and control gate constitute a gate stack. A stress is caused in the gate stack, whereby the band gap of the gate dielectric is changed by the stress.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在半导体本体上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成浮栅，浮置栅极上的绝缘区域以及绝缘区域上的控制栅极。 栅极电介质，浮动栅极，绝缘区域和控制栅极构成栅极堆叠。 在栅极堆叠中产生应力，由此栅极电介质的带隙由于应力而变化。

公开(公告)号：US20100035394A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12579234

申请日：2009-10-14

申请人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

发明人： Jiang Yan ,  Danny Pak-Chum Shum

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639

摘要： A semiconductor device can be formed without use of an STI process. An insulating layer is formed over a semiconductor body. Portions of the insulating layer are removed to expose the semiconductor body, e.g., to expose bare silicon. A semiconductor material, e.g., silicon, is grown over the exposed semiconductor body. A device, such as a transistor, can then be formed in the grown semiconductor material.

摘要翻译： 可以不使用STI工艺来形成半导体器件。 在半导体本体上形成绝缘层。 绝缘层的一部分被去除以暴露半导体本体，例如露出裸硅。 半导体材料，例如硅，生长在暴露的半导体本体上。 然后可以在生长的半导体材料中形成诸如晶体管的器件。

公开(公告)号：US20090135655A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12360985

申请日：2009-01-28

申请人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

发明人： Danny Pak-Chum Shum ,  Armin Tilke ,  Jiang Yan

IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： Flash memory device structures and methods of manufacture thereof are disclosed. The flash memory devices are manufactured on silicon-on-insulator (SOI) substrates. Shallow trench isolation (STI) regions and the buried oxide layer of the SOI substrate are used to isolate adjacent devices from one another. The methods of manufacture require fewer lithography masks and may be implemented in stand-alone flash memory devices, embedded flash memory devices, and system on a chip (SoC) flash memory devices.

摘要翻译： 公开了闪存器件结构及其制造方法。 闪存器件是在绝缘体上硅（SOI）衬底上制造的。 使用浅沟槽隔离（STI）区域和SOI衬底的掩埋氧化物层来隔离相邻器件。 制造方法需要更少的光刻掩模，并且可以在独立的闪存器件，嵌入式闪存器件以及片上系统（SoC）闪存器件中实现。