公开(公告)号：US20100125702A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12621324

申请日：2009-11-18

申请人： Jin-Hwa Lee ,  Woonjae Chung ,  Jun-Ho Jang ,  Dong-Young Seo

发明人： Jin-Hwa Lee ,  Woonjae Chung ,  Jun-Ho Jang ,  Dong-Young Seo

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F11/1441 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0643 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1435

摘要： Disclosed is a method for accessing a non-volatile memory device using a flash translation layer. The method includes receiving a write request for data from a file system and recording the data in the non-volatile memory device in response to the write request. The flash translation layer is informed whether a confirm mark for the data is recorded or not from the file system.

摘要翻译： 公开了一种使用闪存转换层访问非易失性存储器件的方法。 该方法包括从文件系统接收对数据的写入请求，并响应写入请求将数据记录在非易失性存储器件中。 通知闪存转换层是否从文件系统记录数据的确认标记。

公开(公告)号：US08370563B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12621324

申请日：2009-11-18

申请人： Jin-Hwa Lee ,  Woonjae Chung ,  Jun-Ho Jang ,  Dong-Young Seo

发明人： Jin-Hwa Lee ,  Woonjae Chung ,  Jun-Ho Jang ,  Dong-Young Seo

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00

CPC分类号： G06F11/1441 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0643 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1435

摘要： Disclosed is a method for accessing a non-volatile memory device using a flash translation layer. The method includes receiving a write request for data from a file system and recording the data in the non-volatile memory device in response to the write request. The flash translation layer is informed whether a confirm mark for the data is recorded or not from the file system.

摘要翻译： 公开了一种使用闪存转换层访问非易失性存储器件的方法。 该方法包括从文件系统接收对数据的写入请求，并响应写入请求将数据记录在非易失性存储器件中。 通知闪存转换层是否从文件系统记录数据的确认标记。

公开(公告)号：US20120284469A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13438203

申请日：2012-04-03

申请人： Dong-Young Seo

发明人： Dong-Young Seo

IPC分类号： G06F12/12

CPC分类号： G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7209

摘要： Disclosed is a bad block management method of a memory system that includes virtual blocks having a plurality of units and at least one reserved block. The bad block management method includes mapping the virtual blocks and the at least one reserved block onto one physical block in the plurality of physical blocks, determining that a first virtual block in the virtual blocks includes a bad virtual block unit, and replacing the bad virtual block unit in the first virtual block with a first reserved block unit selected from the reserved block units.

摘要翻译： 公开了包括具有多个单元和至少一个保留块的虚拟块的存储器系统的坏块管理方法。 坏块管理方法包括将虚拟块和至少一个保留块映射到多个物理块中的一个物理块上，确定虚拟块中的第一虚拟块包括坏虚拟块单元，并且将不良虚拟块 第一虚拟块中的块单元，其具有从保留块单元中选择的第一保留块单元。

公开(公告)号：US09665425B2

公开(公告)日：2017-05-30

申请号：US14645687

申请日：2015-03-12

申请人： Dong-Young Seo ,  Dukyoung Yun

发明人： Dong-Young Seo ,  Dukyoung Yun

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C29/52 ,  G06F11/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/28 ,  G11C11/56 ,  G11C29/02 ,  G06F12/00 ,  G11C7/14

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F11/1048 ,  G06F12/00 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/28 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A system comprises a nonvolatile memory device comprising a memory cell array comprising a plurality of memory blocks each comprising a plurality of cell strings, each of cell strings comprises the plurality of memory cells stacked in a direction perpendicular to a substrate, a ground selection transistor disposed between the memory cells and the substrate, and a string selection transistor disposed between the memory cells and a bitline, and configured to read stored data from the memory cells using a plurality of read voltages; and a memory controller configured to read the memory cells using a reference voltage to generate on-cell data, and adjust the read voltages of the nonvolatile memory device based on the generated on-cell data.