公开(公告)号：US08530323B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13415947

申请日：2012-03-09

申请人： Jin-Youn Cho ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

发明人： Jin-Youn Cho ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A method for fabricating a capacitor is provided. The method for fabricating a capacitor includes forming a dielectric layer over a lower electrode on a substrate, forming an upper electrode over the dielectric layer, forming a hard mask over the upper electrode, etching the hard mask to form a hard mask pattern, etching the upper electrode to make the dielectric layer remain on the lower electrode in a predetermined thickness, forming an isolation layer along an upper surface of the remaining dielectric layer and the hard mask pattern, leaving the isolation layer having a shape of a spacer on one sidewall of the hard mask pattern, the upper electrode, and the dielectric layer, and etching the lower electrode to be isolated.

摘要翻译： 提供一种制造电容器的方法。 制造电容器的方法包括在基板上的下电极上形成电介质层，在电介质层上形成上电极，在上电极上形成硬掩模，蚀刻硬掩模以形成硬掩膜图案，蚀刻 使电介质层以预定的厚度保持在下电极上，沿着剩余电介质层和硬掩模图案的上表面形成隔离层，使隔离层在一个侧壁上具有间隔物的形状 硬掩模图案，上电极和电介质层，并蚀刻待分离的下电极。

公开(公告)号：US20120171840A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13415947

申请日：2012-03-09

申请人： Jin-Youn Cho ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

发明人： Jin-Youn Cho ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A method for fabricating a capacitor is provided. The method for fabricating a capacitor includes forming a dielectric layer over a lower electrode on a substrate, forming an upper electrode over the dielectric layer, forming a hard mask over the upper electrode, etching the hard mask to form a hard mask pattern, etching the upper electrode to make the dielectric layer remain on the lower electrode in a predetermined thickness, forming an isolation layer along an upper surface of the remaining dielectric layer and the hard mask pattern, leaving the isolation layer having a shape of a spacer on one sidewall of the hard mask pattern, the upper electrode, and the dielectric layer, and etching the lower electrode to be isolated.

摘要翻译： 提供一种制造电容器的方法。 制造电容器的方法包括在基板上的下电极上形成电介质层，在电介质层上形成上电极，在上电极上形成硬掩模，蚀刻硬掩模以形成硬掩模图案，蚀刻 使电介质层以预定的厚度保持在下电极上，沿着剩余电介质层和硬掩模图案的上表面形成隔离层，使隔离层在一个侧壁上具有间隔物的形状 硬掩模图案，上电极和电介质层，并蚀刻待分离的下电极。

公开(公告)号：US20100155889A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12603124

申请日：2009-10-21

申请人： Jin-Youn CHO ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

发明人： Jin-Youn CHO ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A capacitor includes a lower electrode; a dielectric layer formed on a predetermined portion of the lower electrode; an upper electrode formed on the dielectric layer; a hard mask pattern formed on the upper electrode; and an isolation layer having a shape of a spacer, formed on one sidewall of the hard mask pattern, the upper electrode, and the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极; 形成在下电极的预定部分上的电介质层; 形成在电介质层上的上电极; 形成在上电极上的硬掩模图案; 以及形成在硬掩模图案的一个侧壁，上电极和电介质层上的具有隔离物形状的隔离层。

公开(公告)号：US08159046B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12603124

申请日：2009-10-21

申请人： Jin-Youn Cho ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

发明人： Jin-Youn Cho ,  Young-Soo Kang ,  Jong-Il Kim ,  Sang-Geun Koo

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A capacitor includes a lower electrode; a dielectric layer formed on a predetermined portion of the lower electrode; an upper electrode formed on the dielectric layer; a hard mask pattern formed on the upper electrode; and an isolation layer having a shape of a spacer, formed on one sidewall of the hard mask pattern, the upper electrode, and the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极; 形成在下电极的预定部分上的电介质层; 形成在电介质层上的上电极; 形成在上电极上的硬掩模图案; 以及形成在硬掩模图案的一个侧壁，上电极和电介质层上的具有隔离物形状的隔离层。

公开(公告)号：US08445991B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12985812

申请日：2011-01-06

申请人： Jin-Youn Cho ,  Young-soo Kang ,  Sang-Geun Koo

发明人： Jin-Youn Cho ,  Young-soo Kang ,  Sang-Geun Koo

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31144 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device are provided. The semiconductor device includes a lower electrode formed on a substrate, a dielectric layer including an etched dielectric region and an as-grown dielectric region formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the as-grown dielectric region, a hardmask formed on the upper electrode, a spacer formed at a side surface of the hardmask and the upper electrode and over a surface of the etched dielectric region, and a buffer insulation layer formed on the hardmask and the spacer.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件包括形成在基板上的下电极，包括蚀刻介电区域和形成在下电极上的生长电介质区域的电介质层，形成在生长电介质区域上的上电极，形成在其上的硬掩模 上电极，形成在硬掩模的侧表面和上电极以及蚀刻的电介质区域的表面上的隔离物，以及形成在硬掩模和间隔物上的缓冲绝缘层。

公开(公告)号：US20110108951A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12985812

申请日：2011-01-06

申请人： Jin-Youn CHO ,  Young-Soo Kang ,  Sang-Geun Koo

发明人： Jin-Youn CHO ,  Young-Soo Kang ,  Sang-Geun Koo

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/31144 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device are provided. The semiconductor device includes a lower electrode formed on a substrate, a dielectric layer including an etched dielectric region and an as-grown dielectric region formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the as-grown dielectric region, a hardmask formed on the upper electrode, a spacer formed at a side surface of the hardmask and the upper electrode and over a surface of the etched dielectric region, and a buffer insulation layer formed on the hardmask and the spacer.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件包括形成在基板上的下电极，包括蚀刻介电区域和形成在下电极上的生长电介质区域的电介质层，形成在生长电介质区域上的上电极，形成在其上的硬掩模 上电极，形成在硬掩模的侧表面和上电极以及蚀刻的电介质区域的表面上的隔离物，以及形成在硬掩模和间隔物上的缓冲绝缘层。