利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

457 条记录 (耗时 0.022 秒)

    FinFET device with multiple fin structures
    1.
    发明授权
    FinFET device with multiple fin structures 有权
    FinFET器件具有多个鳍结构

    公开(公告)号：US07679134B1

    公开(公告)日：2010-03-16

    申请号：US10754515

    申请日：2004-01-12

    申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

    摘要： A semiconductor device includes a group of fin structures. The group of fin structures includes a conductive material and is formed by growing the conductive material in an opening of an oxide layer. The semiconductor device further includes a source region formed at one end of the group of fin structures, a drain region formed at an opposite end of the group of fin structures, and at least one gate.

    摘要翻译： 半导体器件包括一组翅片结构。 翅片结构的组包括导电材料，并且通过在氧化物层的开口中生长导电材料而形成。 半导体器件还包括形成在鳍片结构组的一端处的源极区域，形成在鳍片结构组的相对端处的漏极区域和至少一个栅极。

    Semiconductor device having a thin fin and raised source/drain areas
    3.
    发明授权
    Semiconductor device having a thin fin and raised source/drain areas 有权
    半导体器件具有薄的鳍片和升高的源极/漏极区域

    公开(公告)号：US06911697B1

    公开(公告)日：2005-06-28

    申请号：US10632965

    申请日：2003-08-04

    申请人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

    发明人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01 ,  H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78618

    摘要： A double-gate semiconductor device includes a substrate, an insulating layer, a fin, source and drain regions and a gate. The insulating layer is formed on the substrate and the fin is formed on the insulating layer. The source region is formed on the insulating layer adjacent a first side of the fin and the drain region is formed on the second side of the fin opposite the first side. The source and drain regions have a greater thickness than the fin in the channel region of the semiconductor device.

    摘要翻译： 双栅极半导体器件包括衬底，绝缘层，鳍，源极和漏极区以及栅极。 绝缘层形成在基板上，并且鳍形成在绝缘层上。 源极区域形成在与鳍片的第一侧相邻的绝缘层上，并且漏极区域形成在与第一侧相对的翅片的第二侧上。 源极和漏极区域具有比半导体器件的沟道区域中的鳍片更大的厚度。

    Double spacer FinFET formation
    5.
    发明授权
    Double spacer FinFET formation 有权
    双间隔FinFET形成

    公开(公告)号：US06709982B1

    公开(公告)日：2004-03-23

    申请号：US10303702

    申请日：2002-11-26

    申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21311

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

    摘要： A method for forming a group of structures in a semiconductor device includes forming a conductive layer on a substrate, where the conductive layer includes a conductive material, and forming an oxide layer over the conductive layer. The method further includes etching at least one opening in the oxide layer, filling the at least one opening with the conductive material, etching the conductive material to form spacers along sidewalls of the at least one opening, and removing the oxide layer and a portion of the conductive layer to form the group of structures.

    摘要翻译： 一种在半导体器件中形成一组结构的方法包括在基底上形成导电层，其中导电层包括导电材料，并在导电层上形成氧化物层。 该方法还包括蚀刻氧化物层中的至少一个开口，用导电材料填充至少一个开口，蚀刻导电材料以在至少一个开口的侧壁上形成间隔物，并且去除氧化物层和一部分 导电层形成一组结构。

    Tri-gate and gate around MOSFET devices and methods for making same
    6.
    发明授权
    Tri-gate and gate around MOSFET devices and methods for making same 有权
    围绕MOSFET器件的三栅极和栅极及其制造方法

    公开(公告)号：US07259425B2

    公开(公告)日：2007-08-21

    申请号：US10348911

    申请日：2003-01-23

    申请人： Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

    摘要： A triple gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin structure, a first gate formed adjacent a first side of the fin structure, a second gate formed adjacent a second side of the fin structure opposite the first side, and a top gate formed on top of the fin structure. A gate around MOSFET includes multiple fins, a first sidewall gate structure formed adjacent one of the fins, a second sidewall gate structure formed adjacent another one of the fins, a top gate structure formed on one or more of the fins, and a bottom gate structure formed under one or more of the fins.

    摘要翻译： 三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括翅片结构，邻近翅片结构的第一侧形成的第一栅极，与第一侧相对的翅片结构的第二侧附近形成的第二栅极，以及 形成在鳍结构顶部的顶门。 MOSFET周围的栅极包括多个散热片，邻近其中一个翅片形成的第一侧壁栅极结构，邻近另一个鳍片形成的第二侧壁栅极结构，形成在一个或多个翅片上的顶部栅极结构，以及底部栅极 在一个或多个翅片下形成的结构。

    Germanium MOSFET devices and methods for making same
    7.
    发明授权
    Germanium MOSFET devices and methods for making same 有权
    锗MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07148526B1

    公开(公告)日：2006-12-12

    申请号：US10348758

    申请日：2003-01-23

    申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

    摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

    摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

    Double and triple gate MOSFET devices and methods for making same
    9.
    发明授权
    Double and triple gate MOSFET devices and methods for making same 有权
    双栅极和三栅极MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08580660B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US13523603

    申请日：2012-06-14

    申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

    摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

    摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。