公开(公告)号：US07679134B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US10754515

申请日：2004-01-12

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device includes a group of fin structures. The group of fin structures includes a conductive material and is formed by growing the conductive material in an opening of an oxide layer. The semiconductor device further includes a source region formed at one end of the group of fin structures, a drain region formed at an opposite end of the group of fin structures, and at least one gate.

摘要翻译： 半导体器件包括一组翅片结构。 翅片结构的组包括导电材料，并且通过在氧化物层的开口中生长导电材料而形成。 半导体器件还包括形成在鳍片结构组的一端处的源极区域，形成在鳍片结构组的相对端处的漏极区域和至少一个栅极。

公开(公告)号：US07179692B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US06911697B1

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10632965

申请日：2003-08-04

申请人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78618

摘要： A double-gate semiconductor device includes a substrate, an insulating layer, a fin, source and drain regions and a gate. The insulating layer is formed on the substrate and the fin is formed on the insulating layer. The source region is formed on the insulating layer adjacent a first side of the fin and the drain region is formed on the second side of the fin opposite the first side. The source and drain regions have a greater thickness than the fin in the channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 双栅极半导体器件包括衬底，绝缘层，鳍，源极和漏极区以及栅极。 绝缘层形成在基板上，并且鳍形成在绝缘层上。 源极区域形成在与鳍片的第一侧相邻的绝缘层上，并且漏极区域形成在与第一侧相对的翅片的第二侧上。 源极和漏极区域具有比半导体器件的沟道区域中的鳍片更大的厚度。

公开(公告)号：US06716690B1

公开(公告)日：2004-04-06

申请号：US10385692

申请日：2003-03-12

申请人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66795 ,  Y10S438/914

摘要： Multiple dopant implantations are performed on a FinFET device to thereby distribute the dopant in a substantially uniform manner along a vertical depth of the FinFET in the source/drain junction. Each of the multiple implantations may be performed at different tilt angles.

摘要翻译： 在FinFET器件上执行多个掺杂剂注入，从而沿着源极/漏极结中的FinFET的垂直深度以大致均匀的方式分布掺杂剂。 多个注入中的每一个可以以不同的倾斜角执行。

公开(公告)号：US06709982B1

公开(公告)日：2004-03-23

申请号：US10303702

申请日：2002-11-26

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21311

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

摘要： A method for forming a group of structures in a semiconductor device includes forming a conductive layer on a substrate, where the conductive layer includes a conductive material, and forming an oxide layer over the conductive layer. The method further includes etching at least one opening in the oxide layer, filling the at least one opening with the conductive material, etching the conductive material to form spacers along sidewalls of the at least one opening, and removing the oxide layer and a portion of the conductive layer to form the group of structures.

摘要翻译： 一种在半导体器件中形成一组结构的方法包括在基底上形成导电层，其中导电层包括导电材料，并在导电层上形成氧化物层。 该方法还包括蚀刻氧化物层中的至少一个开口，用导电材料填充至少一个开口，蚀刻导电材料以在至少一个开口的侧壁上形成间隔物，并且去除氧化物层和一部分 导电层形成一组结构。

公开(公告)号：US08334181B1

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12836378

申请日：2010-07-14

申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

公开(公告)号：US06921963B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10830006

申请日：2004-04-23

申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78687

摘要： A narrow channel FinFET is described herein with a narrow channel width. A protective layer may be formed over the narrow channel, the protective layer being wider than the narrow channel.

摘要翻译： 这里描述了窄通道FinFET，其具有窄的通道宽度。 可以在窄通道上形成保护层，保护层比窄通道宽。

公开(公告)号：US07259425B2

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：US10348911

申请日：2003-01-23

申请人： Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： A triple gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin structure, a first gate formed adjacent a first side of the fin structure, a second gate formed adjacent a second side of the fin structure opposite the first side, and a top gate formed on top of the fin structure. A gate around MOSFET includes multiple fins, a first sidewall gate structure formed adjacent one of the fins, a second sidewall gate structure formed adjacent another one of the fins, a top gate structure formed on one or more of the fins, and a bottom gate structure formed under one or more of the fins.

摘要翻译： 三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括翅片结构，邻近翅片结构的第一侧形成的第一栅极，与第一侧相对的翅片结构的第二侧附近形成的第二栅极，以及 形成在鳍结构顶部的顶门。 MOSFET周围的栅极包括多个散热片，邻近其中一个翅片形成的第一侧壁栅极结构，邻近另一个鳍片形成的第二侧壁栅极结构，形成在一个或多个翅片上的顶部栅极结构，以及底部栅极 在一个或多个翅片下形成的结构。

公开(公告)号：US07148526B1

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10348758

申请日：2003-01-23

申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

公开(公告)号：US06803631B2

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10349042

申请日：2003-01-23

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2701

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687

摘要： A semiconductor structure includes a fin and a layer formed on the fin. The fin includes a first crystalline material having a rectangular cross section and a number of surfaces. The layer is formed on the surfaces and includes a second crystalline material. The first crystalline material has a different lattice constant than the second crystalline material to induce tensile strain within the first layer.

摘要翻译： 半导体结构包括翅片和形成在翅片上的层。 翅片包括具有矩形横截面和多个表面的第一结晶材料。 该层形成在表面上并且包括第二结晶材料。 第一结晶材料具有与第二结晶材料不同的晶格常数，以在第一层内引起拉伸应变。