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    Integrated circuit devices including a multi-layer structure with a contact extending therethrough
    8.
    发明授权
    Integrated circuit devices including a multi-layer structure with a contact extending therethrough 失效
    集成电路器件包括具有延伸穿过其中的触点的多层结构

    公开(公告)号：US08258610B2

    公开(公告)日：2012-09-04

    申请号：US13016054

    申请日：2011-01-28

    申请人： Hong Cho ,  Seung-Pil Chung ,  Dong-Seok Lee

    发明人： Hong Cho ,  Seung-Pil Chung ,  Dong-Seok Lee

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Integrated circuit devices have a first substrate layer and a first transistor on the first substrate layer. A first interlayer insulating film covers the first transistor. A second substrate layer is on the first interlayer insulating film and a second transistor is on the second substrate layer. A second interlayer insulating film covers the second transistor. A contact extends through the second interlayer insulating film, the second substrate layer and the first interlayer insulating film. The contact includes a lower contact and an upper contact that contacts an upper surface of the lower contact to define an interface therebetween. The interface is located at a height no greater than a height of a top surface of the second substrate and greater than a height of a bottom surface of the second substrate layer.

    摘要翻译： 集成电路器件在第一衬底层上具有第一衬底层和第一晶体管。 第一层间绝缘膜覆盖第一晶体管。 第二基板层位于第一层间绝缘膜上，第二晶体管位于第二基板层上。 第二层间绝缘膜覆盖第二晶体管。 接触件延伸穿过第二层间绝缘膜，第二基板层和第一层间绝缘膜。 该接触件包括一下触头和一接触该下接触件的上表面的上触点，以在其间形成界面。 该界面位于不大于第二基底的顶表面的高度的高度处，并且大于第二基底层的底表面的高度。

    Method of forming a fine pattern
    9.
    发明申请
    Method of forming a fine pattern 审中-公开
    形成精细图案的方法

    公开(公告)号：US20080076071A1

    公开(公告)日：2008-03-27

    申请号：US11588496

    申请日：2006-10-28

    申请人： Seok-Hyun Lim ,  Chang-Jin Kang ,  Gyung-Jin Min ,  Seung-Pil Chung ,  Dong-Seok Lee

    发明人： Seok-Hyun Lim ,  Chang-Jin Kang ,  Gyung-Jin Min ,  Seung-Pil Chung ,  Dong-Seok Lee

    IPC分类号： G03F7/00

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76816

    摘要： First, second and third layers are formed on a substrate for forming a fine pattern. A first mask pattern having a first space is formed on the third layer. A third layer pattern having a second space exposing the second layer is formed. A first sacrificial layer is formed on the second layer having the third layer pattern. A fourth layer is formed on the first sacrificial layer. A double mask pattern including the first and second mask patterns is formed using the second mask pattern in the second space. A second sacrificial layer is formed on the first sacrificial layer. A sacrificial layer pattern having a third space is formed by removing the double mask pattern, the third layer pattern, and a portion of the first sacrificial layer. An insulation layer pattern is formed by removing a portion of the first and second layers.

    摘要翻译： 首先，在用于形成精细图案的基板上形成第二和第三层。 具有第一空间的第一掩模图案形成在第三层上。 形成具有暴露第二层的第二空间的第三层图案。 在具有第三层图案的第二层上形成第一牺牲层。 在第一牺牲层上形成第四层。 使用第二空间中的第二掩模图案形成包括第一和第二掩模图案的双掩模图案。 在第一牺牲层上形成第二牺牲层。 通过去除双掩模图案，第三层图案和第一牺牲层的一部分来形成具有第三空间的牺牲层图案。 通过去除第一层和第二层的一部分来形成绝缘层图案。