公开(公告)号：US20100330805A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US11934589

申请日：2007-11-02

申请人： KENNY LINH DOAN ,  Kathryn Keswick ,  Subhash Deshmukh ,  Stephan Wege ,  Wonseok Lee

发明人： KENNY LINH DOAN ,  Kathryn Keswick ,  Subhash Deshmukh ,  Stephan Wege ,  Wonseok Lee

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31144

摘要： Methods for forming anisotropic features for high aspect ratio application in etch process are provided. The methods described herein advantageously facilitates profile and dimension control of features with high aspect ratios. In one embodiment, a method for anisotropic etching a dielectric layer on a substrate includes providing a substrate having a patterned mask layer disposed on a dielectric layer in an etch chamber, supplying a gas mixture including at least a fluorine and carbon containing gas and a silicon fluorine gas into the etch chamber, and etching features in the dielectric layer in the presence of a plasma formed from the gas mixture.

摘要翻译： 提供了用于在蚀刻工艺中形成用于高纵横比应用的各向异性特征的方法。 本文所述的方法有利地有利于具有高纵横比的特征的轮廓和尺寸控制。 在一个实施例中，用于各向异性蚀刻衬底上的电介质层的方法包括提供具有设置在蚀刻室中的电介质层上的图案化掩模层的衬底，提供至少包含含氟和含碳气体的气体混合物和硅 氟气进入蚀刻室，并且在由气体混合物形成的等离子体的存在下蚀刻介电层中的特征。

公开(公告)号：US20090293907A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12246137

申请日：2008-10-06

申请人： Nancy Fung ,  Siyi Li ,  Ying Rui ,  Walter R. Merry ,  Anchel Sheyner ,  Kathryn Keswick ,  Shing-Li Sung ,  Mang-Mang Ling ,  Chia-Ling Kao ,  Wei-Te Wu ,  Kang-Lie Chiang

发明人： Nancy Fung ,  Siyi Li ,  Ying Rui ,  Walter R. Merry ,  Anchel Sheyner ,  Kathryn Keswick ,  Shing-Li Sung ,  Mang-Mang Ling ,  Chia-Ling Kao ,  Wei-Te Wu ,  Kang-Lie Chiang

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209

摘要： Methods for cleaning a substrate are provided. In one embodiment, the method includes depositing a polymer on a substrate. A cleaning gas is provided to clean a frontside, a bevel edge, and a backside of the substrate. The cleaning gas may include various reactive chemicals such as H2 and N2 in one embodiment. In another embodiment, the cleaning gas may include H2 and H2O. Plasma is initiated from the cleaning gas and used to remove polymer that formed on a bevel edge, backside, or frontside of the substrate during semiconductor processing.

摘要翻译： 提供了清洗基板的方法。 在一个实施方案中，该方法包括在基底上沉积聚合物。 提供清洁气体以清洁基板的前侧，斜边和背面。 在一个实施方案中，清洁气体可以包括各种反应性化学品，例如H 2和N 2。 在另一个实施方案中，清洁气体可以包括H 2和H 2 O. 等离子体从清洁气体引发，并用于去除在半导体处理期间在衬底的斜边缘，背面或前面形成的聚合物。