-
公开(公告)号：US3365522A
公开(公告)日：1968-01-23
申请号：US62663767
申请日：1967-03-28
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
CPC classification number: B21D26/14 , B21C1/006 , B29C35/08 , B29C35/10 , B29C67/00 , B29C2035/0816 , Y10S72/70 , Y10S264/45
-
公开(公告)号：US3356601A
公开(公告)日：1967-12-05
申请号：US26246663
申请日：1963-03-04
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
IPC: B01J19/08 , B23K35/00 , C01B32/949 , C04B40/02 , C22C1/04 , C23C8/36 , C23C12/02 , C23C14/32 , H01M6/06
CPC classification number: B01J19/088 , B23K35/001 , C01B32/949 , C04B40/0204 , C22C1/04 , C23C8/36 , C23C12/02 , C23C14/32 , H01M6/06
-
公开(公告)号：US3340052A
公开(公告)日：1967-09-05
申请号：US35671464
申请日：1964-04-02
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
CPC classification number: B22F3/105 , B22F3/1109 , B22F7/08 , C22C32/00 , C23C24/10
-
-
公开(公告)号：US3326182A
公开(公告)日：1967-06-20
申请号：US32919963
申请日：1963-12-09
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
IPC: B05B5/03
CPC classification number: B05B5/03
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：US3323911A
公开(公告)日：1967-06-06
申请号：US32745063
申请日：1963-12-02
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
CPC classification number: H01B1/00 , C22C32/0026
-
公开(公告)号：US3317810A
公开(公告)日：1967-05-02
申请号：US36490064
申请日：1964-05-05
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
IPC: H02J7/02
CPC classification number: H02J7/022 , Y10T307/367
-
公开(公告)号：US3223610A
公开(公告)日：1965-12-14
申请号：US22530062
申请日：1962-09-21
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
IPC: B23H5/06
CPC classification number: B23H5/06
-
公开(公告)号：US3087044A
公开(公告)日：1963-04-23
申请号：US5239560
申请日：1960-08-29
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
IPC: B23H1/02
CPC classification number: B23H1/022
-
10.发明授权Method of producing semiconductors and semiconductor elements utilizing electric spark discharge 失效利用电火花放电制造半导体和半导体元件的方法
公开(公告)号：US3061712A
公开(公告)日：1962-10-30
申请号：US5290760
申请日：1960-08-30
Applicant: KIYOSHI INOUE
Inventor： KIYOSHI INOUE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.014 seconds)
