公开(公告)号：US20160359109A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：US15062379

申请日：2016-03-07

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba

发明人： Yuuichi KAMIMUTA ,  Shosuke FUJII ,  Masumi SAITOH

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1675

摘要： A storage device of an embodiment includes a first conductive layer containing a first element selected from the group consisting of Si, Ge, and a metal element, a second conductive layer including a first region containing a first metal element and carbon or nitrogen, a second region containing a second metal element and carbon or nitrogen, and a third region provided between the first region and the second region, the third region containing a third metal element, the standard free energy of formation of an oxide of the third metal element being smaller than the standard free energy of formation of an oxide of the first element, a ferroelectric layer provided between the first conductive layer and the second conductive layer, and a paraelectric layer provided between the first conductive layer and the ferroelectric layer.

摘要翻译： 实施例的存储装置包括：第一导电层，含有选自由Si，Ge和金属元素组成的组的第一元素;第二导电层，包括含有第一金属元素和碳或氮的第一区域;第二导电层， 包含第二金属元素和碳或氮的区域，以及设置在第一区域和第二区域之间的第三区域，第三区域包含第三金属元素，第三金属元素的氧化物的标准自由能较小 比形成第一元素的氧化物的标准自由能，设置在第一导电层和第二导电层之间的铁电层以及设置在第一导电层和铁电层之间的顺电层。

公开(公告)号：US20150102419A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：US14577209

申请日：2014-12-19

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： Keiji IKEDA ,  Tsutomu TEZUKA ,  Yuuichi KAMIMUTA ,  Kiyoe FURUSE

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/02 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/165 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/5226 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78684 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： According to one embodiment, a semiconductor device includes a first complementary semiconductor device provided on a semiconductor substrate, and including a CMOS circuit, a metal electrode provided above the first complementary semiconductor device, a semiconductor layer provided above the metal electrode, including an nMOS region and a pMOS region separated from each other, and containing Ge; and a second complementary semiconductor device including an nMOSFET provided on the first portion of the semiconductor layer and a pMOSFET provided on the second portion of the semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体器件包括设置在半导体衬底上的第一互补半导体器件，并且包括CMOS电路，设置在第一互补半导体器件上方的金属电极，设置在金属电极上方的半导体层，包括nMOS区域 和pMOS区域彼此分离，并含有Ge; 以及包括设置在半导体层的第一部分上的nMOSFET和设置在半导体层的第二部分上的pMOSFET的第二互补半导体器件。

公开(公告)号：US20160071921A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14928341

申请日：2015-10-30

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： Masahiro KOIKE ,  Yuuichi KAMIMUTA ,  Tsutomu TEZUKA

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： According to one embodiment, a semiconductor device includes a semiconductor layer including Ge; and a metal Ge compound region provided in a surface portion of the semiconductor layer. Sn is included in an interface portion between the semiconductor layer and the metal Ge compound region. A lattice plane of the semiconductor layer matches with a lattice plane of the metal Ge compound region.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体器件包括包含Ge的半导体层; 以及设置在半导体层的表面部分中的金属Ge化合物区域。 Sn被包括在半导体层和金属Ge化合物区域之间的界面部分中。 半导体层的晶格面与金属Ge化合物区域的晶格面匹配。

公开(公告)号：US20170040380A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：US15227053

申请日：2016-08-03

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba

发明人： Marina YAMAGUCHI ,  Shosuke FUJII ,  Yuuichi KAMIMUTA ,  Takayuki ISHIKAWA ,  Masumi SAITOH

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/249 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145

摘要： According to one embodiment, a memory device includes a first electrode, a second electrode, a first layer, and a second layer. The first electrode includes a first element. The first layer is provided between the first electrode and the second electrode. The first layer includes at least one of an insulator or a first semiconductor. The second layer is provided between the first layer and the second electrode. The second layer includes a first region and a second region. The second region is provided between the first region and the second electrode. The second region includes a second element. A standard electrode potential of the second element is lower than a standard electrode potential of the first element. A concentration of nitrogen in the first region is higher than a concentration of nitrogen in the second region.

摘要翻译： 根据一个实施例，存储器件包括第一电极，第二电极，第一层和第二层。 第一电极包括第一元件。 第一层设置在第一电极和第二电极之间。 第一层包括绝缘体或第一半导体中的至少一个。 第二层设置在第一层和第二电极之间。 第二层包括第一区域和第二区域。 第二区域设置在第一区域和第二电极之间。 第二区域包括第二元件。 第二元件的标准电极电位低于第一元件的标准电极电位。 第一区域中的氮浓度高于第二区域中的氮浓度。