公开(公告)号：US06759179B1

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：US10050417

申请日：2002-01-16

申请人： Khoi A. Phan ,  Jeffrey Erhardt ,  Jerry Cheng ,  Richard J. Bartlett ,  Anthony P. Coniglio ,  Wolfram Grundke ,  Carol M. Bradway ,  Daniel E. Sutton ,  Martin Mazur

发明人： Khoi A. Phan ,  Jeffrey Erhardt ,  Jerry Cheng ,  Richard J. Bartlett ,  Anthony P. Coniglio ,  Wolfram Grundke ,  Carol M. Bradway ,  Daniel E. Sutton ,  Martin Mazur

IPC分类号： G03F720

CPC分类号： G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32139

摘要： Methods and systems are disclosed for reducing resist residue defects in a semiconductor manufacturing process. The methods comprise appropriate adjustment of hardware, substrate, resist, developer, and process variables in order to remove resist residues from a semiconductor substrate structure in order to reduce resist residue defects therein, including special vapor prime and development operations.

摘要翻译： 公开了用于减少半导体制造工艺中的抗蚀剂残留缺陷的方法和系统。 这些方法包括硬件，基板，抗蚀剂，显影剂和工艺变量的适当调整，以便从半导体衬底结构去除抗蚀剂残留物，以减少其中的抗蚀剂残留缺陷，包括特殊的气相和显影操作。

公开(公告)号：US06649525B1

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US10050485

申请日：2002-01-16

申请人： Khoi A. Phan ,  Jeffrey Erhardt ,  Jerry Cheng ,  Richard J. Bartlett ,  Anthony P. Coniglio ,  Wolfram Grundke ,  Carol M. Bradway ,  Daniel E. Sutton ,  Martin Mazur

发明人： Khoi A. Phan ,  Jeffrey Erhardt ,  Jerry Cheng ,  Richard J. Bartlett ,  Anthony P. Coniglio ,  Wolfram Grundke ,  Carol M. Bradway ,  Daniel E. Sutton ,  Martin Mazur

IPC分类号： H01L21461

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139

摘要： Methods and systems are disclosed for reducing resist residue defects in a semiconductor manufacturing process. The methods comprise appropriate adjustment of hardware, substrate, resist, developer, and process variables in order to remove resist residues from a semiconductor substrate structure in order to reduce resist residue defects therein. The method may comprise employing an anti reflective coating prior to applying a photo resist coating in a semiconductor manufacturing process. Also disclosed are methodologies for exhausting resist residue during development via a rinsing fluid.

摘要翻译： 公开了用于减少半导体制造工艺中的抗蚀剂残留缺陷的方法和系统。 这些方法包括硬件，衬底，抗蚀剂，显影剂和工艺变量的适当调整，以便从半导体衬底结构去除抗蚀剂残留物，以减少其中的抗蚀剂残留缺陷。 该方法可以包括在半导体制造工艺中施加光致抗蚀剂涂层之前采用抗反射涂层。 还公开了通过冲洗流体在显影期间排出抗蚀剂残留物的方法。

公开(公告)号：US06907308B1

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10210945

申请日：2002-08-02

申请人： Richard J. Bartlett ,  Anthony P. Coniglio ,  David A. Steele

发明人： Richard J. Bartlett ,  Anthony P. Coniglio ,  David A. Steele

IPC分类号： G05B19/418 ,  G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/32424 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/18 ,  Y02P90/20

摘要： A remote track editor system, method, and computer readable medium is provided to remotely edit track flows and recipes of semiconductor processing tools. The editor system includes a processing track, a track controller, and a remote track editor for remotely editing recipes of at least one semiconductor processing tool. The editor system communicates with remote terminals and accesses multiple flows and recipes stored on network databases through a SECS/GEM interface. The remote track editor edits recipes without interrupting the process track and correctly renumbers line and flow numbers of the recipes when editing, deleting, or inserting steps. The remote track editor also performs side-by-side comparisons of multiple recipes, verifies the contents of recipes to master recipes, and provides indicators of mismatches.

摘要翻译： 提供远程轨迹编辑器系统，方法和计算机可读介质以远程编辑半导体处理工具的轨迹流和配方。 编辑器系统包括处理轨道，轨道控制器和用于远程编辑至少一个半导体处理工具的配方的远程轨道编辑器。 编辑器系统与远程终端进行通信，通过SECS / GEM接口访问存储在网络数据库中的多个流和配方。 远程跟踪编辑器在编辑，删除或插入步骤时编辑配方，而不会中断进程轨迹，并正确地重新编号配方的线和流编号。 远程跟踪编辑器还执行多个配方的并行比较，验证配方的内容以掌握配方，并提供不匹配的指标。