公开(公告)号：US06424004B2

公开(公告)日：2002-07-23

申请号：US09735511

申请日：2000-12-14

申请人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

发明人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

IPC分类号： H01L29788

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7613 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/895 ,  Y10S977/937

摘要： A method for forming quantum dots using agglomeration of a conductive layer and a semiconductor device resulting therefrom are disclosed. The method includes the steps of forming a first insulating layer on a substrate, forming a conductive layer on the first insulating layer, forming a second insulating layer on the conductive layer, and annealing the conductive layer between the first, and second insulating layers to agglomerate the conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种使用导电层和由其产生的半导体器件的聚集形成量子点的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成导电层，在导电层上形成第二绝缘层，并使第一和第二绝缘层之间的导电层退火， 导电层。

公开(公告)号：US06333214B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09334895

申请日：1999-06-17

申请人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

发明人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

IPC分类号： H01L21335

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

摘要： A semiconductor memory having a multilevel quantum dot structure is formed by alternatively disposing conductive layers and insulation layers, and processing these layers so that quantum dots are formed in the conductive layers. The writing and reading of data into the semiconductor memory are achieved by using the principle of Coulomb blockade and quantized voltage drops. The size and distribution of the quantum dots are controlled by agglomeration, selective oxidation, etc. in order to achieve the desired quantum dot layer structure so that the immigration of charges between a semiconductor channel and each quantum dot layer is different.

摘要翻译： 通过交替地设置导电层和绝缘层来形成具有多层量子点结构的半导体存储器，并且处理这些层，使得在导电层中形成量子点。 通过使用库仑阻塞和量子化电压降的原理，实现对半导体存储器的数据写入和读取。 通过聚集，选择性氧化等来控制量子点的尺寸和分布，以实现期望的量子点层结构，使得半导体沟道和每个量子点层之间的电荷迁移不同。

公开(公告)号：US06657253B2

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US09986684

申请日：2001-11-09

申请人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

发明人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

IPC分类号： H01L29788

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

摘要： Memory of a multilevel quantum dot structure and a method for fabricating the same, is disclosed, the method including the steps of (1) forming a first insulating layer on a substrate, (2) repeating formation of a conductive layer and a second insulating layer on the first insulating layer at least once, and (3) agglomerating each of the conductive layers to form quantized dot layers.

公开(公告)号：US06194237B1

公开(公告)日：2001-02-27

申请号：US09212602

申请日：1998-12-16

申请人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

发明人： Ki Bum Kim ,  Tae Sik Yoon ,  Jang Yeon Kwon

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7613 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/895 ,  Y10S977/937

摘要： Method for forming quantum dots using agglomeration of a conductive layer and a semiconductor device resulting therefrom are disclosed. The method includes the steps of forming a first insulating layer on a substrate, forming a conductive layer on the first insulating layer, forming a second insulating layer on the conductive layer, and annealing the conductive layer between the first, and second insulating layers to agglomerate the conductive layer.

摘要翻译： 公开了使用导电层和由其产生的半导体器件的聚集形成量子点的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成导电层，在导电层上形成第二绝缘层，并使第一和第二绝缘层之间的导电层退火， 导电层。