公开(公告)号：US6045892A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US16791

申请日：1998-01-30

申请人： Ki-hong Lee ,  Gi-ho Cha

发明人： Ki-hong Lee ,  Gi-ho Cha

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532 ,  B32B3/00

CPC分类号： H01L21/76876 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/24917

摘要： Metal wiring structures for integrated circuits include a seed layer formed on an integrated circuit substrate and a wetting layer formed on the seed layer opposite the integrated circuit substrate. A metal wiring layer is formed on the wetting layer opposite the seed layer. The seed layer and the metal wiring layer have the same crystal orientation. In a preferred embodiment, the seed layer is an aluminum layer having (111) crystal orientation and the metal wiring layer includes aluminum having (111) crystal orientation. The metal wiring layer may be aluminum or an aluminum alloy. The wetting layer preferably includes titanium.

摘要翻译： 用于集成电路的金属布线结构包括形成在集成电路基板上的种子层和形成在与集成电路基板相对的种子层上的润湿层。 在与籽晶层相对的润湿层上形成金属布线层。 籽晶层和金属布线层具有相同的晶体取向。 在优选实施例中，种子层是具有（111）晶体取向的铝层，并且金属布线层包括具有（111）晶体取向的铝。 金属布线层可以是铝或铝合金。 润湿层优选包括钛。

公开(公告)号：US5795817A

公开(公告)日：1998-08-18

申请号：US619361

申请日：1996-03-21

申请人： Suk-ho Joo ,  Choong-ryul Paik ,  Ki-hong Lee

发明人： Suk-ho Joo ,  Choong-ryul Paik ,  Ki-hong Lee

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966

摘要： A MOS transistor employing a titanium-carbon-nitride (TiCN) gate electrode is provided. The MOS transistor has a gate insulating film, a gate electrode, and a source/drain region on a semiconductor substrate. The gate electrode is formed of a single TiCN film or a double film having a TiCN film and a low-resistant metal film formed thereon. The TiCN gate electrode exhibits a low resistance of about 80-100 .mu..OMEGA.-cm and can control variations in Fermi energy level.

摘要翻译： 提供采用钛 - 氮化钛（TiCN）栅电极的MOS晶体管。 MOS晶体管在半导体衬底上具有栅极绝缘膜，栅极电极和源极/漏极区域。 栅极由单个TiCN膜或其上形成有TiCN膜和低电阻金属膜的双层膜形成。 TiCN栅电极具有约80-100μΩ的OMEGA-cm的低电阻，并且可以控制费米能级的变化。

公开(公告)号：US5965911A

公开(公告)日：1999-10-12

申请号：US960290

申请日：1997-10-29

申请人： Suk-ho Joo ,  Choong-ryul Paik ,  Ki-hong Lee

发明人： Suk-ho Joo ,  Choong-ryul Paik ,  Ki-hong Lee

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966

摘要： A MOS transistor employing a titanium-carbon-nitride (TiCN) gate electrode is provided. The MOS transistor has a gate insulating film, a gate electrode, and a source/drain region on a semiconductor substrate. The gate electrode is formed of a single TiCN film or a double film having a TiCN film and a low-resistant metal film formed thereon. The TiCN gate electrode exhibits a low resistance of about 80-100 .mu..OMEGA.-cm and can control variations in Fermi energy level.

摘要翻译： 提供采用钛 - 氮化钛（TiCN）栅电极的MOS晶体管。 MOS晶体管在半导体衬底上具有栅极绝缘膜，栅极电极和源极/漏极区域。 栅极由单个TiCN膜或其上形成有TiCN膜和低电阻金属膜的双层膜形成。 TiCN栅电极具有约80-100μΩ的OMEGA-cm的低电阻，并且可以控制费米能级的变化。