公开(公告)号：US20090127611A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12120443

申请日：2008-05-14

申请人： Ki-yeon Park ,  Cha-young Yoo ,  Sung-hae Lee ,  Jun-noh Lee ,  Min-kyung Ryu

发明人： Ki-yeon Park ,  Cha-young Yoo ,  Sung-hae Lee ,  Jun-noh Lee ,  Min-kyung Ryu

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234

摘要： A non-volatile memory device includes a semiconductor layer including source and drain regions and a channel region between the source and drain regions; a tunneling insulating layer on the channel region of the semiconductor layer; a charge storage layer on the tunneling insulating layer; a blocking insulating layer on the charge storage layer and including a first oxide layer with a first thickness, a high-k dielectric layer, and a second oxide layer with a second thickness different from the first thickness that are stacked sequentially on the charge storage layer; and a control gate on the blocking insulating layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括包括源区和漏区的半导体层和源区和漏区之间的沟道区; 在半导体层的沟道区上的隧道绝缘层; 隧道绝缘层上的电荷存储层; 电荷存储层上的阻挡绝缘层，并且包括具有第一厚度的第一氧化物层，高k电介质层和具有不同于第一厚度的第二厚度的第二氧化物层，其顺次层叠在电荷存储层上 ; 和阻挡绝缘层上的控制栅极。

公开(公告)号：US20080076224A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11756427

申请日：2007-05-31

申请人： Min-kyung Ryu ,  Han-mei Choi ,  Seung-hwan Lee ,  Sun-jung Kim ,  Se-hoon Oh

发明人： Min-kyung Ryu ,  Han-mei Choi ,  Seung-hwan Lee ,  Sun-jung Kim ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792

摘要： A method of forming a flash memory device can include forming a tunneling oxide film on a semiconductor substrate, forming a charge storing layer on the tunneling oxide film, forming a first blocking oxide film on the charge storing layer at a first temperature, forming a second blocking oxide film on the first blocking oxide film at a second temperature higher than the first temperature, and forming a gate electrode on the second blocking oxide film.

摘要翻译： 形成闪速存储器件的方法可以包括在半导体衬底上形成隧穿氧化膜，在隧道氧化膜上形成电荷存储层，在第一温度下在电荷存储层上形成第一阻挡氧化膜，形成第二 在高于第一温度的第二温度下在第一阻挡氧化膜上形成阻挡氧化膜，以及在第二阻挡氧化膜上形成栅电极。

公开(公告)号：US07820514B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11756427

申请日：2007-05-31

申请人： Min-kyung Ryu ,  Han-mei Choi ,  Seung-hwan Lee ,  Sun-jung Kim ,  Se-hoon Oh

发明人： Min-kyung Ryu ,  Han-mei Choi ,  Seung-hwan Lee ,  Sun-jung Kim ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792

摘要： A method of forming a flash memory device can include forming a tunneling oxide film on a semiconductor substrate, forming a charge storing layer on the tunneling oxide film, forming a first blocking oxide film on the charge storing layer at a first temperature, forming a second blocking oxide film on the first blocking oxide film at a second temperature higher than the first temperature, and forming a gate electrode on the second blocking oxide film.

摘要翻译： 形成闪速存储器件的方法可以包括在半导体衬底上形成隧穿氧化膜，在隧道氧化膜上形成电荷存储层，在第一温度下在电荷存储层上形成第一阻挡氧化膜，形成第二 在高于第一温度的第二温度下在第一阻挡氧化膜上形成阻挡氧化膜，以及在第二阻挡氧化膜上形成栅电极。