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    Power electronic devices, methods of manufacturing the same, and integrated circuit modules including the same
    9.
    发明授权
    Power electronic devices, methods of manufacturing the same, and integrated circuit modules including the same 有权
    电力电子装置及其制造方法以及包括其的集成电路模块

    公开(公告)号：US08513705B2

    公开(公告)日：2013-08-20

    申请号：US12923126

    申请日：2010-09-03

    申请人： Jong-seob Kim ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Whang ,  Jai-kwang Shin

    发明人： Jong-seob Kim ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Whang ,  Jai-kwang Shin

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

    摘要： Power electronic devices including 2-dimensional electron gas (2DEG) channels and methods of manufacturing the same. A power electronic device includes lower and upper material layers for forming a 2DEG channel, and a gate contacting an upper surface of the upper material layer. A region below the gate of the 2DEG channel is an off region where the density of a 2DEG is reduced or zero. The entire upper material layer may be continuous and may have a uniform thickness. A region of the upper material layer under the gate contains an impurity for reducing or eliminating a lattice constant difference between the lower and upper material layers.

    摘要翻译： 包括二维电子气体（2DEG）通道的电力电子装置及其制造方法。 电力电子设备包括用于形成2DEG通道的下部和上部材料层，以及与上部材料层的上表面接触的栅极。 2DEG通道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的截止区域。 整个上部材料层可以是连续的并且可以具有均匀的厚度。 在栅极下方的上部材料层的区域包含用于减少或消除下部和上部材料层之间的晶格常数差的杂质。

    Spin field effect logic devices
    10.
    发明授权
    Spin field effect logic devices 有权
    旋转场效应逻辑器件

    公开(公告)号：US08487358B2

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US12654349

    申请日：2009-12-17

    申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

    发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/94

    CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254

    摘要： Provided are spin field effect logic devices, the logic devices including: a gate electrode; a channel formed of a magnetic material above the gate electrode to selectively transmit spin-polarized electrons; a source on the channel; and a drain and an output electrode on the channel outputting electrons transmitted from the source. The gate electrode may control a magnetization state of the channel in order to selectively transmit the electrons injected from the source to the channel.

    摘要翻译： 提供的是自旋场效应逻辑器件，逻辑器件包括：栅电极; 由栅电极上方的磁性材料形成的沟道，以选择性地透射自旋极化电子; 频道上的来源; 以及沟道上的漏极和输出电极，输出从源极发射的电子。 栅电极可以控制通道的磁化状态，以选择性地将从源引入的电子传输到通道。