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    Programmable non-volatile memory cell
    1.
    发明申请
    Programmable non-volatile memory cell 审中-公开
    可编程非易失性存储单元

    公开(公告)号：US20080029803A1

    公开(公告)日：2008-02-07

    申请号：US11497528

    申请日：2006-08-02

    申请人： Klaus Dieter Ufert ,  Josef Willer ,  David Abookasis

    发明人： Klaus Dieter Ufert ,  Josef Willer ,  David Abookasis

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226

    摘要： The present invention relates to a reprogrammable non-volatile memory cell which comprises a selection transistor and a data storage element. The invention further relates to a method of fabricating such a memory cell, as well as to a memory cell array comprising a number of such memory cells.

    摘要翻译： 本发明涉及一种可编程非易失性存储单元，其包括选择晶体管和数据存储元件。 本发明还涉及一种制造这种存储单元的方法，以及包括许多这种存储单元的存储单元阵列。

    Resistively switching memory
    2.
    发明授权
    Resistively switching memory 失效
    电阻切换存储器

    公开(公告)号：US07442605B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11113332

    申请日：2005-04-25

    申请人： Klaus Dieter Ufert ,  Cay-Uwe Pinnow

    发明人： Klaus Dieter Ufert ,  Cay-Uwe Pinnow

    IPC分类号： H01L21/82

    CPC分类号： G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

    摘要： The present invention relates to a reproducible conditioning during the manufacturing of a resistively switching CBRAM memory cell comprising a first electrode and a second electrode with an active material positioned therebetween. The active material is adapted to be placed in a more or less electroconductive state by means of electrochemical switching processes. A CBRAM memory cell manufactured pursuant to the method according to the invention has, due to the improved conditioning, more reliable and more distinctly evaluable electrical switching properties. Moreover, no more forming step is necessary with the method according to the present invention.

    摘要翻译： 本发明涉及在制造电阻切换CBRAM存储单元期间的可再现调节，其包括第一电极和位于其间的活性材料的第二电极。 活性材料适于通过电化学切换工艺置于或多或少的导电状态。 根据本发明的方法制造的CBRAM存储单元由于改进的调理，具有更可靠和更明显的可评估电开关特性。 此外，根据本发明的方法不需要更多的成型步骤。

    Programmable resistive memory cell with a programmable resistance layer
    4.
    发明申请
    Programmable resistive memory cell with a programmable resistance layer 失效
    具有可编程电阻层的可编程电阻存储单元

    公开(公告)号：US20070267667A1

    公开(公告)日：2007-11-22

    申请号：US11452417

    申请日：2006-06-14

    申请人： Klaus Dieter Ufert

    发明人： Klaus Dieter Ufert

    IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

    摘要： A programmable resistive memory cell comprising a lower electrode, a programmable resistance layer, and an upper electrode, wherein a lower mask is arranged between the lower electrode and the programmable resistance layer and an upper mask is arranged between the programmable resistance layer and the upper electrode, and wherein the lower mask and the upper mask comprise current-inhibiting regions.

    摘要翻译： 一种可编程电阻存储单元，包括下电极，可编程电阻层和上电极，其中下掩模布置在下电极和可编程电阻层之间，上掩模布置在可编程电阻层和上电极之间 ，并且其中所述下掩模和所述上掩模包括电流抑制区域。