公开(公告)号：US07339272B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US10867076

申请日：2004-06-14

申请人： Kuei Shun Chen ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Sung Yen ,  Chih-Ming Lai

发明人： Kuei Shun Chen ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Sung Yen ,  Chih-Ming Lai

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/50

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76838

摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof wherein scattering bars are disposed on both sides of an isolated conductive line of a semiconductor device to improve the lithography results. The scattering bars have a sufficient width and are spaced a sufficient distance from the isolated conductive line so as to increase the depth of focus of the isolated conductive line during the patterning of the semiconductor device. The scattering bars are left remaining in the finished semiconductor device after the manufacturing process is completed.

摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其中散射棒设置在半导体器件的隔离导电线的两侧，以改善光刻结果。 散射棒具有足够的宽度并且与隔离导电线隔开足够的距离，以便在半导体器件的图案化期间增加隔离导线的焦深。 在制造过程完成之后，散射棒留在完成的半导体器件中。

公开(公告)号：US20050277067A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10867076

申请日：2004-06-14

申请人： Kuei Shun Chen ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Sung Yen ,  Chih-Ming Lai

发明人： Kuei Shun Chen ,  Chin-Hsiang Lin ,  Yung-Sung Yen ,  Chih-Ming Lai

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76838

摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof wherein scattering bars are disposed on both sides of an isolated conductive line of a semiconductor device to improve the lithography results. The scattering bars have a sufficient width and are spaced a sufficient distance from the isolated conductive line so as to increase the depth of focus of the isolated conductive line during the patterning of the semiconductor device. The scattering bars are left remaining in the finished semiconductor device after the manufacturing process is completed.

摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其中散射棒设置在半导体器件的隔离导电线的两侧，以改善光刻结果。 散射棒具有足够的宽度并且与隔离导电线隔开足够的距离，以便在半导体器件的图案化期间增加隔离导线的焦深。 在制造过程完成之后，散射棒留在完成的半导体器件中。

公开(公告)号：US20120040276A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13277920

申请日：2011-10-20

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/36

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of forming a photolithography mask including forming a first linear non-dense feature on the mask and forming a plurality of parallel linear assist features disposed substantially perpendicular to the at least one linear non-dense design feature. In an embodiment, the photolithography mask further includes a first transverse linear assist feature disposed substantially transverse to the plurality of parallel linear assist features.

摘要翻译： 一种形成光刻掩模的方法，包括在掩模上形成第一线性非致密特征并形成基本上垂直于至少一个线性非致密设计特征设置的多个平行线性辅助特征。 在一个实施例中，光刻掩模还包括基本横向于多个平行线性辅助特征设置的第一横向线性辅助特征。

公开(公告)号：US07226873B2

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10992668

申请日：2004-11-22

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei-Shun Chen ,  Chia-Hsiang Lin ,  Lawrence Lin ,  Tsung Hsien Lin

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei-Shun Chen ,  Chia-Hsiang Lin ,  Lawrence Lin ,  Tsung Hsien Lin

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An isotropic-diffusion filling method uses a thermal process on a result structure comprising a photoresist layer and an organic material layer to create a cross-linking layer there between, which minimizes step height differences between isolated and dense via-pattern regions for optimizing a subsequent trench process and simplifying process steps.

摘要翻译： 各向同性扩散填充方法对包括光致抗蚀剂层和有机材料层的结果结构使用热处理，以在其之间形成交联层，这使隔离和密集的通孔图案区域之间的步长差最小化，以优化随后的 沟槽工艺和简化工艺步骤。

公开(公告)号：US20070111109A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11273140

申请日：2005-11-14

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei-Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei-Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A photolithography mask includes a design feature located in an isolated or semi-isolated region of the mask and a plurality of parallel linear assist features disposed substantially perpendicular to the design feature. The plurality of parallel linear assist features may include a first series of parallel assist features disposed on a first side of the design feature and perpendicularly thereto, and a second series of parallel assist features disposed on a second side of the design feature and perpendicularly thereto

摘要翻译： 光刻掩模包括位于掩模的隔离或半隔离区域中的设计特征以及基本垂直于设计特征设置的多个平行线性辅助特征。 多个平行线性辅助特征可以包括设置在设计特征的第一侧并且垂直于其的第一系列平行辅助特征，以及设置在设计特征的第二侧上且垂直于其的第二系列平行辅助特征

公开(公告)号：US20060110941A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10992668

申请日：2004-11-22

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei-Shun Chen ,  Chia-Hsiang Lin ,  Lawrence Lin ,  T. Lin

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei-Shun Chen ,  Chia-Hsiang Lin ,  Lawrence Lin ,  T. Lin

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An isotropic-diffusion filling method uses a thermal process on a result structure comprising a photoresist layer and an organic material layer to create a cross-linking layer there between, which minimizes step height differences between isolated and dense via-pattern regions for optimizing a subsequent trench process and simplifying process steps.

摘要翻译： 各向同性扩散填充方法对包括光致抗蚀剂层和有机材料层的结果结构使用热处理，以在其之间形成交联层，这使隔离和密集的通孔图案区域之间的步长差最小化，以优化随后的 沟槽工艺和简化工艺步骤。

公开(公告)号：US08677290B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13277920

申请日：2011-10-20

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

IPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/80 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of forming a photolithography mask including forming a first linear non-dense feature on the mask and forming a plurality of parallel linear assist features disposed substantially perpendicular to the at least one linear non-dense design feature. In an embodiment, the photolithography mask further includes a first transverse linear assist feature disposed substantially transverse to the plurality of parallel linear assist features.

摘要翻译： 一种形成光刻掩模的方法，包括在掩模上形成第一线性非致密特征并形成基本上垂直于至少一个线性非致密设计特征设置的多个平行线性辅助特征。 在一个实施例中，光刻掩模还包括基本横向于多个平行线性辅助特征设置的第一横向线性辅助特征。

公开(公告)号：US07601466B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11054458

申请日：2005-02-09

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chia-Sui Hsu ,  Yuh-Sen Chang ,  Hsiao-Tzu Lu

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chia-Sui Hsu ,  Yuh-Sen Chang ,  Hsiao-Tzu Lu

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70333 ,  G03F1/38 ,  G03F7/703

摘要： A method for photolithography in semiconductor manufacturing includes providing a mask with first and second focus planes for a wafer. The wafer includes corresponding first and second wafer regions. The first wafer region receives a first image during a first exposure utilizing the first focus plane. The second wafer region receives a second image during a second exposure utilizing the second focus plane.

摘要翻译： 半导体制造中的光刻方法包括为晶片提供第一和第二聚焦平面的掩模。 晶片包括对应的第一和第二晶片区域。 第一晶片区域在利用第一焦点平面的第一曝光期间接收第一图像。 第二晶片区域在利用第二对焦平面的第二曝光期间接收第二图像。

公开(公告)号：US20090246648A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12480309

申请日：2009-06-08

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A photolithography mask includes a design feature located in an isolated or semi-isolated region of the mask and a plurality of parallel linear assist features disposed substantially perpendicular to the design feature. The plurality of parallel linear assist features may include a first series of parallel assist features disposed on a first side of the design feature and perpendicularly thereto, and a second series of parallel assist features disposed on a second side of the design feature and perpendicularly thereto.

摘要翻译： 光刻掩模包括位于掩模的隔离或半隔离区域中的设计特征以及基本垂直于设计特征设置的多个平行线性辅助特征。 多个平行线性辅助特征可以包括设置在设计特征的第一侧并且垂直于其的第一系列平行辅助特征，以及设置在设计特征的第二侧上且垂直于其的第二系列平行辅助特征。

公开(公告)号：US08048590B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12480309

申请日：2009-06-08

申请人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

发明人： Yung-Sung Yen ,  Kuei Shun Chen ,  Chien-Wen Lai ,  Cherng-Shyan Tsay

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A photolithography mask includes a design feature located in an isolated or semi-isolated region of the mask and a plurality of parallel linear assist features disposed substantially perpendicular to the design feature. The plurality of parallel linear assist features may include a first series of parallel assist features disposed on a first side of the design feature and perpendicularly thereto, and a second series of parallel assist features disposed on a second side of the design feature and perpendicularly thereto.

摘要翻译： 光刻掩模包括位于掩模的隔离或半隔离区域中的设计特征以及基本垂直于设计特征设置的多个平行线性辅助特征。 多个平行线性辅助特征可以包括设置在设计特征的第一侧并且垂直于其的第一系列平行辅助特征，以及设置在设计特征的第二侧上且垂直于其的第二系列平行辅助特征。