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    Method of transferring a wafer
    1.
    发明授权
    Method of transferring a wafer 有权

    公开(公告)号：US07909677B2

    公开(公告)日：2011-03-22

    申请号：US11748477

    申请日：2007-05-14

    申请人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    发明人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    IPC分类号： B24B1/00

    CPC分类号： B24B37/345

    摘要： A method of transferring a wafer is disclosed. The method comprises providing a pedestal and at least one spray orifice extending through the pedestal; disposing a wafer above the pedestal using a first robot, wherein the wafer has a first surface and a second surface, the first surface faces the pedestal, a fluid is sprayed onto the first surface simultaneously to avoid a contact of the first surface with the pedestal, and the fluid contains a charge-forming chemical substance dissolved therein; and taking the wafer using a robot for delivery. Due to the charge-forming chemical substance dissolved in the fluid, the waterfall effect to cause discharge damage on the wafer is avoided in the spraying of the fluid.

    Method of transferring a wafer
    2.
    发明申请
    Method of transferring a wafer 有权
    转印晶片的方法

    公开(公告)号：US20080287044A1

    公开(公告)日：2008-11-20

    申请号：US11748477

    申请日：2007-05-14

    申请人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    发明人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    IPC分类号： B24B7/04

    CPC分类号： B24B37/345

    摘要： A method of transferring a wafer is disclosed. The method comprises providing a pedestal and at least one spray orifice extending through the pedestal; disposing a wafer above the pedestal using a first robot, wherein the wafer has a first surface and a second surface, the first surface faces the pedestal, a fluid is sprayed onto the first surface simultaneously to avoid a contact of the first surface with the pedestal, and the fluid contains a charge-forming chemical substance dissolved therein; and taking the wafer using a robot for delivery. Due to the charge-forming chemical substance dissolved in the fluid, the waterfall effect to cause discharge damage on the wafer is avoided in the spraying of the fluid.

    摘要翻译： 公开了一种转印晶片的方法。 该方法包括提供一个基座和至少一个延伸穿过基座的喷嘴; 使用第一机器人在基座上方设置晶片，其中晶片具有第一表面和第二表面，第一表面面向基座，流体同时喷射到第一表面上，以避免第一表面与基座接触 流体含有溶解于其中的成电化学物质; 并使用机器人取出晶片进行交付。 由于溶解在流体中的成电化学物质，在喷射流体时避免了在晶片上引起放电损坏的瀑布效应。

    Method of transferring a wafer
    3.
    发明授权
    Method of transferring a wafer 有权
    转印晶片的方法

    公开(公告)号：US08142258B2

    公开(公告)日：2012-03-27

    申请号：US12964716

    申请日：2010-12-09

    申请人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    发明人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    IPC分类号： B24B1/00

    CPC分类号： B24B37/345

    摘要： A method of transferring a wafer is disclosed. The method comprises providing a pedestal and at least one spray orifice extending through the pedestal; disposing a wafer above the pedestal using a first robot, wherein the wafer has a first surface and a second surface, the first surface faces the pedestal, a fluid is sprayed onto the first surface simultaneously to avoid a contact of the first surface with the pedestal, and the fluid contains a charge-forming chemical substance dissolved therein; and taking the wafer using a robot for delivery. Due to the charge-forming chemical substance dissolved in the fluid, the waterfall effect to cause discharge damage on the wafer is avoided in the spraying of the fluid.

    摘要翻译： 公开了一种转印晶片的方法。 该方法包括提供一个基座和至少一个延伸穿过基座的喷嘴; 使用第一机器人在基座上方设置晶片，其中晶片具有第一表面和第二表面，第一表面面向基座，流体同时喷射到第一表面上，以避免第一表面与基座接触 流体含有溶解于其中的成电化学物质; 并使用机器人取出晶片进行交付。 由于溶解在流体中的成电化学物质，在喷射流体时避免了在晶片上引起放电损坏的瀑布效应。

    Method of transferring a wafer
    4.
    发明申请
    Method of transferring a wafer 有权
    转印晶片的方法

    公开(公告)号：US20110076129A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：US12964716

    申请日：2010-12-09

    申请人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    发明人： Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chih-Jen Mao ,  Cho-Long Lin

    IPC分类号： B65G47/22

    CPC分类号： B24B37/345

    摘要： A method of transferring a wafer is disclosed. The method comprises providing a pedestal and at least one spray orifice extending through the pedestal; disposing a wafer above the pedestal using a first robot, wherein the wafer has a first surface and a second surface, the first surface faces the pedestal, a fluid is sprayed onto the first surface simultaneously to avoid a contact of the first surface with the pedestal, and the fluid contains a charge-forming chemical substance dissolved therein; and taking the wafer using a robot for delivery. Due to the charge-forming chemical substance dissolved in the fluid, the waterfall effect to cause discharge damage on the wafer is avoided in the spraying of the fluid.

    摘要翻译： 公开了一种转印晶片的方法。 该方法包括提供一个基座和至少一个延伸穿过基座的喷嘴; 使用第一机器人在基座上方设置晶片，其中晶片具有第一表面和第二表面，第一表面面向基座，流体同时喷射到第一表面上，以避免第一表面与基座接触 流体含有溶解于其中的成电化学物质; 并使用机器人取出晶片进行交付。 由于溶解在流体中的成电化学物质，在喷射流体时避免了在晶片上引起放电损坏的瀑布效应。

    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20070173065A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11307165

    申请日：2006-01-26

    申请人： Chih-Jen Mao ,  Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chun-Han Chuang

    发明人： Chih-Jen Mao ,  Kuo-Wei Yang ,  Hui-Shen Shih ,  Chun-Han Chuang

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/76828 ,  H01L21/76814

    摘要： The invention is directed to a method for manufacturing semiconductor device. The method comprises steps of providing a substrate and then forming a dielectric material-containing device over the substrate. A plasma vapor deposition process is performed to form a dielectric layer over the substrate. A first baking process is performed.

    摘要翻译： 本发明涉及半导体器件的制造方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底，然后在衬底上形成含介电材料的器件。 进行等离子体气相沉积工艺以在衬底上形成电介质层。 进行第一烘焙处理。