公开(公告)号：US20070001246A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11262944

申请日：2005-11-01

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang ,  Seung-Ryong Lee

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang ,  Seung-Ryong Lee

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/78

摘要： A gate electrode with a double diffusion barrier and a fabrication method of a semiconductor device including the same are provided. The gate electrode of a semiconductor device includes: a silicon electrode; a double diffusion barrier formed on the silicon electrode and including at least a crystalline tungsten nitride-based layer; and a metal electrode formed on the double diffusion barrier.

摘要翻译： 提供具有双扩散阻挡层的栅电极及包括该栅电极的半导体器件的制造方法。 半导体器件的栅电极包括：硅电极; 形成在所述硅电极上并且至少包含结晶氮化钨基层的双重扩散阻挡层; 以及形成在双扩散阻挡层上的金属电极。

公开(公告)号：US20080079048A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11862453

申请日：2007-09-27

申请人： Yong-Soo Kim ,  Hong-Seon Yang ,  Se-Aug Jang ,  Seung-Ho Pyi ,  Kwon Hong ,  Heung-Jae Cho ,  Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Seung-Ryong Lee ,  Tae-Yoon Kim

发明人： Yong-Soo Kim ,  Hong-Seon Yang ,  Se-Aug Jang ,  Seung-Ho Pyi ,  Kwon Hong ,  Heung-Jae Cho ,  Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Seung-Ryong Lee ,  Tae-Yoon Kim

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66621

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes providing a substrate having a bulb-type recessed region, forming a gate insulating layer over the bulb-type recessed region and the substrate, and forming a gate conductive layer over the gate insulating layer. The gate conductive layer fills the bulb-type recessed region. The gate conductive layer includes two or more conductive layers and a discontinuous interface between the conductive layers.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括提供具有灯泡型凹陷区域的衬底，在灯泡型凹陷区域上形成栅极绝缘层和衬底，并在栅极绝缘层上形成栅极导电层。 栅极导电层填充灯泡型凹陷区域。 栅极导电层包括两个或多个导电层和导电层之间的不连续界面。

公开(公告)号：US07838364B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11862453

申请日：2007-09-27

申请人： Yong-Soo Kim ,  Hong-Seon Yang ,  Se-Aug Jang ,  Seung-Ho Pyi ,  Kwon Hong ,  Heung-Jae Cho ,  Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Seung-Ryong Lee ,  Tae-Yoon Kim

发明人： Yong-Soo Kim ,  Hong-Seon Yang ,  Se-Aug Jang ,  Seung-Ho Pyi ,  Kwon Hong ,  Heung-Jae Cho ,  Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Seung-Ryong Lee ,  Tae-Yoon Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66621

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes providing a substrate having a bulb-type recessed region, forming a gate insulating layer over the bulb-type recessed region and the substrate, and forming a gate conductive layer over the gate insulating layer. The gate conductive layer fills the bulb-type recessed region. The gate conductive layer includes two or more conductive layers and a discontinuous interface between the conductive layers.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括提供具有灯泡型凹陷区域的衬底，在灯泡型凹陷区域上形成栅极绝缘层和衬底，并在栅极绝缘层上形成栅极导电层。 栅极导电层填充灯泡型凹陷区域。 栅极导电层包括两个或多个导电层和导电层之间的不连续界面。

公开(公告)号：US08441079B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13043385

申请日：2011-03-08

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive layer, a first intermediate structure over the first conductive layer, a second intermediate structure over the first intermediate structure, and a second conductive layer over the second intermediate structure. The first intermediate structure includes a metal silicide layer and a nitrogen containing metal layer. The second intermediate structure includes at least a nitrogen containing metal silicide layer.

公开(公告)号：US08319341B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12861679

申请日：2010-08-23

申请人： Min-Gyu Sung ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Kwan-Yong Lim

发明人： Min-Gyu Sung ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Kwan-Yong Lim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4941

摘要： A gate structure of a semiconductor device includes an intermediate structure, wherein the intermediate structure includes a titanium layer and a tungsten silicide layer. A method for forming a gate structure of a semiconductor device includes forming a polysilicon-based electrode. An intermediate structure, which includes a titanium layer and a tungsten silicide layer, is formed over the polysilicon-based electrode. A metal electrode is formed over the intermediate structure.

摘要翻译： 半导体器件的栅极结构包括中间结构，其中中间结构包括钛层和硅化钨层。 一种用于形成半导体器件的栅极结构的方法包括形成多晶硅基电极。 在多晶硅基电极上形成包括钛层和硅化钨层的中间结构。 在中间结构上形成金属电极。

公开(公告)号：US08048742B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11819888

申请日：2007-06-29

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Dong-Sun Sheen ,  Se-Aug Jang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung ,  Tae-Yoon Kim

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Dong-Sun Sheen ,  Se-Aug Jang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung ,  Tae-Yoon Kim

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/78

摘要： A method for fabricating a transistor including a bulb-type recess channel includes forming a bulb-type recess pattern in a substrate, forming a gate insulating layer over the substrate and the bulb-type recess pattern, forming a first gate conductive layer over the gate insulating layer, forming a void movement blocking layer over the first gate conductive layer in the bulb-type recess pattern, and forming a second gate conductive layer over the void movement blocking layer and the first gate conductive layer.

摘要翻译： 一种制造包括灯泡型凹槽的晶体管的方法，包括在衬底中形成灯泡型凹槽图案，在衬底上形成栅极绝缘层和灯泡型凹槽图案，在栅极上形成第一栅极导电层 绝缘层，在所述灯泡型凹槽图案中的所述第一栅极导电层的上方形成空隙移动阻挡层，以及在所述空隙运动阻挡层和所述第一栅极导电层上方形成第二栅极导电层。

公开(公告)号：US07902614B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11862003

申请日：2007-09-26

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

IPC分类号： H01L29/423

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive layer, a first intermediate structure over the first conductive layer, a second intermediate structure over the first intermediate structure, and a second conductive layer over the second intermediate structure. The first intermediate structure includes a metal silicide layer and a nitrogen containing metal layer. The second intermediate structure includes at least a nitrogen containing metal silicide layer.

摘要翻译： 半导体器件包括第一导电层，第一导电层上的第一中间结构，第一中间结构之上的第二中间结构以及第二中间结构上的第二导电层。 第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层。 第二中间结构至少包括含氮金属硅化物层。

公开(公告)号：US07687389B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11448678

申请日：2006-06-08

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28247

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a gate insulation layer over a substrate, forming a first gate conductive layer over the gate insulation layer, forming a barrier metal over the first gate conductive layer, sequentially forming a second gate conductive layer and a gate hard mask over the barrier metal, patterning the gate hard mask, the second gate conductive layer, the barrier metal, the first gate conductive layer, and the gate insulation layer to form a gate pattern, and performing a plasma selective gate re-oxidation process on the gate pattern.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成第一栅极导电层，在第一栅极导电层上形成阻挡金属，依次形成第二栅极导电层和栅极 图案化栅极硬掩模，第二栅极导电层，势垒金属，第一栅极导电层和栅极绝缘层以形成栅极图案，并且执行等离子体选择性栅极再氧化工艺 在门模式上。

公开(公告)号：US20080157383A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11862003

申请日：2007-09-26

申请人： Kwan-Yong LIM ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

发明人： Kwan-Yong LIM ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive layer, a first intermediate structure over the first conductive layer, a second intermediate structure over the first intermediate structure, and a second conductive layer over the second intermediate structure. The first intermediate structure includes a metal silicide layer and a nitrogen containing metal layer. The second intermediate structure includes at least a nitrogen containing metal silicide layer.

摘要翻译： 半导体器件包括第一导电层，第一导电层上的第一中间结构，第一中间结构之上的第二中间结构以及第二中间结构上的第二导电层。 第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层。 第二中间结构至少包括含氮金属硅化物层。

公开(公告)号：US20110186920A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13043385

申请日：2011-03-08

申请人： Kwan-Yong LIM ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

发明人： Kwan-Yong LIM ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive layer, a first intermediate structure over the first conductive layer, a second intermediate structure over the first intermediate structure, and a second conductive layer over the second intermediate structure. The first intermediate structure includes a metal silicide layer and a nitrogen containing metal layer. The second intermediate structure includes at least a nitrogen containing metal silicide layer.

摘要翻译： 半导体器件包括第一导电层，第一导电层上的第一中间结构，第一中间结构之上的第二中间结构以及第二中间结构上的第二导电层。 第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层。 第二中间结构至少包括含氮金属硅化物层。