公开(公告)号：US20110220904A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US12983447

申请日：2011-01-03

申请人： Kwon-Hyung LEE ,  Cheol-Ho PARK ,  In-Do CHUNG ,  Jae-Beom CHOI

发明人： Kwon-Hyung LEE ,  Cheol-Ho PARK ,  In-Do CHUNG ,  Jae-Beom CHOI

IPC分类号： H01L29/786 ,  G21K5/08 ,  H01L21/268 ,  G03F1/00

CPC分类号： H01L27/1285 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268

摘要： A mask for sequential lateral solidification (SLS) which is capable of preventing an overlapping region and a diagonal stain based on a crystallization pattern of an active layer. The mask for SLS, which moves in a first direction and selectively transmits a laser beam emitted by a laser emitting device, includes slits which are formed such that the width of a slit in the first direction is smaller than the width of the slit in a second direction, which is perpendicular to the first direction. Each of the slits is tilted by a predetermined angle with respect to the first direction.

摘要翻译： 一种用于连续侧向凝固（SLS）的掩模，其能够基于活性层的结晶图案防止重叠区域和对角线染色。 用于SLS的掩模，其在第一方向上移动并选择性地透射由激光发射器件发射的激光束，包括狭缝，其形成为使得第一方向上的狭缝的宽度小于狭缝的宽度， 第二方向，其垂直于第一方向。 每个狭缝相对于第一方向倾斜预定角度。

公开(公告)号：US20120299000A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13462189

申请日：2012-05-02

申请人： Byoung-Kwon CHOO ,  Hyun-Been HWANG ,  Kwon-Hyung LEE ,  Cheol-Ho PARK

发明人： Byoung-Kwon CHOO ,  Hyun-Been HWANG ,  Kwon-Hyung LEE ,  Cheol-Ho PARK

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78645

摘要： A thin film transistor (TFT) having an active layer pattern, the active layer pattern including a first active layer pattern extending in a first direction; a second active layer pattern extending in the first direction and parallel to the first active layer pattern; and a third active layer pattern connecting a first end of the first active layer pattern to a first end of the second active layer pattern.

摘要翻译： 一种具有有源层图案的薄膜晶体管（TFT），所述有源层图案包括沿第一方向延伸的第一有源层图案; 第二有源层图案，其在所述第一方向上延伸并平行于所述第一有源层图案; 以及将第一有源层图案的第一端连接到第二有源层图案的第一端的第三有源层图案。

公开(公告)号：US20130280895A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13761276

申请日：2013-02-07

申请人： Byoung-Kwon CHOO ,  Cheol-Ho PARK ,  Kwon-Hyung LEE ,  Sung-Chul PYO

发明人： Byoung-Kwon CHOO ,  Cheol-Ho PARK ,  Kwon-Hyung LEE ,  Sung-Chul PYO

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67115 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691

摘要： Laser crystallization equipment includes a laser generator generating a laser beam, the laser beam being directed toward a processing target substrate, and a blade member over the processing target substrate, the blade member being configured to chop the laser beam with a predetermined width in two directions, wherein two ends of the laser beam chopped by the blade member are irradiated to the processing target substrate as diffraction light.

摘要翻译： 激光结晶设备包括产生激光束的激光发生器，激光束朝向处理对象基板，以及在处理对象基板上的刀片部件，所述刀片部件被配置为以两个方向以预定宽度切割激光束 其中由刀片部件切碎的激光束的两端作为衍射光照射到处理对象基板。

公开(公告)号：US20100044685A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12413842

申请日：2009-03-30

申请人： Soo-Hyun KIM ,  Cheol-Ho PARK ,  Jong-Hyun PARK ,  Sun PARK ,  Chun-Gi YOU ,  Yul-Kyu LEE

发明人： Soo-Hyun KIM ,  Cheol-Ho PARK ,  Jong-Hyun PARK ,  Sun PARK ,  Chun-Gi YOU ,  Yul-Kyu LEE

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L27/3272 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0052

摘要： An organic light emitting diode display including a substrate; a light blocking layer disposed on the substrate and having a semiconductor opening; a first semiconductor pattern disposed in the semiconductor opening; a gate insulating layer disposed on the light blocking layer and the first semiconductor pattern; a first gate electrode disposed on the gate insulating layer; a first source electrode electrically connected to the first semiconductor pattern; a first drain electrode spaced apart from the first source electrode; a protective insulating layer disposed on the first source electrode and the first drain electrode, the protective insulating layer having a contact portion; a pixel electrode disposed on the protective insulating layer contacting the first drain electrode through the contact portion; an emitting layer disposed on the pixel electrode; and a common electrode disposed on the emitting layer.

摘要翻译： 一种有机发光二极管显示器，包括基板; 遮光层，设置在所述基板上并具有半导体开口; 设置在半导体开口中的第一半导体图案; 设置在所述遮光层和所述第一半导体图案上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的第一栅电极; 电连接到第一半导体图案的第一源电极; 与所述第一源电极间隔开的第一漏电极; 保护绝缘层，设置在所述第一源电极和所述第一漏电极上，所述保护绝缘层具有接触部分; 设置在所述保护绝缘层上的像素电极，所述保护绝缘层通过所述接触部分接触所述第一漏电极; 设置在像素电极上的发光层; 以及设置在发光层上的公共电极。

公开(公告)号：US20120184112A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13431852

申请日：2012-03-27

申请人： Cheol-Ho PARK

发明人： Cheol-Ho PARK

IPC分类号： H01L21/268

CPC分类号： H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10T428/24314

摘要： A mask for crystallizing a semiconductor layer includes a plurality of first main-slit portions, a plurality of second main-slit portions, upper slit portion and lower slit portion. The first main-slit portions extend along an inclined direction with respect to a first direction. The second main-slit portions are spaced apart from the first main-slit portions. The upper slit portion is disposed on the first main-slit portions along a second direction to be parallel to the first main-slit portions, and extends partway over the second main-slit portions to be longer than the first main-slit portions. The lower slit portion is disposed under the second main-slit portions along the second direction to be parallel to the second main-slit portions, and extends partway under the first main-slit portions to be longer than the second main-slit portions.

摘要翻译： 用于使半导体层结晶的掩模包括多个第一主狭缝部分，多个第二主狭缝部分，上部狭缝部分和下部狭缝部分。 第一主狭缝部分沿着相对于第一方向的倾斜方向延伸。 第二主狭缝部分与第一主狭缝部分间隔开。 上缝隙部分沿着与第一主狭缝部分平行的第二方向设置在第一主狭缝部分上，并且在第二主狭缝部分上方延伸成比第一主狭缝部分长。 下狭缝部分沿着第二方向设置在第二主狭缝部分的下方以与第二主狭缝部分平行，并且在第一主狭缝部分的下方延伸以比第二主狭缝部分长。