公开(公告)号：US07782666B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12076392

申请日：2008-03-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Jung Hun Sung ,  Sung-Jae Byun ,  Seung-Hwan Song ,  Donghun Yu ,  Sung Chung Park ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Jung Hun Sung ,  Sung-Jae Byun ,  Seung-Hwan Song ,  Donghun Yu ,  Sung Chung Park ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

摘要： Multi-bit programming apparatuses and/or methods are provided. A multi-bit programming apparatus may include: a first control unit that allocates any one of 2N threshold voltage states to the N-bit data; a second control unit that spaces, by any one of a first interval and a second interval, adjacent threshold voltage states of the 2N threshold voltage states; and a programming unit that programs the N-bit data by generating, in each of the at least one multi-bit cell, a distribution state corresponding to the allocated threshold voltage state. The multi-bit programming apparatus can reduce an error rate when reading data.

摘要翻译： 提供了多位编程设备和/或方法。 多比特编程装置可以包括：第一控制单元，其向N比特数据分配2N个阈值电压状态中的任何一个; 第二控制单元，其以第一间隔和第二间隔中的任一个间隔相邻的阈值电压状态的阈值电压状态; 以及编程单元，其通过在所述至少一个多位单元中的每一个中生成与所分配的阈值电压状态相对应的分布状态来对所述N位数据进行编程。 多位编程装置可以在读取数据时降低错误率。

公开(公告)号：US20090185417A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US07738293B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US08279668B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US07843727B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US20090190397A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US08373782B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US12662673

申请日：2010-04-28

申请人： Eric Fossum ,  Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Young Gu Jin ,  Seung Hoon Lee ,  Sung-Jae Byun

发明人： Eric Fossum ,  Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Young Gu Jin ,  Seung Hoon Lee ,  Sung-Jae Byun

IPC分类号： H04N3/14 ,  H04N5/335

CPC分类号： H04N5/3575 ,  H04N5/378

摘要： An image sensor including a noise removing unit may sense images accurately by measuring the amount of noise generated when the image sensor does not perform a sensing operation, storing information about the measured noise amount in each pixel, and removing photocharge corresponding to the information about the measured noise amount during image sensing.

摘要翻译： 包括噪声消除单元的图像传感器可以通过测量当图像传感器不执行感测操作时产生的噪声量，存储关于每个像素中测得的噪声量的信息，并且除去与关于 测量图像感测时的噪声量。

公开(公告)号：US20090190396A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12219264

申请日：2008-07-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Dong Hun Yu ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jong Han Kim ,  Young Hwan Lee

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory device and a method of reading multi-bit data stored in a multi-bit cell array may be provided. The memory device may include a multi-bit cell array including a least one memory page with each memory page having a plurality of multi-bit cells, and a determination unit to divide the plurality of multi-bit cells into a first group and second group. The first group may include multi-bit cells with a threshold voltage higher than a reference voltage. The second group may include multi-bit cells with a threshold voltage lower than the reference voltage. The determination unit may sequentially update the first group and second group while changing the reference voltage.

摘要翻译： 可以提供存储器件和读取存储在多位单元阵列中的多位数据的方法。 存储器件可以包括多比特单元阵列，其包括至少一个存储器页，每个存储器页具有多个多位单元，以及确定单元，用于将多个多位单元划分成第一组和第二组 。 第一组可以包括具有高于参考电压的阈值电压的多位单元。 第二组可以包括阈值电压低于参考电压的多位单元。 确定单元可以在改变参考电压的同时顺序地更新第一组和第二组。

公开(公告)号：US20100277622A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12662673

申请日：2010-04-28

申请人： Eric Fossum ,  Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Young Gu Jin ,  Seung Hoon Lee ,  Sung-Jae Byun

发明人： Eric Fossum ,  Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Young Gu Jin ,  Seung Hoon Lee ,  Sung-Jae Byun

IPC分类号： H04N5/217

CPC分类号： H04N5/3575 ,  H04N5/378

摘要： An image sensor including a noise removing unit may sense images accurately by measuring the amount of noise generated when the image sensor does not perform a sensing operation, storing information about the measured noise amount in each pixel, and removing photocharge corresponding to the information about the measured noise amount during image sensing.

摘要翻译： 包括噪声消除单元的图像传感器可以通过测量当图像传感器不执行感测操作时产生的噪声量，存储关于每个像素中测得的噪声量的信息，并且除去与关于 测量图像感测时的噪声量。

公开(公告)号：US08305818B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13303353

申请日：2011-11-23

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae-Hong Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae-Hong Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.

摘要翻译： 提供了可以估计多位单元特性的存储器件和/或方法。 存储器设备可以包括：多位单元阵列; 监测单元，用于提取从对应于存储在多位单元阵列中的数据的多个阈值电压状态中选择的参考阈值电压状态的时间值的阈值电压变化; 以及估计单元，用于基于所提取的阈值电压变化来估计所述多个阈值电压状态的时间值的阈值电压变化。 由此，可以监视存储单元的阈值电压随时间的变化。