公开(公告)号：US08385122B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12656043

申请日：2010-01-14

申请人： Won-joo Kim ,  Yoon-dong Park ,  Jung-hun Sung ,  Yong-koo Kyoung ,  Sang-moo Choi ,  Tae-hee Lee

发明人： Won-joo Kim ,  Yoon-dong Park ,  Jung-hun Sung ,  Yong-koo Kyoung ,  Sang-moo Choi ,  Tae-hee Lee

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11578 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556

摘要： Provided are a non-volatile memory devices having a stacked structure, and a memory card and a system including the same. A non-volatile memory device may include a substrate. A stacked NAND cell array may have at least one NAND set and each NAND set may include a plurality of NAND strings vertically stacked on the substrate. At least one signal line may be arranged on the substrate so as to be commonly coupled with the at least one NAND set.

摘要翻译： 提供了具有堆叠结构的非易失性存储器件，以及存储卡和包括其的系统。 非易失性存储器件可以包括衬底。 堆叠的NAND单元阵列可以具有至少一个NAND组，并且每个NAND组可以包括垂直堆叠在衬底上的多个NAND串。 至少一个信号线可以布置在衬底上，以便与至少一个NAND组共同耦合。

公开(公告)号：US08062978B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12219987

申请日：2008-07-31

申请人： Sang-moo Choi ,  Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park

发明人： Sang-moo Choi ,  Jung-hun Sung ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： Crystalline aluminum oxide layers having increased energy band gap, charge trap memory devices including crystalline aluminum oxide layers and methods of manufacturing the same are provided. A method of forming an aluminum oxide layer having an increased energy band gap includes forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower film, introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and crystallizing the amorphous aluminum oxide layer including the H or OH.

摘要翻译： 提供具有增加的能带隙的结晶氧化铝层，包括结晶氧化铝层的电荷陷阱存储器件及其制造方法。 形成具有增加的能带隙的氧化铝层的方法包括在下膜上形成无定形氧化铝层，将氢（H）或羟基（OH）引入到无定形氧化铝层中，并使非晶态氧化铝 层包括H或OH。

公开(公告)号：US20090225581A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12379894

申请日：2009-03-04

申请人： Deok-kee Kim ,  Ha-young You ,  Young-chang Joo ,  Jung-hun Sung ,  Soo-jung Hwang ,  Sung-yup Jung

发明人： Deok-kee Kim ,  Ha-young You ,  Young-chang Joo ,  Jung-hun Sung ,  Soo-jung Hwang ,  Sung-yup Jung

IPC分类号： G11C17/00 ,  H01L29/66 ,  G11C7/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C11/5692

摘要： A memory device may include a cathode, an anode, a link connected to the anode, and a first connection element that connects the link to the cathode. The link and the anode may be located in a position lower than that of the cathode or the link and the anode may be located in a position higher than that of the cathode. Also, the cathode, the anode, the link, and the first connection element may be formed on the same plane.

摘要翻译： 存储器件可以包括阴极，阳极，连接到阳极的连杆以及将连杆连接到阴极的第一连接元件。 连接件和阳极可以位于比阴极或连接件低的位置，并且阳极可以位于比阴极高的位置。 此外，阴极，阳极，连接件和第一连接元件也可以形成在同一平面上。

公开(公告)号：US20090109748A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12076392

申请日：2008-03-18

申请人： Kyoung Lae CHO ,  Yoon Dong PARK ,  Jun Jin KONG ,  Seung Hoon LEE ,  Jung Hun SUNG ,  Sung-Jae BYUN ,  Seung-Hwan SONG ,  Donghun YU ,  Sung Chung PARK ,  Heeseok EUN

发明人： Kyoung Lae CHO ,  Yoon Dong PARK ,  Jun Jin KONG ,  Seung Hoon LEE ,  Jung Hun SUNG ,  Sung-Jae BYUN ,  Seung-Hwan SONG ,  Donghun YU ,  Sung Chung PARK ,  Heeseok EUN

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

摘要： Multi-bit programming apparatuses and/or methods are provided. A multi-bit programming apparatus may include: a first control unit that allocates any one of 2N threshold voltage states to the N-bit data; a second control unit that spaces, by any one of a first interval and a second interval, adjacent threshold voltage states of the 2N threshold voltage states; and a programming unit that programs the N-bit data by generating, in each of the at least one multi-bit cell, a distribution state corresponding to the allocated threshold voltage state. The multi-bit programming apparatus can reduce an error rate when reading data.

摘要翻译： 提供了多位编程设备和/或方法。 多位编程装置可以包括：第一控制单元，其向N位数据分配2N个阈值电压状态中的任何一个; 第二控制单元，其以第一间隔和第二间隔中的任一个间隔相邻的阈值电压状态的阈值电压状态; 以及编程单元，其通过在所述至少一个多位单元中的每一个中生成与所分配的阈值电压状态相对应的分布状态来对所述N位数据进行编程。 多位编程装置可以在读取数据时降低错误率。

公开(公告)号：US20090050954A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12071351

申请日：2008-02-20

申请人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jung-hun Sung

发明人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Jung-hun Sung

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/40117

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a method of manufacturing the non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a charge trap layer having a crystalline material. In the method, a tunneling insulating layer is formed on a substrate, and a crystalline charge trap layer is formed on the tunneling insulating layer.

摘要翻译： 提供了非易失性存储器件和制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括具有结晶材料的电荷陷阱层。 在该方法中，在基板上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层上形成结晶电荷陷阱层。

公开(公告)号：US08043952B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12153655

申请日：2008-05-22

申请人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Eun-ha Lee ,  Jung-hun Sung

发明人： Sang-moo Choi ,  Kwang-soo Seol ,  Woong-chul Shin ,  Sang-jin Park ,  Eun-ha Lee ,  Jung-hun Sung

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162

摘要： Provided is a method of forming an aluminum oxide layer and a method of manufacturing a charge trap memory device using the same. The method of forming an aluminum oxide layer may include forming an amorphous aluminum oxide layer on an underlying layer, forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and crystallizing the amorphous aluminum oxide layer. Forming the crystalline auxiliary layer may include forming an amorphous auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer; and crystallizing the amorphous auxiliary layer.

摘要翻译： 提供一种形成氧化铝层的方法以及使用其形成电荷阱存储器件的方法。 形成氧化铝层的方法可以包括在下层上形成非晶态氧化铝层，在非晶态氧化铝层上形成结晶性辅助层，并使无定形氧化铝层结晶。 形成结晶辅助层可以包括在无定形氧化铝层上形成非晶态辅助层; 并使无定形辅助层结晶。

公开(公告)号：US07929330B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12379894

申请日：2009-03-04

申请人： Deok-kee Kim ,  Ha-young You ,  Young-chang Joo ,  Jung-hun Sung ,  Soo-jung Hwang ,  Sung-yup Jung

发明人： Deok-kee Kim ,  Ha-young You ,  Young-chang Joo ,  Jung-hun Sung ,  Soo-jung Hwang ,  Sung-yup Jung

IPC分类号： G11C17/06

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C11/5692

摘要： A memory device may include a cathode, an anode, a link connected to the anode, and a first connection element that connects the link to the cathode. The link and the anode may be located in a position lower than that of the cathode or the link and the anode may be located in a position higher than that of the cathode. Also, the cathode, the anode, the link, and the first connection element may be formed on the same plane.

摘要翻译： 存储器件可以包括阴极，阳极，连接到阳极的连杆以及将连杆连接到阴极的第一连接元件。 连接件和阳极可以位于比阴极或连接件低的位置，并且阳极可以位于比阴极高的位置。 此外，阴极，阳极，连接件和第一连接元件也可以形成在同一平面上。

公开(公告)号：US20080087944A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11905769

申请日：2007-10-04

申请人： Sang-min Shin ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-Jin Park ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

发明人： Sang-min Shin ,  Kwang-soo Seol ,  Sang-Jin Park ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L29/40114

摘要： A charge trap memory device may include a tunnel insulating layer formed on a substrate. A charge trap layer may be formed on the tunnel insulating layer, wherein the charge trap layer is a higher-k dielectric insulating layer doped with one or more transition metals. The tunneling insulating layer may be relatively non-reactive with respect to metals in the charge trap layer. The tunneling insulating layer may also reduce or prevent metals in the charge trap layer from diffusing into the substrate.

摘要翻译： 电荷陷阱存储器件可以包括形成在衬底上的隧道绝缘层。 电荷陷阱层可以形成在隧道绝缘层上，其中电荷陷阱层是掺杂有一种或多种过渡金属的较高k介电绝缘层。 隧穿绝缘层相对于电荷陷阱层中的金属可能是相对不反应的。 隧道绝缘层还可以减少或防止电荷陷阱层中的金属扩散到衬底中。

公开(公告)号：US07760551B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US12232082

申请日：2008-09-10

申请人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol ,  Ki-hwan Choi ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

发明人： Sang-jin Park ,  Kwang-soo Seol ,  Ki-hwan Choi ,  Jung-hun Sung ,  Sang-moo Choi

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3486

摘要： A method of programming a nonvolatile memory device may include applying a program voltage to a memory cell. A supplementary pulse may be applied to the memory cell to facilitate thermalization of charges after the application of the program voltage. A recovery voltage may be applied to the memory cell after the application of the supplementary pulse. A program state of the memory cell may be verified using a verification voltage after the application of the recovery voltage.

摘要翻译： 非易失性存储器件的编程方法可以包括将程序电压施加到存储单元。 补充脉冲可以施加到存储器单元，以便在施加编程电压之后促进电荷的热化。 在施加补充脉冲之后，可以将复原电压施加到存储单元。 可以在施加恢复电压之后使用验证电压来验证存储器单元的编程状态。

公开(公告)号：US20090256624A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12385391

申请日：2009-04-07

申请人： Deok-kee Kim ,  Jung-Hun Sung ,  Sang-moo Choi ,  Soo-Jung Hwang

发明人： Deok-kee Kim ,  Jung-Hun Sung ,  Sang-moo Choi ,  Soo-Jung Hwang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01H85/00 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are an antifuse and methods of operating and manufacturing the same. The antifuse may include first and second conductors separate from each other; a dielectric layer for an antifuse between the first and second conductors; and a diffusion layer between one of the first and second conductors and the dielectric layer.

摘要翻译： 提供反熔丝及其操作和制造方法。 反熔丝可以包括彼此分离的第一和第二导体; 用于第一和第二导体之间的反熔丝的电介质层; 以及在第一和第二导体之一和介电层之间的扩散层。