公开(公告)号：US20090050982A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11754820

申请日：2007-05-29

申请人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  XinPeng Wang ,  Mingfu Li ,  HongYu Yu

发明人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  XinPeng Wang ,  Mingfu Li ,  HongYu Yu

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785

摘要： A new MOSFET device is described comprising a metal gate electrode, a gate dielectric and an interfacial layer. The interfacial layer comprises a lanthanum hafnium oxide material for modulating the effective work function of the metal gate. The gate dielectric material in contact with the interfacial layer is different that the interfacial layer material. A method for its manufacture is also provided and its applications.

摘要翻译： 描述了一种新的MOSFET器件，其包括金属栅极电极，栅极电介质和界面层。 界面层包括用于调节金属栅极的有效功函数的镧氧化镧材料。 与界面层接触的栅极电介质材料与界面层材料不同。 还提供了其制造方法及其应用。

公开(公告)号：US20070272967A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11754775

申请日：2007-05-29

申请人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  Geoffrey Pourtois ,  HongYu Yu

发明人： Luigi Pantisano ,  Tom Schram ,  Stefan De Gendt ,  Amal Akheyar ,  Geoffrey Pourtois ,  HongYu Yu

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785

摘要： A new MOSFET device is described comprising a metal gate electrode, a gate dielectric and an interfacial layer. The electrostatic potential at an interface between the gate electrode and the gate dielectric of a MOSFET device can be controlled by introducing one or more interfacial layer(s) of a dielectric material, at the monolayer(s) level (i.e., preferably two monolayers), between the gate electrode and the gate dielectric. A method for its manufacture is also provided and its applications.

摘要翻译： 描述了一种新的MOSFET器件，其包括金属栅极电极，栅极电介质和界面层。 可以通过在单层（即，优选两个单层）处引入介电材料的一个或多个界面层来控制MOSFET器件的栅极电极和栅极电介质之间的界面处的静电电位， ，在栅极电极和栅极电介质之间。 还提供了其制造方法及其应用。