专利检索 ap:("MERCK & CO INC") AND inv:"BARKEMEYER HENRY R" 第 1 页

1.

发明授权
Apparatus for the preparation of semiconductor material 失效
标题翻译：半导体材料制备装置

公开(公告)号：US3231337A

公开(公告)日：1966-01-25

申请号：US31970663

申请日：1963-10-29

申请人： MERCK & CO INC

发明人： BARKEMEYER HENRY R , MCALEER WILLIAM J , POLLAK PETER I

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , Y10S148/006 , Y10S148/119

2.

发明授权
Production of semiconductor films 失效
标题翻译：生产半导体薄膜

公开(公告)号：US3063871A

公开(公告)日：1962-11-13

申请号：US84838059

申请日：1959-10-23

申请人： MERCK & CO INC

发明人： BARKEMEYER HENRY R , MCALEER WILLIAM J , POLLAK PETER I

IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/14

CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/06 , Y10S148/052

3.

发明授权
Semiconductor process and products produced thereby 失效
标题翻译：由此制造半导体工艺和产品

公开(公告)号：US3306713A

公开(公告)日：1967-02-28

申请号：US22448662

申请日：1962-09-18

申请人： MERCK & CO INC

发明人： BARKEMEYER HENRY R , MCALEER WILLIAM J , IMMANUEL POLLAK PETER

IPC分类号： C01B25/06 , C30B25/00 , H01L21/00

CPC分类号： C30B29/40 , C01B25/06 , C30B25/005 , C30B29/00 , C30B29/62 , H01L21/00

4.

发明授权
Critical cooling rate in vapor deposition process to form bladelike semiconductor compound crystals 失效
标题翻译：气相沉积工艺中的临界冷却速率，形成双晶半导体复合晶体

公开(公告)号：US3206406A

公开(公告)日：1965-09-14

申请号：US23676162

申请日：1962-10-31

申请人： MERCK & CO INC

发明人： BARKEMEYER HENRY R , MCALEER WILLIAM J , POLLAK PETER I

IPC分类号： C01B33/02 , C30B25/00 , H01L21/00 , H01L29/201

CPC分类号： C30B29/40 , C01B33/02 , C30B25/005 , H01L21/00 , H01L29/201 , Y10S252/951