公开(公告)号：US20090072234A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12313089

申请日：2008-11-17

申请人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

发明人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L22/32

摘要： In the present electronic test structure comprising, a conductor is provided, overlying a substrate. An electronic device overlies a portion of the conductor and includes a first electrode connected to the conductor, a second electrode, and an insulating layer between the first and second electrodes. A portion of the conductor is exposed for access thereto.

摘要翻译： 在本发明的电子测试结构中，提供了覆盖基板的导体。 电子器件覆盖导体的一部分，并且包括连接到导体的第一电极，第二电极和在第一和第二电极之间的绝缘层。 导体的一部分被暴露以便进入其中。

公开(公告)号：US20080128691A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11633930

申请日：2006-12-05

申请人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

发明人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L22/32

摘要： In the present electronic test structure comprising, a conductor is provided, overlying a substrate. An electronic device overlies a portion of the conductor and includes a first electrode connected to the conductor, a second electrode, and an insulating layer between the first and second electrodes. A portion of the conductor is exposed for access thereto.

公开(公告)号：US08803120B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13271129

申请日：2011-10-11

申请人： Manuj Rathor ,  An Chen ,  Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle

发明人： Manuj Rathor ,  An Chen ,  Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： In an electronic device, a diode and a resistive memory device are connected in series. The diode may take a variety of forms, including oxide or silicon layers, and one of the layers of the diode may make up a layer of the resistive memory device which is in series with that diode.

摘要翻译： 在电子设备中，串联连接二极管和电阻式存储器件。 二极管可以采取各种形式，包括氧化物或硅层，并且二极管的一个层可以构成与该二极管串联的电阻存储器件的层。

公开(公告)号：US07468525B2

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：US11633930

申请日：2006-12-05

申请人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

发明人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L22/32

摘要： In the present electronic test structure comprising, a conductor is provided, overlying a substrate. An electronic device overlies a portion of the conductor and includes a first electrode connected to the conductor, a second electrode, and an insulating layer between the first and second electrodes. A portion of the conductor is exposed for access thereto.

摘要翻译： 在本发明的电子测试结构中，提供了覆盖基板的导体。 电子器件覆盖导体的一部分，并且包括连接到导体的第一电极，第二电极和在第一和第二电极之间的绝缘层。 导体的一部分被暴露以便进入其中。

公开(公告)号：US08035099B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12072588

申请日：2008-02-27

申请人： Manuj Rathor ,  An Chen ,  Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle

发明人： Manuj Rathor ,  An Chen ,  Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： In an electronic device, a diode and a resistive memory device are connected in series. The diode may take a variety of forms, including oxide or silicon layers, and one of the layers of the diode may make up a layer of the resistive memory device which is in series with that diode.

摘要翻译： 在电子设备中，串联连接二极管和电阻式存储器件。 二极管可以采取各种形式，包括氧化物或硅层，并且二极管的一个层可以构成与该二极管串联的电阻存储器件的层。

公开(公告)号：US08084770B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12313089

申请日：2008-11-17

申请人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

发明人： Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle ,  Manuj Rathor ,  An Chen ,  Sameer Haddad ,  Nicholas Tripsas ,  Matthew Buynoski

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L22/32

摘要： In the present electronic test structure comprising, a conductor is provided, overlying a substrate. An electronic device overlies a portion of the conductor and includes a first electrode connected to the conductor, a second electrode, and an insulating layer between the first and second electrodes. A portion of the conductor is exposed for access thereto.

摘要翻译： 在本发明的电子测试结构中，提供了覆盖基板的导体。 电子器件覆盖导体的一部分，并且包括连接到导体的第一电极，第二电极和在第一和第二电极之间的绝缘层。 导体的一部分被暴露以便进入其中。

公开(公告)号：US20090212283A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12072588

申请日：2008-02-27

申请人： Manuj Rathor ,  An Chen ,  Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle

发明人： Manuj Rathor ,  An Chen ,  Steven Avanzino ,  Suzette K. Pangrle

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： In an electronic device, a diode and a resistive memory device are connected in series. The diode may take a variety of forms, including oxide or silicon layers, and one of the layers of the diode may make up a layer of the resistive memory device which is in series with that diode.

摘要翻译： 在电子设备中，串联连接二极管和电阻式存储器件。 二极管可以采取各种形式，包括氧化物或硅层，并且二极管的一个层可以构成与该二极管串联的电阻存储器件的层。

公开(公告)号：US07384800B1

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11633942

申请日：2006-12-05

申请人： Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  An Chen ,  Yi-Ching Jean Wu ,  Suzette K. Pangrle ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  An Chen ,  Yi-Ching Jean Wu ,  Suzette K. Pangrle ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002

摘要： In the method of fabricating a metal-insulator-metal (MIM) device, a first electrode of α-Ta is provided. The Ta of the first electrode is oxidized to form a Ta2O5 layer on the first electrode. A second electrode of β-Ta is provided on the Ta2O5 layer. Such a device exhibits strong data retention, along with resistance to performance degradation under high temperatures.

摘要翻译： 在制造金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）器件的方法中，提供了α-Ta的第一电极。 在第一电极上氧化第一电极的Ta以形成Ta 2 O 5 O 5层。 β-Ta的第二电极设置在Ta 2 O 5层上。 这种器件表现出强大的数据保持性，同时耐高温下的性能降解。

公开(公告)号：US20080127480A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11633942

申请日：2006-12-05

申请人： Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  An Chen ,  Yi-Ching Jean Wu ,  Suzette K. Pangrle ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  An Chen ,  Yi-Ching Jean Wu ,  Suzette K. Pangrle ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01S4/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002

摘要： In the method of fabricating a metal-insulator-metal (MIM) device, a first electrode of α-Ta is provided. The Ta of the first electrode is oxidized to form a Ta2O5 layer on the first electrode. A second electrode of β-Ta is provided on the Ta2O5 layer. Such a device exhibits strong data retention, along with resistance to performance degradation under high temperatures.

摘要翻译： 在制造金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）器件的方法中，提供了α-Ta的第一电极。 在第一电极上氧化第一电极的Ta以形成Ta 2 O 5 O 5层。 β-Ta的第二电极设置在Ta 2 O 5层上。 这种器件表现出强大的数据保持性，同时耐高温下的性能降解。

公开(公告)号：US20100051960A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12201851

申请日：2008-08-29

申请人： An Chen ,  Zoran Krivokapic

发明人： An Chen ,  Zoran Krivokapic

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/78684 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781

摘要： A graphene-based device is formed with a trench in one or more layers of material, a graphene layer within the trench, and a device structure on the graphene layer and within the trench. Fabrication techniques includes forming a trench defined by one or more layers of material, forming a graphene layer within the trench, and forming a device structure on the graphene layer and within the trench.

摘要翻译： 基于石墨烯的器件形成有一层或多层材料中的沟槽，沟槽内的石墨烯层，以及石墨烯层和沟槽内的器件结构。 制造技术包括形成由一层或多层材料限定的沟槽，在沟槽内形成石墨烯层，并在石墨烯层和沟槽内形成器件结构。