公开(公告)号：US06586156B2

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：US09907392

申请日：2001-07-17

申请人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Dai Junyan ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

发明人： Marie Angelopoulos ,  Wu-Song Huang ,  Dai Junyan ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106

摘要： A chemically amplified (CA) photoresist system wherein a terpolymer containing ketal/phenolic/silicon based sidechains is provided. Among other things, the terpolymers provide for improved bake technologies. In another aspect a process for lithographic treatment of a substrate by means of ketal/phenolic/silicon based compositions and corresponding processes for the production of an object, particularly an electronic component are provided.

摘要翻译： 一种化学放大（CA）光刻胶体系，其中提供含有缩酮/酚/硅基侧链的三元共聚物。 除其他外，三元共聚物可提供改进的烘烤技术。 在另一方面，提供了通过缩酮/酚/硅基组合物对基材进行光刻处理的方法和用于制备物体，特别是电子部件的相应方法。