公开(公告)号：US06579359B1

公开(公告)日：2003-06-17

申请号：US09585331

申请日：2000-06-02

申请人： Marina Mynbaeva ,  Denis Tsvetkov ,  Vladimir Dmitriev ,  Alexander Lebedev ,  Nataliya Savkina ,  Alexander Syrkin ,  Stephen Saddow ,  Karim Mynbaev

发明人： Marina Mynbaeva ,  Denis Tsvetkov ,  Vladimir Dmitriev ,  Alexander Lebedev ,  Nataliya Savkina ,  Alexander Syrkin ,  Stephen Saddow ,  Karim Mynbaev

IPC分类号： C30B2518

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658

摘要： A method is disclosed for fabricating monocrystal material with the bandgap width exceeding 1.8 eV. The method comprises the steps of processing a monocrystal semiconductor wafer to develop a porous layer through electrolytic treatment of the wafer at direct current under UV-illumination, and epitaxially growing a monocrystal layer on said porous layer. Growth on porous layer produces semiconductor material with reduced stress and better characteristics than with the same material grown on non-porous layers and substrates. Also, semiconductor device structure comprising at least one layer of porous group III material is included.

摘要翻译： 公开了一种制造带隙宽度超过1.8eV的单晶材料的方法。 该方法包括以下步骤：通过在UV照射下以直流电流处理晶片，并且在所述多孔层上外延生长单晶层，来处理单晶半导体晶片以开发多孔层。 多孔层上的生长产生的半导体材料具有比在非多孔层和基底上生长的相同材料更低的应力和更好的特性。 此外，包括至少一层多孔III族材料的半导体器件结构。