公开(公告)号：US20100005227A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12376153

申请日：2007-08-01

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Tatsuya Adachi

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Tatsuya Adachi

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C16/20

摘要： A file to be read or written is designated and accessed from an access device side to a nonvolatile memory device. In an initialization after start-up of the power source, an empty capacity detector detects empty capacity parameters of a nonvolatile memory with dividing the memory into a plurality of regions. An empty capacity parameter notification part notifies the access device of the empty capacity parameters in a stepwise fashion whenever the empty capacity detector detects an empty capacity. With this, at the time when the empty capacity becomes not less than a capacity required to write file data, the data can be written to the nonvolatile memory without waiting for completion of the initialization, resulting in improvement of a response in the recording.

摘要翻译： 要从读取或写入的文件被指定并从访问设备侧访问到非易失性存储设备。 在电源启动后的初始化中，空容量检测器通过将存储器分成多个区域来检测非易失性存储器的空容量参数。 只要空容量检测器检测到空容量，空容量参数通知部分逐步地通知存取设备空容量参数。 这样，当空容量变得不小于写入文件数据所需的容量时，可以将数据写入非易失性存储器，而不用等待初始化的完成，从而改善了记录中的响应。

公开(公告)号：US20100005226A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12374672

申请日：2007-07-26

申请人： Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Masahiro Nakanishi ,  Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Isao Kato

发明人： Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Masahiro Nakanishi ,  Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Isao Kato

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0664 ,  G06F3/0605 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246

摘要： An access device 100 includes an access speed information part 112 for informing an access speed required for data recording by the access device 100 to a nonvolatile memory device 200. The nonvolatile memory device includes an access condition determination part 212 for determining an access condition required for meeting the informed access speed and an access area determination unit 213 for determining an access area according to the determined access condition. The access device 100 informs the required access speed to the nonvolatile memory device 200 in advance so that the access condition determination part 212 and the access area determination part 213 in the nonvolatile memory device 200 realize data recording which meets the access speed informed in advance upon the data recording. Thus, it is possible to access all the nonvolatile memory devices at a desired speed regardless of difference in characteristics of the recording speed of each of the nonvolatile memory devices.

摘要翻译： 访问装置100包括访问速度信息部分112，用于将访问装置100的数据记录所需的访问速度通知给非易失性存储装置200.非易失性存储装置包括访问条件确定部分212，用于确定访问条件 满足通知访问速度的访问区域确定单元213，用于根据确定的访问条件确定访问区域。 访问装置100预先向非易失性存储装置200通知所需的访问速度，使得非易失性存储装置200中的访问条件确定部212和访问区域确定部213实现满足预先通知的访问速度的数据记录 数据记录。 因此，无论每个非易失性存储器件的记录速度的特性差如何，都可以以所需的速度访问所有非易失性存储器件。

公开(公告)号：US08112575B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12376153

申请日：2007-08-01

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Tatsuya Adachi

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Tatsuya Adachi

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C16/20

摘要： A file to be read or written is designated and accessed from an access device side to a nonvolatile memory device. In an initialization after start-up of the power source, an empty capacity detector detects empty capacity parameters of a nonvolatile memory with dividing the memory into a plurality of regions. An empty capacity parameter notification part notifies the access device of the empty capacity parameters in a stepwise fashion whenever the empty capacity detector detects an empty capacity. With this, at the time when the empty capacity becomes not less than a capacity required to write file data, the data can be written to the nonvolatile memory without waiting for completion of the initialization, resulting in improvement of a response in the recording.

摘要翻译： 要从读取或写入的文件被指定并从访问设备侧访问到非易失性存储设备。 在电源启动后的初始化中，空容量检测器通过将存储器分成多个区域来检测非易失性存储器的空容量参数。 只要空容量检测器检测到空容量，空容量参数通知部分逐步地通知存取设备空容量参数。 这样，当空容量变得不小于写入文件数据所需的容量时，可以将数据写入非易失性存储器，而不用等待初始化的完成，从而改善了记录中的响应。

公开(公告)号：US08661186B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US12374672

申请日：2007-07-26

申请人： Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Masahiro Nakanishi ,  Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Isao Kato

发明人： Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda ,  Masahiro Nakanishi ,  Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Isao Kato

IPC分类号： G11C16/10 ,  G06F12/02 ,  G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0664 ,  G06F3/0605 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246

摘要： An access device 100 includes an access speed information part 112 for informing an access speed required for data recording by the access device 100 to a nonvolatile memory device 200. The nonvolatile memory device includes an access condition determination part 212 for determining an access condition required for meeting the informed access speed and an access area determination unit 213 for determining an access area according to the determined access condition. The access device 100 informs the required access speed to the nonvolatile memory device 200 in advance so that the access condition determination part 212 and the access area determination part 213 in the nonvolatile memory device 200 realize data recording which meets the access speed informed in advance upon the data recording. Thus, it is possible to access all the nonvolatile memory devices at a desired speed regardless of difference in characteristics of the recording speed of each of the nonvolatile memory devices.

摘要翻译： 访问装置100包括访问速度信息部分112，用于将访问装置100的数据记录所需的访问速度通知给非易失性存储装置200.非易失性存储装置包括访问条件确定部分212，用于确定访问条件 满足通知访问速度的访问区域确定单元213，用于根据确定的访问条件确定访问区域。 访问装置100预先向非易失性存储装置200通知所需的访问速度，使得非易失性存储装置200中的访问条件确定部212和访问区域确定部213实现满足预先通知的访问速度的数据记录 数据记录。 因此，无论每个非易失性存储器件的记录速度的特性差如何，都可以以所需的速度访问所有非易失性存储器件。

公开(公告)号：US20100115185A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12376648

申请日：2007-08-07

申请人： Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda

发明人： Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202

摘要： Without corresponding to different address spaces between an access device (100) and a nonvolatile memory device (200), the access device (100) designates a file ID to manage a data storing state only in a physical address space in the nonvolatile memory device (200). The access device (100) sends the nonvolatile memory device (200) a transfer rate through a transfer rate transmitting unit (121). A filling-up rate calculating unit (251) calculates a filling-up rate of a physical block corresponding to an assurance speed required by the access device (100). A remaining amount corresponding to the transfer rate is sought by using the calculated rate and is transmitted to a remaining amount receiving unit (122) of the access device (100).

摘要翻译： 在不对应于访问设备（100）和非易失性存储设备（200）之间的不同地址空间的情况下，访问设备（100）指定仅在非易失性存储设备中的物理地址空间中管理数据存储状态的文件ID（ 200）。 接入设备（100）通过传输速率发送单元（121）向非易失性存储设备（200）发送传送速率。 填补率计算单元计算与访问装置（100）所需的保证速度相对应的物理块的填充率。 通过使用计算出的速率来寻找与传送速率对应的剩余量，并将其发送到接入设备（100）的剩余量接收单元（122）。

公开(公告)号：US08166231B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12376648

申请日：2007-08-07

申请人： Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda

发明人： Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202

摘要： The access device 100 designates a file ID without relating different address spaces of an access device 100 and a nonvolatile memory device 200 with each other and manages a data storing state only in a physical address space in the nonvolatile memory device 200. The access device 100 sends a transfer rate to the nonvolatile memory device 200 by using a transfer rate sending part 121. A filling rate calculation part 251 calculates a filling rate of physical block corresponding to a guaranteed speed required by the access device 100. A remaining capacity corresponding to the transfer rate is obtained by using the calculated filling rate and is sent to a remaining capacity receiving part 122 of the access device 100.

摘要翻译： 访问装置100指定不存在访问装置100和非易失性存储装置200的不同地址空间的文件ID，并且仅在非易失性存储装置200的物理地址空间中管理数据存储状态。访问装置100 通过使用传送速率发送部121将传送速率发送到非易失性存储装置200.填充率计算部251计算与存取装置100所要求的保证速度对应的物理块的填充率。对应于 通过使用计算的填充率获得传送速率，并将其发送到接入设备100的剩余容量接收部分122。

公开(公告)号：US08452915B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13340016

申请日：2011-12-29

申请人： Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda

发明人： Tadashi Ono ,  Tatsuya Adachi ,  Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202

摘要： Without corresponding to different address spaces between an access device and a nonvolatile memory device, the access device designates a file ID to manage a data storing state only in a physical address space in the nonvolatile memory device. The access device sends the nonvolatile memory device a transfer rate through a transfer rate transmitting unit. A filling-up rate calculating unit calculates a filling-up rate of a physical block corresponding to an assurance speed required by the access device. A remaining amount corresponding to the transfer rate is sought by using the calculated filling-up rate and is transmitted to a remaining amount receiving unit of the access device.

摘要翻译： 在不对应于访问设备和非易失性存储设备之间的不同地址空间的情况下，访问设备指定仅在非易失性存储设备中的物理地址空间中管理数据存储状态的文件ID。 接入设备通过传输速率发送单元向非易失性存储设备发送传输速率。 填补率计算单元计算与访问设备所需的保证速度相对应的物理块的填充率。 通过使用计算出的填充率来寻求与传送速率相对应的剩余量，并将其发送到接入设备的剩余量接收单元。

公开(公告)号：US20100023678A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12523756

申请日：2008-01-25

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Isao Kato ,  Masayuki Toyama ,  Tatsuya Adachi ,  Hirofumi Nakagaki ,  Takuji Maeda

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Isao Kato ,  Masayuki Toyama ,  Tatsuya Adachi ,  Hirofumi Nakagaki ,  Takuji Maeda

IPC分类号： G06F12/00 ,  H01L35/00

CPC分类号： G06F1/206 ,  G11C7/04 ,  G11C16/102

摘要： When an access device accesses a nonvolatile memory device, the nonvolatile memory device or the access device detects or calculates a temperature T of the nonvolatile memory device. A temperature-adaptive control part of the nonvolatile memory device controls an access rate to a nonvolatile memory on the basis of the temperature T. Accordingly, the control part controls the rate so that the temperature T of the nonvolatile memory devices cannot exceed a limit temperature Trisk. In this manner, a nonvolatile memory system can eliminate a risk of a burn when ejecting the semiconductor memory device and can read and write data at a high speed.

摘要翻译： 当访问设备访问非易失性存储设备时，非易失性存储设备或访问设备检测或计算非易失性存储设备的温度T. 非易失性存储器件的温度自适应控制部分基于温度T控制对非易失性存储器的访问速率。因此，控制部分控制速率使得非易失性存储器件的温度T不能超过极限温度 Trisk。 以这种方式，非易失性存储器系统可以在喷射半导体存储器件时消除燃烧的危险，并且可以高速读取和写入数据。

公开(公告)号：US08209504B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12523756

申请日：2008-01-25

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Isao Kato ,  Masayuki Toyama ,  Tatsuya Adachi ,  Hirofumi Nakagaki ,  Takuji Maeda

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Isao Kato ,  Masayuki Toyama ,  Tatsuya Adachi ,  Hirofumi Nakagaki ,  Takuji Maeda

IPC分类号： G06F13/00

CPC分类号： G06F1/206 ,  G11C7/04 ,  G11C16/102

摘要： When an access device accesses a nonvolatile memory device, the nonvolatile memory device or the access device detects or calculates a temperature T of the nonvolatile memory device. A temperature-adaptive control part of the nonvolatile memory device controls an access rate to a nonvolatile memory on the basis of the temperature T. Accordingly, the control part controls the rate so that the temperature T of the nonvolatile memory devices cannot exceed a limit temperature Trisk. In this manner, a nonvolatile memory system can eliminate a risk of a burn when ejecting the semiconductor memory device and can read and write data at a high speed.

摘要翻译： 当访问设备访问非易失性存储设备时，非易失性存储设备或访问设备检测或计算非易失性存储设备的温度T. 非易失性存储器件的温度自适应控制部分基于温度T控制对非易失性存储器的访问速率。因此，控制部分控制速率使得非易失性存储器件的温度T不能超过极限温度 Trisk。 以这种方式，非易失性存储器系统可以在喷射半导体存储器件时消除燃烧的危险，并且可以高速读取和写入数据。

公开(公告)号：US20100017557A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12374678

申请日：2007-07-26

申请人： Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda

发明人： Masahiro Nakanishi ,  Takuji Maeda ,  Toshiyuki Honda

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/1416 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7204 ,  G06F2212/7206 ,  G11C29/76 ,  G11C29/82

摘要： A nonvolatile memory device reads and writes file data according to a file ID designated by an access device. The nonvolatile memory device includes a capacity parameter decision part 260 which generates a capacitance parameter related to a usable capacity of a nonvolatile memory 210. Even if a defective region of the nonvolatile memory is gradually increased as the use is continued, a capacity parameter decision part 161 reduces a normal region in accordance with increase of the defective region. The capacity parameter notification part notifies the reduced capacity parameter to the access device. Based on the notified capacity parameter, the access device manages the total size of all the files to be read and written.

摘要翻译： 非易失性存储器件根据由访问设备指定的文件ID来读取和写入文件数据。 非易失性存储器件包括产生与非易失性存储器210的可用容量相关的电容参数的容量参数决定部件260.即使随着使用情况而使非易失性存储器的缺陷区域逐渐增加，容量参数判定部件 161根据缺陷区域的增加而减少正常区域。 容量参数通知部将通信容量参数通知给接入装置。 基于通知的容量参数，访问设备管理要读取和写入的所有文件的总大小。