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    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SENSE AMPLIFIER
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SENSE AMPLIFIER 有权
    具有感测放大器的半导体存储器件

    公开(公告)号：US20100188913A1

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：US12693798

    申请日：2010-01-26

    申请人： Masahiro YOSHIHARA ,  Katsumi ABE

    发明人： Masahiro YOSHIHARA ,  Katsumi ABE

    IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/08 ,  G11C2207/005

    摘要： A semiconductor memory device includes a memory cell array, a page buffer, a data line pair, a differential amplifier and a precharger. The memory cell array includes a plurality of pages in which a plurality of memory cells are arranged. The page buffer is formed adjacent to the memory cell array, and includes a plurality of sense amplifiers configured to temporarily hold page data read from the memory cells in the page. The data line pair is arranged in the page buffer and is connected to the sense amplifiers. The differential amplifier is configured to amplify a potential difference between lines of the data line pair. The precharger is configured to precharge the data line pair to a predetermined potential. At least one of the differential amplifier and the precharger is formed in the page buffer, and the at least one circuit is electrically connected to the data line pair.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括存储单元阵列，页缓冲器，数据线对，差分放大器和预充电器。 存储单元阵列包括多个存储单元布置在其中的多个页面。 页面缓冲器形成在与存储单元阵列相邻的位置，并且包括多个读出放大器，被配置为临时保持从页面中的存储器单元读取的页面数据。 数据线对被布置在页缓冲器中并连接到读出放大器。 差分放大器被配置为放大数据线对的线之间的电位差。 预充电器被配置为将数据线对预充电到预定电位。 差分放大器和预充电器中的至少一个形成在页面缓冲器中，并且至少一个电路电连接到数据线对。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20120250424A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13432465

    申请日：2012-03-28

    申请人： Masahiro YOSHIHARA ,  Naofumi Abiko ,  Katsumi Abe

    发明人： Masahiro YOSHIHARA ,  Naofumi Abiko ,  Katsumi Abe

    IPC分类号： G11C7/06

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/106 ,  G11C7/1087 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26

    摘要： A sense amplifier circuit is connected to a bit-line and senses and amplifies a signal read from a memory cell. A first data latch is connected to a sense amplifier via a first bus. A second data latch is connected to a second bus. A plurality of circuit groups are repeatedly provided in a first direction, each circuit group comprising one sense amplifier circuit and one first data latch. The second data latch is provided between the circuit groups and an input/output buffer.

    摘要翻译： 感测放大器电路连接到位线，并感测并放大从存储单元读取的信号。 第一数据锁存器通过第一总线连接到读出放大器。 第二数据锁存器连接到第二总线。 在第一方向重复提供多个电路组，每个电路组包括一个读出放大器电路和一个第一数据锁存器。 第二数据锁存器设置在电路组和输入/输出缓冲器之间。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20110103152A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：US13004926

    申请日：2011-01-12

    申请人： Masahiro YOSHIHARA ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    发明人： Masahiro YOSHIHARA ,  Toshiaki Edahiro ,  Koji Hosono

    IPC分类号： G11C16/28

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/065 ,  G11C7/067 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C2207/063 ,  G11C2207/068

    摘要： A semiconductor memory device comprises a plurality of memory cells connected to a bit line; and a sense amplifier operative to sense the magnitude of cell current flowing via the bit line in a selected memory cell connected to the bit line to determine the value of data stored in the memory cell. The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括连接到位线的多个存储器单元; 以及读出放大器，用于感测在连接到位线的所选择的存储器单元中经由位线流动的单元电流的大小，以确定存储在存储单元中的数据的值。 感测放大器包括用于预充电的第一晶体管，用于经由第一和第二感测节点在位线中提供电流，插入在第一和第二感测节点之间的用于电荷转移的第二晶体管和用于连续电流供应的第三晶体管 以不通过第一和第二感测节点在位线中提供电流。