公开(公告)号：US08106433B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12967604

申请日：2010-12-14

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US07868365B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12382159

申请日：2009-03-10

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US07663168B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11650435

申请日：2007-01-08

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US20110079707A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12967604

申请日：2010-12-14

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US07193258B2

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：US11081950

申请日：2005-03-17

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US06660553B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10232416

申请日：2002-09-03

申请人： Masatoshi Kimura ,  Yasuyuki Endo

发明人： Masatoshi Kimura ,  Yasuyuki Endo

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L29/66598 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66659 ,  H01L31/035272

摘要： Photolithography is used to form a photoresist (30) having an opening over an end portion of a gate structure (15) and over a region adjacent to the gate structure (15) where a photodiode (18) is to be formed. Next, using the photoresist (30) as an implantation mask, vertical implantation of N-type impurities (31) such as phosphorus is performed at an energy of 300 to 600 keV and a dose of 1E12 to 1E14 ions/cm2, thereby forming an N-type impurity-introduced region (17) in an upper surface of a P well (11). At this time, the N-type impurities (31) can penetrate through the gate structure (15) to enter into the P well (11), allowing the N-type impurity-introduced region (17) to be also formed under the gate structure (15).

摘要翻译： 光刻用于形成在栅极结构（15）的端部上方和在栅极结构（15）附近的区域上形成光电二极管（18）的开口的光致抗蚀剂（30）。 接下来，使用光致抗蚀剂（30）作为注入掩模，以300〜600keV的能量和1E12〜1E14离子/ cm 2的剂量进行N型杂质（31）如磷的垂直注入， 从而在P阱（11）的上表面形成N型杂质导入区域（17）。 此时，N型杂质（31）可穿过栅极结构（15）进入P阱（11），允许N型杂质引入区域（17）也形成在栅极 结构（15）。

公开(公告)号：US20090179238A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12382159

申请日：2009-03-10

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US20070108486A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11650435

申请日：2007-01-08

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

公开(公告)号：US20050205902A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11081950

申请日：2005-03-17

申请人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

发明人： Kunihiko Hara ,  Hiroshi Kubo ,  Yasuyuki Endo ,  Masatoshi Kimura

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L31/113 ,  H04N5/335 ,  H04N5/365 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, a resetting transistor is formed. In a pixel part, in a first active region, a photodiode and a transferring transistor are formed. In a second active region, an amplifying transistor is formed. The first and second active regions are respectively the same in shape in image pixel parts. The resetting transistor and the amplifying transistor are shared by the pixel parts.

摘要翻译： 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中，形成复位晶体管。 在像素部分中，在第一有源区中形成光电二极管和转移晶体管。 在第二有源区中形成放大晶体管。 图像像素部分中的第一和第二有源区域的形状分别相同。 复位晶体管和放大晶体管由像素部分共享。

公开(公告)号：US5652232A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：US615286

申请日：1996-05-24

申请人： Koichi Shudo ,  Yasuyuki Endo ,  Tamio Fujiwara ,  Akihiko Sato

发明人： Koichi Shudo ,  Yasuyuki Endo ,  Tamio Fujiwara ,  Akihiko Sato

IPC分类号： C07D245/06 ,  A61K31/395

CPC分类号： C07D245/06

摘要： A benzolactam derivative represented by the following formula (I): ##STR1## wherein n represents an integer of from 1 to 3; R.sup.1 represents a straight- or branched-chain alkyl group or an aralkyl group; R.sup.2 represents a straight- or branched-chain alkyl group; R.sup.3 and R.sup.4 independently represent a hydrogen atom or a straight- or branched-chain alkyl group, and when R.sup.3 and R.sup.4 are adjacent each other on the phenyl group, they may be combined to form a cycloalkyl ring together with two carbon atoms of the phenyl group to which R.sup.3 and R.sup.4 bind, and said cycloalkyl ring may optionally have one or more substituents; and a anti-retroviral agent comprising the same as an active ingredient.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 01561 Sec。 371日期：1996年5月24日 102（e）日期1996年5月24日PCT 1994年9月22日PCT公布。 公开号WO95 / 09160 日期：1995年4月6日由下式（I）表示的苯并内酰胺衍生物：其中n表示1〜3的整数， R1表示直链或支链烷基或芳烷基; R2表示直链或支链烷基; R3和R4独立地表示氢原子或直链或支链烷基，当R3和R4在苯基上彼此相邻时，它们可以与苯基的两个碳原子一起形成环烷基环 R 3和R 4结合的基团，并且所述环烷基环可任选地具有一个或多个取代基; 和包含其作为活性成分的抗逆转录病毒剂。